寄生电感对低压增强型GaN HEMT开关行为的影响

寄生电感是影响功率管开关特性的重要因素之一,开关频率越高,寄生电感对低压增强型氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)的开关行为影响越深,使其无法发挥高速开关的性能优势。通过建立数学模型,理论分析了考虑各部分寄生电感后增强型GaN HEMT的开关过程,并推导了各阶段的持续时间和影响因素,然后通过建立双脉冲测试平台,对各部分寄生电感对开关特性的具体影响进行了实验验证。实验结果表明,寄生电感会使开关过程中的电流、电压出现振荡,影响开关速度和可靠性,并且各部分寄生电感对增强型GaN HEMT的开关过程影响程度不同,在实际PCB布局受到物理限制时,需要根据设计目标优化布局,合理分配各部分寄生电感以获得最优的开关性能。     

有机层厚度对OLED性能的影响

采用真空蒸发的方法制备出玻璃衬底ITO／TPD／Alq／A1结构的有机发光器件(OLED)。改变有机层的厚度, 比较不同厚度下OLED的各项性能的差异,包括工作电压,发光效率。实验发现无论增大空穴传输层TPD的厚度 抑或是发光层Alq的厚度都会增大器件的工作电压。发光层Alq厚度的增大还能引起发光效率的增大,而TPD厚 度的增大对发光效率的影响则是复杂的。对于上述现象用隧穿理论以及直带模型进行了解释。对制备高亮度, 高效率低损耗的OLED具有指导意义。     

利用Ni纳米岛模板制备半极性晶面GaN纳米柱

报道了在GaN表面以Ni纳米岛结构作为模板,利用电感耦合等离子(ICP)刻蚀制备GaN纳米柱的研究结果。原子力显微镜(AFM)测试结果表明,金属Ni薄膜在快速热退火(RTA)作用下形成了平均直径和高度大约分别为325 nm和70 nm的纳米岛状结构。通过电子扫描显微镜(SEM)照片看出,以GaN表面所形成的Ni纳米岛作为模板图形,通过控制ICP刻蚀时间,在一定的刻蚀时间内(2 min)获得有序的并拥有半极性晶面的GaN纳米柱阵列。这种新颖的半极性GaN纳米柱作为氮化物量子阱或者超晶格结构的生长模板,可以有效减小甚至消除极化效应,提高光电子器件的效率和性能。     

基于无线传输的远程环境监控系统

随着无线技术的不断发展,无线监控系统在工业控制和工程控制中得到了越来越广泛的应用。为了克服传统环境参数监测系统存在的布线复杂、管理困难的问题,利用无线模块发送和接收数据以实现对棚内检测仪器的无线监控。设计的基于nRF401的无线监控系统,将单片机技术和无线通信技术有效结合起来,能无线实时采集棚内环境参数信息,结合有线技术传送到控制中心,实现了环境参数的无线远程控制。     

串行谐振滤波器调试中参数的提取理论

介绍一种提取串行耦合滤波器的各个谐振腔的谐振频率和相互谐振腔之间耦合系数的方法.利用终端短路网络的反射系数的相位来综合各个谐振腔的耦合谐振频率和相互谐振腔之间耦合系数.     

Si基膜片型气敏传感器微结构单元的热学性能

微结构气敏传感器由于其微型化、低功耗、易阵列化和易批量生产等优点而受到国内外研究者的广泛关注。利用微机电系统（MEMS）加工技术，制备Si基膜片型微结构单元，并分析其热学性能。这种单元工作区温度为-300℃时，加热功率约75mW；并且膜片工作区的热质量很小，温度可以于毫秒量级的时间内，在室温和450℃之间调制。利用这种微结构单元，可以在温度调制方式下，研究气敏薄膜的电学特性和敏感机理。     

射频激励平板CO2激光器放电机理的理论研究

本文以气体放电理论为基础，利用简化模型推导出射频激励平板CO2激光器气体放电击穿电压的数学关系式，指出影响激光气体放电击穿的几个物理参量。通过对激光气体放电进行数值模拟，得出放电等离子体电压－电流密度特性曲线，讨论了影响该曲线的物理因素，描述了放电等离子体的物理结构模型。把理论结论与相关实验测试结果比较，二者符合一致。     

偏振模色散统计特性的研究

利用动态方程研究了偏振模色散矢量的统计特性 ,分别用统计系综和频率系综两种方法进行数值模拟。数值结果表明 ,统计系综和频率系综两种方法的结果一致。在大归一化距离条件下 ,均方根时延的平方随归一化距离线性变化 ;偏振模色散矢量的各个分量服从高斯分布 ,差分群时延服从麦克斯韦分布 ;偏振模色散矢量弥散于整个邦加球     

一种新的混沌编码脉压雷达信号

本文研究了一种新型混沌编码的脉冲位置和相位复合调制的脉冲压缩雷达信号.为了求解这种雷达信号的平均模糊函数,本文还提出了一种基于傅立叶变换的新方法.理论和仿真的结果都表明,这种雷达信号不但具有好的距离和速度分辨力,同时还具有优异的"隐身"能力和对抗敌方积极干扰的能力.     

低功耗IGBT(LPL-IGBT)及其仿真

提出了一种新结构的 IGBT,取名为低功耗 IGBT(L PL- IGBT) ,它具有离子注入形成的超薄且轻掺杂的背P型发射区 ,从而具有 NPT- IGBT的优点 ;同时具有由衬底预扩散残留层构成的 n型缓冲层 ,又具有 PT- IGBT的优点 .计算机仿真结果证明 ,它的关断损耗比 PT- IGBT和 NPT- IGBT降低一倍左右 .它的结构比 FSIGBT更适合于实际生产