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991.
周朋  温涛  邢伟荣  刘铭 《红外》2019,40(11):7-12
nBn型红外探测器可有效抑制产生-复合电流,进而提高探测器的工作温度。由于制备工艺可移植于III/V族成熟工艺以及存在晶格完全匹配的衬底等优势,InAsSb/AlAsSb材料是nBn型红外探测器的首选。简单介绍了InAsSb/AlAsSb nBn型红外探测器的研究现状、工作原理以及近期的研究成果。通过生长试验实现了良好的材料表面质量、晶体质量和光学性能。相关结果表明,在制备器件时,nBn结构中势垒层的掺杂浓度不应低于8×1016cm-3,否则就不利于减小nBn型器件的暗电流。  相似文献   
992.
Network coding is a powerful coding technique that has been proved to be very effective in achieving the maximum multicast capacity. It is especially suited for new emerging networks such as ad-hoc and sensor networks. In this paper, we develop a distributed rate control algorithm for multicast session in ad hoc networks. With random network coding, the algorithm can be implemented in a distributed manner, and work at transport layer to adjust source rates and at network layer to carry out network coding. The scheduling element of our algorithm is a dynamic scheduling policy. The stability of the resulted system is established, and simulation results are provided to support our conclusions.  相似文献   
993.
Dielectric ceramics based on the solid solution (1 − x)Bi0.5Na0.5TiO3 (BNT)-xCaTiO3 (CT) were synthesized by the conventional solid-state route. BNT with various contents of CT formed a complete solid solution and exhibited a rhombohedral structure. CT in this solid solution with BNT was observed to decrease the dielectric constant at higher temperatures and raise the dielectric constant at lower temperatures. On the other hand, decreased ferroelectricity was observed with increasing CT concentration, resulting in a downward shift of the depolarization temperature and a decrease of the dissipation factor. With the addition of Mn2+ to 0.86BNT-0.14CT, the temperature characteristics of capacitance were improved (−55°C to 250°C, ΔC/C 25°C ≤ ±15%). By doping with 1.5 wt.% Mn2+, the dielectric constant at room temperature reached over 900, with a dielectric loss of less than 1%.  相似文献   
994.
非圆信号阵列测向的研究概况   总被引:3,自引:0,他引:3  
阵列测向的理论与技术已日臻完善,近期研究主要集中在算法实用化以及利用信号的特殊性质等方面。BPSK等信号具有非圆特性,MSK等信号经过一定预处理也具有非圆特性,利用信号非圆特性的阵列测向问题逐渐成为一个研究热点。文章介绍了非圆信号的定义与分类,综述了非圆信号测向的现状,包括各种非圆信号测向算法及其性能分析,以及非圆信号信源个数估计等其它问题,并对其发展方向进行了预测。  相似文献   
995.
本文介绍机电结合的检验装置在汽车零件遮阳板总成撕开力的检测方面的首次应用实例,以提高检具工装的技术水平.  相似文献   
996.
本文从电磁辐射对人体影响的角度分析了移动通信系统的传输特性,论证了在电磁辐射约束的条件下.单用户的上行链路相对于单用户的下行链路更容易达到传输能力饱和.随着上下行链路传输能力的增长.系统将会越来越表现出单用户的上行容量受限,而单用户的下行链路却拥有更大的传输速率余量和更大的发射功率余量,单用户的上下行链路具有显著的非对称传输特性,并在此基础上探讨了提高上行链路传输容量的方法.  相似文献   
997.
It is a great challenge to effectively manage automated manufacturing systems in which automated guided vehicles (AGVs) are adopted to handle materials, because of such features as prior unknown AGV requests and changing AGV initial positions. This paper aims to find the shortest time routes, while both deadlock and blocking in AGV systems are avoided. It first finds the shortest routes based on a guide path layout, and then performs rerouting, whenever necessary, to avoid deadlock and blocking according to a deadlock avoidance policy, previously developed by the authors. The proposed approach can offer better solutions than existing methods. For some cases, it can find a solution, while the existing ones cannot  相似文献   
998.
A CMOS operational amplifier that has a common-mode rejection ratio (CMRR), a power-supply rejection ratio (PSRR), and gain above 100 dB for each of these parameters is described. This is achieved by combining a high output-impedance tail current source with a stable drain-source voltage of the input transistors. The common-mode input signal range includes the negative rail. This is obtained by controlling the bulk bias of the input and cascoding transistors. The amplifier consists of two gain stages connected via cascoded current mirrors. The gain is improved by using gain boost in the current mirrors, and by the suppression of impact ionization current in the output stage  相似文献   
999.
使用分子束外延方法,采用In束流保护下的调制中断生长技术,在(0001)蓝宝石衬底上生长GaN薄膜.利用反射式高能电子衍射(RHEED)对生长进行实时监控,并用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和X射线衍射(XRD)法对GaN外延薄膜的表面形貌和晶体质量进行分析.实验结果表明:采用该技术生长的Ga极性GaN外延薄膜中的晶体表面残留Ga滴密度大大降低,GaN外延薄膜的表面形貌得到改善,其均方根粗糙度(RMS)由3nm降低为0.6nm,同时XRD双晶摇摆曲线测试的结果表明,GaN外延层的晶格质量也得到改善.  相似文献   
1000.
采用分子束外延技术在GaAs(110)衬底上制备了一系列生长温度和As2/Ga束流等效压强比不同的样品,通过室温光致发光谱、高分辨X射线衍射仪和低温光致发光谱对这些样品进行了分析,找到了在GaAs(110)衬底上生长高质量高Al组分的Al0.4Ga0.6As生长条件.  相似文献   
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