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993.
994.
用常压烧结方法,在1200℃-1350℃烧结不同含B量的掺硼氧化锌(ZBO)靶材。研究了掺杂量、烧结温度对ZBO靶材微观结构的影响。实验表明,随着烧结温度的增加。ZBO陶瓷的晶粒大小和密度逐渐增大。指出了由于B2O3的挥发,造成ZBO靶材的剩余含B量与掺B量的不符,要获得含定量B的ZBO就必须掺入大约2倍所需量的B2O3。 相似文献
995.
D. Zhuang Z. G. Herro R. Schlesser B. Raghothamachar M. Dudley Z. Sitar 《Journal of Electronic Materials》2006,35(7):1513-1517
Seeded growth of AlN single crystals was demonstrated in an induction-heated, high-temperature reactor via a physical vapor
transport (PVT) process. AlN seeds were prepared from a self-seeded boule containing large single-crystalline grains. Seeded
growth was interrupted several times in order to refill the AlN powder source, and a dedicated process scheme was used to
ensure epitaxial growth on the seed surface, after prior exposure to air. The growth temperatures were in the range of 2200–2300°C,
and the reactor pressure was in the range of 500–900 torr of UHP-grade nitrogen during each growth run. Under these growth
conditions, a seed (10 mm diameter) expanded at an angle of 45°, and a larger single crystal up to 18 mm in diameter was obtained.
The as-grown surface had three facets, of which facet (1120) was smooth and featureless while the other two, (4150) and (2570),
showed serrated morphologies. The double-crystal x-ray rocking curve and glow discharge mass spectroscopy analysis confirmed
that the grown crystal was of high crystalline quality with low impurity incorporation. 相似文献
996.
997.
998.
本文介绍了降温水循环泵恒压供水变频改造的特点及变频控制系统与DCS控制应用于降温水循环泵变频调速控制的基本情况。 相似文献
999.
1200V MR D-RESURF LDMOS与BCD兼容工艺研究 总被引:1,自引:0,他引:1
提出具有p埋层的1200V多区双RESURF(MR D-RESURF) LDMOS, 在单RESURF(S-RESURF)结构的n漂移区表面引入多个p掺杂区,并在源区下引入p埋层,二者的附加场调制器件原来的场,以改善其场分布;同时由于电荷补偿,提高了漂移区n型杂质的浓度,降低了导通电阻.开发1200V高压BCD(BJT,CMOS,DMOS)兼容工艺,在标准CMOS工艺的基础上增加pn结对通隔离,用于形成DMOS器件D-RESURF的p-top注入两步工序,实现了BJT,CMOS与高压DMOS器件的单片集成.应用此工艺研制出一种BCD单片集成的功率半桥驱动电路,其中LDMOS,nMOS,pMOS,npn的耐压分别为1210,43.8,-27和76V.结果表明,此兼容工艺适用于高压领域的电路设计中. 相似文献
1000.
The effect of rare earth element Ce on mechanical performance and electrical conductivity of aluminum rod for electrical purpose were studied under industrial production condition. Using optical microscope, SEM, TEM, EDS and X-ray diffractometer, the microstructure and phase composition of aluminum rod were measured and analyzed. The results indicate that the content of rare earth element Ce is between 0.05%~0.16% in the aluminum rod for electrical purpose. Its tensile strength is enhanced to some extent. The research also discovers that the tensile strength is enhanced remarkably with impurity element Si content increases. Because influence of Si is big to the conductivity, the Si content should be controlled continuously strictly in the aluminum for electrical purpose. Adding rare earth element Ce reduces the solid solubility of Si in the aluminum matrix, and the negative effect of Si on the aluminum conductor reduces effectively. So the limit of in Si content in aluminum rod for electrical purpose can be relaxed moderately. 相似文献