首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   289769篇
  免费   21519篇
  国内免费   11099篇
电工技术   15404篇
技术理论   31篇
综合类   17471篇
化学工业   50215篇
金属工艺   16910篇
机械仪表   18446篇
建筑科学   22883篇
矿业工程   9530篇
能源动力   7958篇
轻工业   16673篇
水利工程   4786篇
石油天然气   20285篇
武器工业   2237篇
无线电   31503篇
一般工业技术   34455篇
冶金工业   15289篇
原子能技术   2859篇
自动化技术   35452篇
  2024年   1220篇
  2023年   4681篇
  2022年   7922篇
  2021年   11468篇
  2020年   8539篇
  2019年   7276篇
  2018年   8169篇
  2017年   9222篇
  2016年   8030篇
  2015年   11179篇
  2014年   13784篇
  2013年   16458篇
  2012年   17767篇
  2011年   19416篇
  2010年   16762篇
  2009年   15916篇
  2008年   15457篇
  2007年   15092篇
  2006年   15984篇
  2005年   14162篇
  2004年   9058篇
  2003年   7912篇
  2002年   7317篇
  2001年   6488篇
  2000年   7104篇
  1999年   8521篇
  1998年   6857篇
  1997年   5829篇
  1996年   5461篇
  1995年   4519篇
  1994年   3769篇
  1993年   2636篇
  1992年   2141篇
  1991年   1607篇
  1990年   1175篇
  1989年   934篇
  1988年   760篇
  1987年   523篇
  1986年   389篇
  1985年   265篇
  1984年   183篇
  1983年   120篇
  1982年   130篇
  1981年   86篇
  1980年   71篇
  1979年   24篇
  1978年   2篇
  1965年   2篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
71.
将薄膜电容真空计的测量室接于被测密闭容器,静态真空室接于一个比较容器,即组成一台压差式漏率测试仪。首先使两容器压力平衡,真空计读数为零。当被测容器存在漏孔时,真空计薄膜两侧形成压差,真空计指示读数,继而计算出该容器的漏率。应用商品真空计在抽真空测试时,检测的最小可测漏率达10-4~10-5Pa·L/s;而在充压测试时,因受气体温度变化的影响,灵敏度会降低几个量级。该仪器有可能具备寻找漏孔位置和确定漏孔漏率的功能。  相似文献   
72.
Carboxyl-terminated butadiene-acrylonitrile-rubber decreases modulus and yield stress of the studied epoxy but increases fracture toughness. The addition of glass bead compensates for the loss in modulus but has little effect on yield stress. However, it significantly contributes to the fracture toughness by providing additional mechanisms for toughening of both the unmodified and rubber-modified epoxy. For the toughened epoxies studied, fracture surfaces gave only limited information on fracture mechanisms since significant energy absorption also occurs in the material below the fracture surface. Suggestions for suitable material compositions for fiber composite matrices are given.  相似文献   
73.
场顺序彩色显示器   总被引:2,自引:2,他引:0  
荫罩CRT受自身结构的限制,要进一步改进其分辨率就有很大的困难。近年已研制成一种获得彩色图像的颇有吸引力的替代品,即场顺序彩色显示器。它由单色CRT和液晶电子色闸组成,称之为LC/CRT系统。液晶电子色闸由液晶π盒及其连用的偏振片组成,可看成是老式机械彩色轮那样的一种电控色带带通滤色片。本文描述了液晶电子色闸的功能及其工作优点,讨论了其可能结构与显示特性。  相似文献   
74.
75.
介绍PIMS在企业生产经营中的应用 ,运用PIMS可对炼油化工企业进行原油采购决策、加工保本点预算、效益预测、物流分配、整体流程优化、投资分析、瓶颈制约因素探讨、原料和产品库存管理、经济活动分析等 ,并结合生产装置特点和市场环境影响因素 ,获取最大生产经营效益。根据影子价格 ,找出提高效益的潜力 ,确定产品、中间产品或半成品合理价格 ,规范关联交易 ,增强企业市场应变能力 ,提高经济效益与管理水平。  相似文献   
76.
Bimolecular hydrogen transfer and skeletal isomerization the important secondary reac-tions among catalytic cracking reactions,which affect product yield distribution and product quality,Catalyst properties and operating parameters have great impact on bimolecular hydrogen transfer and skeletal isomerization reactions .Bimolecular hydrogen transfer activity and skeletal isomrization activity of USY-containing catalysts are higher thn that of ZSM-5-containing catalyst.Coke deposition on the active sites of catalyst may suppress bimolecular hydrogen transfer activity and skeletal isomer-ization activity of catlys in different degrees.Short raction time causes a decrease of hydrogen trans-fer reaction,but and increase of skeletal isomerization reaction compared to cracking reaction in catalytic cracking process.  相似文献   
77.
78.
本文对各种运输方式易腐货物的运价进行了比较分析,对铁路冷藏运输的现行运价和保本运价进行了讨论,提出了铁路冷藏运输运价改革的若干建议,可供铁路进行冷藏运输改革参考。  相似文献   
79.
宽带无源光网络(BPON)关键技术的发展与研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
宽带无源光网络(BPON)是实现宽带、多业务接入的理想物理平台,本文介绍了BPON网络的发展,重点讨论了将ATM技术和PON技术相结合的APON系统及其升级系统SuperPON的基本结构和关键技术,对最近兴起的将以太技术和PON技术相结合的EPON系统的基本概念和工作原理也进行了阐述,并对未来BPON技术的发展进行了展望。  相似文献   
80.
Pre-metal-deposition reactive ion etching (RIE) was performed on an Al0.3Ga0.7N/AlN/GaN heterostructure in order to improve the metal-to-semiconductor contact resistance. An optimum AlGaN thickness for minimizing contact resistance was determined. An initial decrease in contact resistance with etching time was explained in terms of removal of an oxide surface layer and/or by an increase in tunnelling current with the decrease of the AlGaN thickness. The presence of a dissimilar surface layer was confirmed by an initial nonuniform etch depth rate. An increase in contact resistance for deeper etches was experienced. The increase was related to depletion of the two-dimensional (2-D) electron gas (2-DEG) under the ohmics. Etch depths were measured by atomic force microscopy (AFM). The contact resistance decreased from about 0.45 Ωmm for unetched ohmics to a minimum of 0.27 Ωmm for 70 Å etched ohmics. The initial thickness of the AlGaN layer was 250 Å. The decrease in contact resistance, without excessive complications on device processing, supports RIE etching as a viable solution to improve ohmic contact resistance in AlGaN/GaN HEMTs  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号