甲烷无氧芳构化研究进展及其工业应用前景

综述了最近20多年来甲烷无氧芳构化催化剂的制备、积炭失活和再生方面的研究进展，特别分析了催化剂再生过程的工程化问题及反应器型式；还根据甲烷芳构化技术产业化的需要，分析了甲烷芳构化技术的发展趋势。     

子空间方法盲多用户检测技术分析与探索

着重分析了基于子空间跟踪的盲线性多用户检测算法 ,并对其内部算法模块进行了仿真比较 ,最后对算法性能改善方法提出了自己的新思路     

防垢剂BZF－2的研制与应用

桩西油田产出原油综合含水已达６０％－７０％，原用防垢剂ＨＥＤＰ已失去有效抑制集输站结垢的性能。本工作针对结垢最严重的桩５２站的应用，研制了以有机膦化合物和聚氧乙烯醚为主成份的防垢剂ＢＺＦ－２，在室内考察了不同条件下的防垢率、腐蚀性、配伍性等性能，在桩５２站进行了为期４个月的现场试验，加量为１０．３ｍｌ／ｌ、防垢率≥９８．０％，加药设备管线的腐蚀率大大降低。     

一种实现非等带宽多载波调制的新方法

传统的多载波调制都是采用对传输信道进行等带宽划分的方式。为了更好地适应信道传输特性，一个很有应用前景的发展方向是采用非等带宽划分信道的多载波调制方式。本文提出了一种利用正交小波包变换实现的非等带宽划分信道的多载波调制方法。理论分析和实验结果表明，这种方法对于提高信道的传输性能有很大的潜力。     

微生物烟气脱硫技术及其研究方向

微生物烟气脱硫 ,是用含有脱硫菌的溶液作循环吸收液、以粉煤灰中Fe2 O3被离子化后产生的铁离子作催化剂和反应介质、以脱除烟气中SO2 的一项新技术 .从能源、酸度、温度、需氧类型等方面综合考虑 ,氧化亚铁硫杆菌、氧化硫硫杆菌、氧化亚铁硫螺菌可作为三层滤料生物滤池脱硫的菌种 .而选育适宜性和稳定性更强、使用寿命更长的高效菌和合适的生化反应器 ,是脱硫菌种研究的趋势 .     

A fully soft-switched extended-period quasi-resonantpower-factor-correction circuit

This paper presents the design criteria, procedure, and implementation of a soft-switched power-factor-correction (PFC) circuit based on the extended-period quasi-resonant (EPQR) principles. All power electronic devices including switches and diodes in the circuit are fully soft switched. The design method is demonstrated in a prototype circuit. The operating principles are confirmed with computer simulation and experimental results. A comparison of the EP-QR operation and zero-voltage-transition (ZVT) pulse-width modulation (PWM) method     

SnO2超微粒子薄膜的气敏特性研究

作者用自行设计的直流气体放电活化反应蒸发装置制备出平均粒径约为40nm的SnO_2超微粒子薄膜.研究了不同氧分压下所得SnO_2超微粒膜的形貌、结构和组成等特性,以及不同样品对各种易燃气体的气敏特性,得出了灵敏度随氧分压及灵敏度随工作温度的变化曲线.     

采用8031作主控器的时域FIR数字滤波器

长期以来，ＦＩＲ数字滤波器大多是在频域上实现。因为，在时域上实现ＦＩＲ数字滤波所遇到的首要问题，是输入信号序列与冲激响应序列的卷积运算速度难以提高。然而，随着超大规模集成电路的飞速发展，硬件集成度与运算速度获得极大的改观，在时域上实现ＦＩＲ数字滤波已成为可能。ＩＭＳＡ１００是高速、高精度３２级数字信号处理器，是完成卷积运算的理想器件。本文论证了用ＩＭＳＡ１００实现时域ＦＩＲ数字滤波器的可行性和硬件设计中的一些问题，并给出了应用举例。在设计中选用８０３１单片机做主控器，大大提高了性能价格比，使这一设计具有很高的实用价值。     

Low temperature wafer direct bonding

A pronounced increase of interface energy of room temperature bonded hydrophilic Si/Si, Si/SiO₂, and SiO₂/SiO ₂ wafers after storage in air at room temperature, 150°C for 10-400 h has been observed. The increased number of OH groups due to a reaction between water and the strained oxide and/or silicon at the interface at temperatures below 110°C and the formation of stronger siloxane bonds above 110°C appear to be the main mechanisms responsible for the increase in the interface energy. After prolonged storage, interface bubbles are detectable by an infrared camera at the Si/Si bonding seam. Desorbed hydrocarbons as well as hydrogen generated by a reaction of water with silicon appear to be the major contents in the bubbles. Design guidelines for low temperature wafer direct bonding technology are proposed