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61.
环路启动(LS)中继在电力专网中使用非常广泛,人工恢复长时间不拆线的LS中继的维护方式已经不能满足需求,故利用开发工具(Delphi)编写软件实现和交换机通信,自动检测所有LS中继线的状态,自动恢复长时间处于维护忙状态的LS中继。文章介绍了该系统的实现过程及系统中各模块的功能。该系统的实现提高了工作效率,保障了交换网的通信质量。  相似文献   
62.
63.
高压输电线路铁塔选型漫谈   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文结合近几年来,我国高压输电线路铁塔选型方面的基本情况,和作者本人从事高压输电线路铁塔结构设计中的一些经验和看法,简述了大负荷、新结构的塔型使用现状和铁塔选型应注意的一些问题。  相似文献   
64.
The machinable ceramic Si3N4-BN is a material which is increasingly being employed for automobile bearings and machinable ceramics. This material is very hard and has high resistance against volatile temperature and wear. It's efficient quality and accurate surfaces have always been of high demand for many applications in the industrial field. Besides, this material is varied by the percentage of BN contained in it, and the characteristics of lapping also varies according to this percentage of BN. Hence, in-process electrolytic dressing for ultra-precision lapping was introduced and used to experiment with the differing BN percentages in machinable ceramic Si3 N4. Metal-bonded super-abrasive diamond lapping wheels have superior qualities such as high bond strength, high stability and high machinability. The major problems encountered are wheel loading and glazing, which impedes the effectiveness of the cast-iron bonded diamond lapping wheel and, therefore, dressing should be considered. In this respect, in-process electrolytic dressing (IED) is proposed as an effective method regarding continuous protruding abrasives on the surface of wheels, whereby loading and glazing phenomena can apparently disappear. In this paper, the machining characteristics of machinable ceramic Si3N4-BN have been studied by adapting the IED lapping process in terms of the percentage of h-BN material.  相似文献   
65.
本文运用二元回归余值方程对GM厂在经济增长中的技术进步进行了估算和预测。  相似文献   
66.
本文对如何提高学生制图能力,适应工作需要,提出一些看法和做法。  相似文献   
67.
介绍了宁夏大唐大坝发电公司亚临界600MW双缸双排汽直接空冷汽轮机的特点,及34″空冷末级叶片和双排汽空冷低压的性能特点。从而说明该600MW空冷汽轮机结构合理、技术先进、性能优越、安全可靠。  相似文献   
68.
叙述了南钢 1号连铸机高效化改造实践 ,总结了改造经验 ,改造的关键部位是结晶器、振动装置、二次冷却装置、拉矫装置、冷却水系统  相似文献   
69.
GaN nanorods have been successfully grown on Si (111) substrates by magnetron sputtering through ammoniating Ga2Othin films catalyzed with Mo. The influence of the ammoniating time on the growth of GaN nanorods was analyzed, in particular, by X-ray diffraction (XRD), X-ray photoelectron spectroscopy, Fourier transform infrared (FT-IR) spectrometer, scanning electron microscopy (SEM), high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM), and photoluminescence (PL) spectrum. The results demonstrate that the GaN nanorods are single crystal with hexagonal wurtzite structure, which have high crystalline quality. The GaN nanorods after ammoniation at 1223 K (950 °C) for 20 minutes have good emission properties and the highest crystalline quality with 100- to 200-nm diameter and several-micron length. The growth direction of these nanorods is along the orientation of (100) crystal plane. A small red shift occurs because of the band-gap change caused by the tensile stress of the one-dimensional GaN nanorods along the axial direction.  相似文献   
70.
Formationcrossectionsofnucleiwith(n,2n)reactionsChenXueShi,XieKuanZhong,ZhouShengMo,YanQingQuan(ShanghaiInstituteofNucle...  相似文献   
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