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介绍PIMS在企业生产经营中的应用 ,运用PIMS可对炼油化工企业进行原油采购决策、加工保本点预算、效益预测、物流分配、整体流程优化、投资分析、瓶颈制约因素探讨、原料和产品库存管理、经济活动分析等 ,并结合生产装置特点和市场环境影响因素 ,获取最大生产经营效益。根据影子价格 ,找出提高效益的潜力 ,确定产品、中间产品或半成品合理价格 ,规范关联交易 ,增强企业市场应变能力 ,提高经济效益与管理水平。 相似文献
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Bimolecular hydrogen transfer and skeletal isomerization the important secondary reac-tions among catalytic cracking reactions,which affect product yield distribution and product quality,Catalyst properties and operating parameters have great impact on bimolecular hydrogen transfer and skeletal isomerization reactions .Bimolecular hydrogen transfer activity and skeletal isomrization activity of USY-containing catalysts are higher thn that of ZSM-5-containing catalyst.Coke deposition on the active sites of catalyst may suppress bimolecular hydrogen transfer activity and skeletal isomer-ization activity of catlys in different degrees.Short raction time causes a decrease of hydrogen trans-fer reaction,but and increase of skeletal isomerization reaction compared to cracking reaction in catalytic cracking process. 相似文献
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本文对各种运输方式易腐货物的运价进行了比较分析,对铁路冷藏运输的现行运价和保本运价进行了讨论,提出了铁路冷藏运输运价改革的若干建议,可供铁路进行冷藏运输改革参考。 相似文献
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Buttari D. Chini A. Meneghesso G. Zanoni E. Moran B. Heikman S. Zhang N.Q. Shen L. Coffie R. DenBaars S.P. Mishra U.K. 《Electron Device Letters, IEEE》2002,23(2):76-78
Pre-metal-deposition reactive ion etching (RIE) was performed on an Al0.3Ga0.7N/AlN/GaN heterostructure in order to improve the metal-to-semiconductor contact resistance. An optimum AlGaN thickness for minimizing contact resistance was determined. An initial decrease in contact resistance with etching time was explained in terms of removal of an oxide surface layer and/or by an increase in tunnelling current with the decrease of the AlGaN thickness. The presence of a dissimilar surface layer was confirmed by an initial nonuniform etch depth rate. An increase in contact resistance for deeper etches was experienced. The increase was related to depletion of the two-dimensional (2-D) electron gas (2-DEG) under the ohmics. Etch depths were measured by atomic force microscopy (AFM). The contact resistance decreased from about 0.45 Ωmm for unetched ohmics to a minimum of 0.27 Ωmm for 70 Å etched ohmics. The initial thickness of the AlGaN layer was 250 Å. The decrease in contact resistance, without excessive complications on device processing, supports RIE etching as a viable solution to improve ohmic contact resistance in AlGaN/GaN HEMTs 相似文献
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根据我院专用测试设备计量确认现状及需求,对开展试飞专用测试设备计量确认工作的要求,步骤、确认原则,以及编定计量确认方法进行了必要的讨论分析。 相似文献
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Development of the Chinese Scientometric Indicators (CSI) 总被引:1,自引:0,他引:1
We describe the Chinese Scientometric Indicators (CSI), an indicator database derived from the Chinese Science Citation Database (CSCD). Its design is supported by the Natural Sciences Foundation of China (NSFC). In this indicator database data of a statistical nature are organized and categorized leading to ranked lists and providing bases for comparisons among Chinese institutions and regions. 相似文献