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高压输电线路铁塔选型漫谈 总被引:1,自引:0,他引:1
傅春蘅 《广东输电与变电技术》2004,(1):1-4
本文结合近几年来,我国高压输电线路铁塔选型方面的基本情况,和作者本人从事高压输电线路铁塔结构设计中的一些经验和看法,简述了大负荷、新结构的塔型使用现状和铁塔选型应注意的一些问题。 相似文献
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E. S. Lee J. K. Won Y. J. Chun M. W. Cho W. S. Cho J. H. Lee 《The International Journal of Advanced Manufacturing Technology》2007,31(11-12):1101-1108
The machinable ceramic Si3N4-BN is a material which is increasingly being employed for automobile bearings and machinable ceramics. This material is very hard and has high resistance against volatile temperature and wear. It's efficient quality and accurate surfaces have always been of high demand for many applications in the industrial field. Besides, this material is varied by the percentage of BN contained in it, and the characteristics of lapping also varies according to this percentage of BN. Hence, in-process electrolytic dressing for ultra-precision lapping was introduced and used to experiment with the differing BN percentages in machinable ceramic Si3 N4. Metal-bonded super-abrasive diamond lapping wheels have superior qualities such as high bond strength, high stability and high machinability. The major problems encountered are wheel loading and glazing, which impedes the effectiveness of the cast-iron bonded diamond lapping wheel and, therefore, dressing should be considered. In this respect, in-process electrolytic dressing (IED) is proposed as an effective method regarding continuous protruding abrasives on the surface of wheels, whereby loading and glazing phenomena can apparently disappear. In this paper, the machining characteristics of machinable ceramic Si3N4-BN have been studied by adapting the IED lapping process in terms of the percentage of h-BN material. 相似文献
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GaN nanorods have been successfully grown on Si (111) substrates by magnetron sputtering through ammoniating Ga2O3 thin films catalyzed with Mo. The influence of the ammoniating time on the growth of GaN nanorods was analyzed, in particular,
by X-ray diffraction (XRD), X-ray photoelectron spectroscopy, Fourier transform infrared (FT-IR) spectrometer, scanning electron
microscopy (SEM), high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM), and photoluminescence (PL) spectrum. The results
demonstrate that the GaN nanorods are single crystal with hexagonal wurtzite structure, which have high crystalline quality.
The GaN nanorods after ammoniation at 1223 K (950 °C) for 20 minutes have good emission properties and the highest crystalline
quality with 100- to 200-nm diameter and several-micron length. The growth direction of these nanorods is along the orientation
of (100) crystal plane. A small red shift occurs because of the band-gap change caused by the tensile stress of the one-dimensional
GaN nanorods along the axial direction. 相似文献
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Formationcrossectionsofnucleiwith(n,2n)reactionsChenXueShi,XieKuanZhong,ZhouShengMo,YanQingQuan(ShanghaiInstituteofNucle... 相似文献