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31.
根据IETF SIPPING工作组提出的集中式会议模型,设计并实现了基于SIP的视频会议系统。该系统各部分可分别设计,具有良好的可扩展性。详细介绍了此系统的结构和工作原理。  相似文献   
32.
在全IP体系下,无缝连接将保证用户在跨越同构和异构网络时业务体验的连续性和一致性.无缝连接包括无缝切换和协同两方面内容,需要情景管理、公共无线资源管理、媒体转换以及网络协同等功能实体,从终端的角度看,无缝连接需要基于配置文件、情景和应用自动完成连接的建立、更新和修改.以UMA为例说明了无缝连接的应用和价值.  相似文献   
33.
安全加密产品的领导者SafeNet 公司,近日发布了新一代世界级高安全加密锁产品——圣天狗,以确保软件开发商的知识产权不被非法盗用。圣天狗(Sentinel Dog)是第一个也是唯一一个在市场上采用公钥技术、AES加密和内部验证机制的保护锁。它在提供超强安全加密性能的同时具有弹性化的授权模式。  相似文献   
34.
张盈唐 《信息网络》2004,(2):29-30,35
1987年前,除个别成员国在推动电信改革外。欧盟没有共同的电信政策,更没有形成统一的电信市场。欧盟的电信改革始于1987年。先后经历了三个阶段,第一阶段:公布《开发电信服务和设备的共同市场》绿皮书,开放终端设备和增值服务市场。实行电信业的管理与经营分离。保留对语音电话服务  相似文献   
35.
简要介绍了通用串行总线USB的特点,对USB接口芯片USBN9602的内部结构、引脚、寄存器组作了详细的论述,并介绍了其应用。  相似文献   
36.
A simple template‐free high‐temperature evaporation method was developed for the growth of crystalline Si microtubes for the first time. As‐grown Si microtubes were characterized using X‐ray diffraction, scanning electron microscopy, transmission electron microscopy, and room‐temperature photoluminescence. The lengths of the Si tubes can reach several hundreds of micrometers; some of them have lengths on the order of millimeters. Each tube has a uniform outer diameter along its entire length, and the typical outer diameter is ≈ 2–3 μm. Most of the tubes have a wall thickness of ≈ 400–500 nm, though a considerable number of them exhibit a very thin wall thickness of ≈ 50 nm. Room‐temperature photoluminescence measurement shows the as‐synthesized Si microtubes have two strong emission peaks centered at ≈ 589 nm and ≈ 617 nm and a weak emission peak centered at ≈ 455 nm. A possible mechanism for the formation of these Si tubes is proposed. We believe that the present discovery of the crystalline Si microtubes will promote further experimental studies on their physical properties and smart applications.  相似文献   
37.
38.
WCDMA无线网络有关覆盖问题的分析   总被引:3,自引:1,他引:2  
本文对WCDMA无线网络有关覆盖问题进行了分析,特别是对比现场试验测试结果,说明了规划设计WCDMA无线网络与GSM的不同及其特点,希望对基站站址的初始布局具有一定的参考意义.  相似文献   
39.
研究连续波雷达测距中的距离模糊问题,分析几种常用解模糊方法的性能,并讨论参差比的选取对测距范围的影响。  相似文献   
40.
For the first time, we successfully fabricated and demonstrated high performance metal-insulator-metal (MIM) capacitors with HfO/sub 2/-Al/sub 2/O/sub 3/ laminate dielectric using atomic layer deposition (ALD) technique. Our data indicates that the laminate MIM capacitor can provide high capacitance density of 12.8 fF//spl mu/m/sup 2/ from 10 kHz up to 20 GHz, very low leakage current of 3.2 /spl times/ 10/sup -8/ A/cm/sup 2/ at 3.3 V, small linear voltage coefficient of capacitance of 240 ppm/V together with quadratic one of 1830 ppm/V/sup 2/, temperature coefficient of capacitance of 182 ppm//spl deg/C, and high breakdown field of /spl sim/6 MV/cm as well as promising reliability. As a result, the HfO/sub 2/-Al/sub 2/O/sub 3/ laminate is a very promising candidate for next generation MIM capacitor for radio frequency and mixed signal integrated circuit applications.  相似文献   
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