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S. S. Chen C. P. Yang C. L. Ren R. L. Wang H. Wang I. V. Medvedeva K. Baerner 《Bulletin of Materials Science》2011,34(4):793-798
Interface-dependent electric-pulse-induced resistance switching effect (EPIR) in Nd0.7Sr0.3MnO3 ceramics was studied. The results reveal that the EPIR effect originates from the interface between the electrodes and the bulk, and the EPIR ratio as well as the high and low resistance states can be strongly influenced by applying a large electrical field on the sample for different intervals. Also, the pulse parameters have great effect on the stability of EPIR and the optimal pulse width, pulse amplitude and read bias are obtained. Based on the space charge limited current mechanism together with the theory of interfacial charge-trapped state, the interface-dependent resistance switching effect is discussed. 相似文献
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This paper is an attempt to study the behaviour of the inclined, tapered and straight-tapered-straight (STS) concrete-filled steel tubular (CFST) stub columns. A total of 34 specimens were tested. The main parameters were the column type (inclined, tapered and STS), inclined or tapered angle (from 0°to 9°) and the cross-sectional type (circular and square). Comparisons with predicted cross-sectional strengths were made using the existing codes: AIJ-2008, AISC-2005, BS5400-2005, DBJ-13-51-2003 and EC4-2004. 相似文献
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对生命的关注是教育的本真所在,提升个体生命质量与其社会存在意义是教育的终极追求。中小学生生命教育的缺失,致使学生不同程度地存在对生命价值漠视的现象。因此,通过对生命教育的内涵、现状、目标、内容和实施途径的深入探讨,在中小学教学中渗透生命教育将有助于学生学会懂得、思考和理解生命的价值,进而以旺盛的生命力来表达生命的意义。 相似文献
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阐述了一种基于ARM的主动频率偏移检测孤岛效应的方法。通过计算,验证了SPWM对频率偏移精度调整的可行性。利用正反两次调整频率偏移量,达到快速,准确并且对电网不产生任何干扰的情况下检测出孤岛效应。 相似文献
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以8051系列的单片机和RTL8019AS网络接口芯片等构建网络接入系统,在RTL8019AS芯片提供的应用基础上完成TCP/IP协议,经过8051单片机实现数据的RJ-45与串口通讯。该设计为传统串口设备通过标准TCP/IP协议接入Internet提供了一种低成本解决方案。 相似文献
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《继电保护和电网安全自动装置现场工作保安规定》部分条款解读 总被引:1,自引:0,他引:1
Q/GDW267-2009继电保护和电网安全自动装置现场现场工作保安规定是为保证继电保护现场工作安全的规定,对工作的流程及注意事项进行了综合性的描述。本文针对其中部分条款结合现场实际进行了解读。 相似文献
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介绍了广域保护的背景和现实意义,通过获取电力系统中的多点信息来实现新的保护和控制算法.在此基础上借助广域保护的分布式系统结构,采用基于变电站智能电子设备(IED)保护动作系数和关联系数矩阵的输电线路广域后备保护算法,实现新的电网故障判别机制,并结合具体的电网验证了算法的合理性和有效性. 相似文献
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实现了一种单片集成的长波长可调谐光探测器.通过外延实验,摸索出低温缓冲层的最佳生长条件,成功地在GaAs衬底上生长出晶格失配度约4%的高质量的InP基材料.基于此低温缓冲层,在GaAs衬底上首先生长GaAs/AlAs材料的F-P腔滤波器,然后异质外延InP-In0.53 Ga0.47 As-InP材料的PIN结构.制作出的器件通过热调谐,峰值波长从1533.1nm红移到1543.1nm,实现了10.0nm的调谐范围,同时响应线宽维持在0.8nm以下,量子效率保持在23%以上,响应速率达到6.2GHz. 相似文献