透明氟氧化物玻璃陶瓷

氟氧化物玻璃陶瓷中,氟化物微晶被氧化物包围,稀土离子掺杂在氟化物微晶中。它具有较低的声子能量,较好的上转换发光强度,机械性能也比氟化物强。在适当热处理下,微晶处在nm数量级,氟化物仍能保持很高的透明度,从而在上转换设备、三维显示等方面有很好的应用前景。本文主要介绍了该材料的研究进展、机理及前景。     

Cd1—yZnyTe晶片Te夹杂的观察

本文观察了Cd0.96Zn0.04Te晶片的8层红外透射分层域聚焦显微像,分析了各个层域的Te夹杂情况及Te夹杂密度,指出了找到CdZnTe较小夹杂密度层域面并用之来做外延HgCdTe衬底表面的方法。     

密集型色散管理模式中DM孤子传输特性分析

本文以经典色散管理孤子的传输特性为参照,研究了单信道40Gbit/s密集型色散管理系统内色散管理孤子的诸多传输特性,证实了密集型色散管理模式相对于经典色散管理模式的优势所在,同时给出了系统最佳传输性能与入射功率、分段数、以及脉冲初始宽度等因素的数值关系。     

有机半导体电注入激光器

有机半导体激光器实现了从光泵浦到电泵浦。回顾了有机半导体激光器从光泵浦到电流入的发展过程。概述了有机半导体材料产生激光的特性,介绍了贝尔实验室第一个有机固态电注入型激光器的工作原理,提出了在器件结构上的一些新设想。     

基于非线性AgGaSe2晶体的光纤 SO2传感器

根据SO2气体的吸收光谱,选择波长为1268nm的单极性半导体激光器和波长为1083nm的分布反馈式半导体激光器,经光纤耦合作为泵浦光并通过周期性极化的AgGaSe2晶体叠加,产生对SO2具有强吸收的7.4μm连续差频光,研制出一种光纤传感器,实现了对二氧化硫气体的检测.该传感器具有检测灵敏度高、稳定性好、结构简单及可在线测量等特点.实验结果表明,这种传感器的检测灵敏度为7.5×10-4.     

针孔缺陷对集成电路功能成品率影响分析与仿真

对集成电路针孔缺陷引起功能成品率下降的模型进行了研究 ,给出了分析和仿真针孔功能成品率的两种计算方法—— Monte- Carlo方法和关键面积提取方法 ,这对集成电路成品率设计和分析是非常重要的     

硅基SiO_2光波导

在硅基上通过氢氧焰淀积的 Si O2 ,厚度达到了 2 0 μm;通过掺 Ge增加芯层的折射率 ,折射率比小于 1% ,并可调 ;用反应离子刻蚀工艺对波导的芯层进行刻蚀 ,刻蚀深度为 6 μm,刻蚀深宽比大于 10 ;波导传输损耗小于0 .6 d B/ cm(λ=1.5 5 μm) ,并对波导的损耗机理和测试进行了分析与研究 .另外 ,为实现光纤与波导的耦合 ,结合微电子机械系统技术 ,在波导基片上制作了光纤对准 V形槽     

掺杂对二维SiC材料光电性质的影响

利用第一性原理赝势平面波方法计算了Si-C邻 近元素(B、N、Al、P)掺杂二维SiC的几何结构、 电子结构和光学性质。结果表明:掺杂后的二维SiC晶格常数(a、b)、键长及角度均发生了明显变化;同时, 在禁带中引入了杂质能级,导带和价带均向低能方向发生了明显的移动,带隙发生变化,费 米能级附近引入了 杂质的2p及3p态电子。光学性质的计算表明:在低能端B、N、Al掺杂使二维SiC吸收电磁波 的能力明显增 强;静态介电常数增大而能量损失峰降低。以上结果说明可以根据需要利用B、N、Al、P掺 杂来调制二维SiC材料的光电性质。     

基于标签的光突发交换网络

先进的OBS(optical burst switching)技术和MPLS的强大控制能力结合产生了一种灵活紧凑的IP/DWDM集成模型LOBS.(labeled optical burst switching).它充分发挥了电子处理的高智能和光子交换的大容量优势,是未来数据网络的理想光交换方案.文中从OBS技术的优越性开始,分析了LOBS实现的网络结构和控制协议,探讨了LOBS流量工程和网络生存性.     

940nm高功率激光二极管及线阵

设计并制作出了940 nm无铝有源区高功率激光二极管和激光条.通过MOCVD法生长出应变量子阱材料,器件显示出极好的性能,100μm条宽的激光二极管最大输出功率达800mW(室温),填充因子为17%的激光二极管条发射功率达32 W.