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通过测量GaAs基GaxIn1-xP/AlGaInP多量子阱的光学吸收谱 ,揭示出采用吸收谱研究该量子阱系统所遭遇的困难 ,并判明吸收谱中高频振荡干扰的来源为多光束干涉 ,从而指出消减振荡干扰的有效途径在于降低量子阱样品的有效厚度 .提出了适用于反射光谱测量的样品结构 ,并在实验中观察到激子跃迁 .通过对反射谱进行导数操作 ,达到了准确测定激子跃迁能量的目的 ,为采用反射谱法研究该量子阱系统的光学特性提供了技术基础 相似文献
104.
采用正电子湮没技术来初探氢与YBa2Cu3Oδ超导体中氧空穴和氧的作用,并运用溅射中性粒子质谱仪来检测氢在YBa2Cu3Oδ中的渗透情况,以了解YBa2Cu3Oδ中的位错,空穴等微观信息。 相似文献
105.
介绍了无电解镀镍的应用领域,研究了Ni-P镀层在各种应用环境下的耐蚀性能及在油田管路上的应用,并研究了Ni-P-PTFE镀层的性能开发及应用前景。 相似文献
106.
研究了用白光及单色光作入射光的扭曲向列相液晶显示器电光特性曲线的凸起部分,指出对于TN-LCD的电光特性曲线出现凸起现象的必然性。最后定性地分析了在商品化的TN-LCD中,将起偏偏振片的偏振方向置于与摩擦方向正交的原因。 相似文献
107.
介绍IP多路广播技术在广域网中的应用,通过描述TCP/IP协议中IP多路广播的特点和基于卫星数据网的多路广播网络结构,结合多路广播应用软件在休斯综合卫星业务图ISBN上的实现,提供了一种充分利用卫星通信独有的覆盖面广的广播优势和经济有效的传播多媒体信息的技术手段。 相似文献
108.
B. A. Orner A. Khan D. Hits F. Chen K. Roe J. Pickett X. Shao P. R. Berger J. Kolodzey R. G. Wilson 《Journal of Electronic Materials》1996,25(2):297-300
The Ge1-yCy semiconductor alloy system offers promise as a material for use in heterostructure devices based on Si as well as other materials.
We have grown Ge1-y Cy alloys by solid source molecular beam epitaxy on Si substrates. Layer thicknesses ranged from 0.01 to 3 μm, and Auger electron
spectroscopy and secondary ion mass spectrometry indicated C fractions up to 3 at. %. Optical absorption in the near-infrared
region indicated a shift in the energy bandgap from that of Ge which was attributed to the effects of alloying. The dependence
of the bandgap on composition was consistent with linear interpolations of the Ge and C conduction band minimums. We observed
a fundamental absorption edge characteristic of an indirect bandgap material. Photoluminescence spectra at 11K of thick, relaxed
layers indicated single broad peaks near the expected bandgap energy. 相似文献
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