首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   57353篇
  免费   4809篇
  国内免费   2482篇
电工技术   3135篇
技术理论   6篇
综合类   3772篇
化学工业   9860篇
金属工艺   3038篇
机械仪表   3571篇
建筑科学   4485篇
矿业工程   1733篇
能源动力   1447篇
轻工业   4738篇
水利工程   957篇
石油天然气   3393篇
武器工业   383篇
无线电   6769篇
一般工业技术   6734篇
冶金工业   2694篇
原子能技术   604篇
自动化技术   7325篇
  2024年   331篇
  2023年   1094篇
  2022年   1805篇
  2021年   2484篇
  2020年   1820篇
  2019年   1654篇
  2018年   1806篇
  2017年   1877篇
  2016年   1682篇
  2015年   2237篇
  2014年   2888篇
  2013年   3332篇
  2012年   3617篇
  2011年   3612篇
  2010年   3233篇
  2009年   3139篇
  2008年   2923篇
  2007年   2855篇
  2006年   2967篇
  2005年   2555篇
  2004年   1754篇
  2003年   1851篇
  2002年   2044篇
  2001年   1724篇
  2000年   1542篇
  1999年   1530篇
  1998年   1125篇
  1997年   993篇
  1996年   946篇
  1995年   751篇
  1994年   609篇
  1993年   458篇
  1992年   349篇
  1991年   276篇
  1990年   220篇
  1989年   159篇
  1988年   130篇
  1987年   66篇
  1986年   55篇
  1985年   35篇
  1984年   23篇
  1983年   22篇
  1982年   26篇
  1981年   18篇
  1980年   14篇
  1979年   2篇
  1959年   4篇
  1951年   7篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 0 毫秒
61.
Hexagonal GaN films were prepared by nitriding Ga2O3 films with flowing ammonia. Ga2O3 films were deposited on Ga-diffused Si (111) substrates by radio frequency (r.f.) magnetron sputtering. This paper have investigated the change of structural properties of GaN films nitrided in NH3 atmosphere at the temperatures of 850, 900, and 950℃ for 15 min and nitrided at the temperature of 900℃ for 10, 15, and 20 rain, respectively. X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM), transmission electron microscopy (TEM) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) were used to analyze the structure, surface morphology and composition of synthesized samples. The results reveal that the as-grown films are polycrystalline GaN with hexagonal wurtzite structure and GaN films with the highest crystal quality can be obtained when nitrided at 900℃ for 15 min.  相似文献   
62.
移动定位技术的现状与发展趋势   总被引:1,自引:0,他引:1  
基于位置服务为人们的日常生活带来了极大的方便,同时也推动了移动定位技术行业的快速发展。针对移动定位技术发展状况,分析目前主流定位技术的优劣,并对取得的突破作简单的总结归纳。  相似文献   
63.
Feng  Xue  Guoying  Cui  Richang  Hong  Jing  Gu 《Multimedia Systems》2015,21(2):169-175
Multimedia Systems - Camouflage effect evaluation and examination is an important procedure in digital camouflage pattern design as it is helpful in improving the objectivity and effectiveness...  相似文献   
64.
近年来,岩土工程勘察技术发展得非常快,研究领域不断拓展,取得了较多的成就。但是,在发展过程中也存在一些不足。重点分析了岩土工程勘察工作,并结合实际工作提出一些个人意见,以期能为相关工作提供帮助。  相似文献   
65.
在对公交收费系统的发展和无线射频识别技术进行研究的基础上,分析了现行公交收费系统的优缺点与局限性,并提出了一种公交车远卡自动收费系统的设计思路.主要使用ARM核芯片STM32、射频芯片nRF24LE1等器件,完成了硬件设计.在软件设计上实现了自动计算票价的扣费机制.该系统创新性地将远距离射频技术应用在公交收费系统中,不仅方便了乘客,而且大大提高了乘客上下车的效率.  相似文献   
66.
67.
68.
根据UDP协议的特点,结合视频网络传输的要求对其进行扩展,给UDP数据包定义了一个8个字节的包头结构,用来加载数据包的序列号、时戳等信息。在发送端对传榆进行平滑处理,控制数据包大小和时戳间隔,减小了图像抖动的发生。应用给出了一种在Delphi下实现的视频数据打包流程,能够满足多种网络平台上的视频传输的要求。  相似文献   
69.
This paper deals with the creep effect on dynamic visco-elastic properties of short fibre reinforced polymer SMC composite. The vibration-creep-vibration test procedure was applied to examine the influence of creep on dynamic modulus E and loss tangent tg of the material. The results show that creep causes appreciable influence on E and tg.  相似文献   
70.
摘 要:目的 探究低温等离子体(cold plasma, CP)处理模式对冷藏南美白对虾中常见荧光假单胞菌(Pseudomonas fluorescens)的抑菌效果及其作用机制。方法 通过CP直接处理和循环处理P. fluorescens,研究了两种处理模式下臭氧含量动态变化对P. fluorescens的生长曲线、细胞活力,生物膜形成、细胞壁、细胞膜完整性和南美白对虾菌落总数及假单胞菌数等指标的影响。结果 两种处理模式在CP处理3 min或3 cycles后,包装内臭氧含量达到最高值,分别为(850±10) mg/m3和(874±20) mg/m3。CP循环处理模式使得臭氧含量随处理循环数递增,因此获得更长的臭氧存在时间从而具有更大的抑菌能力。P. fluorescens生长曲线表明CP处理使得菌体延迟期变长且对数生长期推迟。此外,CP处理后的P. fluorescens细胞活力显著下降(P<0.05),CP-1 min,CP-3 min和CP-3 cycles组的细胞活力分别为33.03%、5.90%和4.82%。同时相比CP-3 min组,CP-3 cycles组的P. fluorescens生物膜OD值下降27.61%。碱性磷酸酶(alkaline phosphatase, AKP)活性和核酸蛋白泄漏量结果表明,细胞壁和细胞膜完整性受损可能是P. fluorescens失活的直接原因。对虾保鲜测试结果证实,贮藏第6 d,CP-3 cycles组虾体中的菌落总数和假单胞菌数相比CP-3 min组分别降低了58.02%和79.54%。结论 CP循环处理模式通过延长对臭氧与对虾的暴露时间,提高了对P. fluorescens的灭活效果,同时还具有更优越的保鲜能力。本研究为开发基于CP技术的新型保鲜技术应用提供了理论参考。 关键词:低温等离子体;荧光假单胞菌;抑菌机制;保鲜  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号