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本文主要介绍了硅中硼离子注入校准样品的制备与研究。分别用三台SIMS仪器对样品进行了深度剖析与比对,并对用作校准目的的样品主要参数进行了定值。 相似文献
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Radiation of an electric dipole located along an arbitrary direction in the presence of a chiral slab is formulated using matrix analysis in conjunction with Fourier transform techniques. Moreover, dyadic Green's function of such a structure may be determined for further investigation porpose. 相似文献
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A modified transverse resonance method is presented for analyzing generalized multilayered, multiconductor quasiplanar structures with practical parameters such as finite conductor thickness and mounting grooves. Recurrence relations are obtained by using network theory for obtaining the overall transverse equivalent network. while the discontinuity involving the finite-thickness metal sheet and mounting groove is carried out by a field-theory-based multimodal variational formulation. The frequency behaviors of propagating, evanescent, and complex modes are obtained for several commonly used quasiplanar lines, showing good agreement with published results. Furthermore, a leaky-wave study is carried out for open structures, since the open condition can be included in this formulation without difficulties 相似文献
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就用双辊铸轧机(TRC)生产薄、宽铸轧带技术进行研究并优化铸轧工艺。研究结果表明:3mm厚的铸轧带不仅表面变形.而且整个厚度内部层都发生变形,表面层的铝基中具有较高的合金元素饱和度。 相似文献
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Degradation Behaviors of Metal-Induced Laterally Crystallized n-Type Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors Under DC Bias Stresses 总被引:1,自引:0,他引:1
Min Xue Mingxiang Wang Zhen Zhu Dongli Zhang Man Wong 《Electron Devices, IEEE Transactions on》2007,54(2):225-232
Device degradation behaviors of typical-sized n-type metal-induced laterally crystallized polycrystalline silicon thin-film transistors were investigated in detail under two kinds of dc bias stresses: hot-carrier (HC) stress and self-heating (SH) stress. Under HC stress, device degradation is the consequence of HC induced defect generation locally at the drain side. Under a unified model that postulates, the establishment of a potential barrier at the drain side due to carrier transport near trap states, device degradation behavior such as asymmetric on current recovery and threshold voltage degradation can be understood. Under SH stress, a general degradation in subthreshold characteristic was observed. Device degradation is the consequence of deep state generation along the entire channel. Device degradation behaviors were compared in low Vd-stress and in high Vd-stress condition. Defect generation distribution along the channel appears to be different in two cases. In both cases of SH degradation, asymmetric on current recovery was observed. This observation, when in low Vd-stress condition, is tentatively explained by dehydrogenation (hydrogenation) effect at the drain (source) side during stress 相似文献
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硅化腐植酸钠GFN-1的研制 总被引:1,自引:0,他引:1
针对目前生产腐植酸硅化产品原料受限的缺点,在大量试验的基础上,确定了一条以腐植酸和硅化剂为主要原料的生产工艺,合成了一种与有机硅腐植酸钾(OSAM-K)性能相当的硅化腐植酸钠产品GFN-1,对其常规性能指标和在清水及无固相聚合物钻井液体系中、在膨润土浆和低固相钻井液体系中应用指标,耐温性能进行了对比实验。实验结果表明,GFN-1作为钻井液添加剂,具有良好的降滤失、降黏、耐温及热稳定性,并兼有优良的控制页岩分散能力,其大多数应用性能相当于或略优于OSAM-K,作为替代品完全能够满足油田现场应用的需要。GFN-1的硅化原料性质稳定、来源广泛,生产工艺简单易行,产品质量稳定,具有较好的推广价值。 相似文献
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