VO2(B)热转化为VO2(R)和V2O3的高温XRD原位表征

以草酸和V2O5为原料,采用水热法制备VO2(B)。通过高温原位X射线衍射技术研究VO2(B)在氮气保护下升高温度过程中的相变特性,采用X射线衍射仪(XRD)和场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)分析所制备样品及其在不同温度热相变产物的微观形貌和物相组成。结果表明：以草酸和V2O5为原料,用水热法可制得单斜晶系VO2(B),颗粒呈纳米片状;升温至430~700℃,VO2(B)不可逆转化为四方晶系VO2(R),形貌由纳米片状变为亚微米及微米近球形;升温至1000℃左右,VO2(R)开始分解形成Magn閘i相系列化合物（VnO2n?1）;升温至大约1200℃完全转变为具有刚玉结构的V2O3烧结块。     

含铒铝合金TIG焊与激光焊接头组织与性能的对比研究

对含Er5083铝合金冷轧板进行了TIG焊与激光焊接,对两种焊接接头进行了显微硬度测试和力学性能测试,并对各区域的微观组织进行对比观察,探讨了稀土Er对焊缝及热影响区组织与性能的影响。结果表明,激光焊接头的抗拉强度平均值为母材抗拉强度值的82.4%;TIG焊接头的抗拉强度平均值为母材抗拉强度值的77.1%。两种焊接接头的力学性能最差的位置分别是：TIG焊为熔合区,激光焊为焊缝中心处。在TIG焊接头主要的强化机制是细晶强化,析出相强化以及由Al3(Er, Zr)带来的热循环软化抗力的增加。激光焊焊接接头的主要强化机制是细晶强化。     

磷矿中伴生重稀土的提取

研究了磷矿中伴生重稀土的硝酸浸出与萃取。考察了温度、硝酸浓度、时间、液固比等因素对重稀土浸出率的影响。重稀土浸出的适宜条件为:45%HNO3、60℃、液固比2.5、浸出时间90min,此条件下重稀土浸出率达99%、萃取率98.5%、总回收率可达97.5%,磷矿的分解率均大于98%。     

基于嵌入式PC104总线的智能四串口通讯模块的设计

提出了一种利用嵌入式微处理器设计的智能四串口通讯模块.主、从CPU协调控制信息传输, 由从CPU负责串口的接收和发送,使主CPU的通讯任务占用很小的系统资源,并使用CPLD技术及高速串口集成芯片.说明该串口通讯扩展模块具有智能可编程、实时并行的特点,能够满足实际工业控制对象的的需求.     

可见光下发绿光的聚苯乙烯/CdTe复合材料的制备及光学性能研究

首先合成了带正电荷的十二烷基二甲基乙烯基卞基氯化铵,通过静电作用将其与用巯基丙酸修饰的带负电荷的CdTe纳米量子点结合,得到包覆有CdTe量子点的可聚合性的单体,将其与苯乙烯本体共聚后得到可见光下可发绿光的聚苯乙烯（PS）/CdTe复合材料。采用红外光谱、扫描电子显微镜、透射电子显微镜表征其结构,并用紫外-可见光吸收光谱、荧光光谱测试其光学性能。结果表明,在紫外到可见光区域（380~480 nm）激发下,该复合材料均可发出绿光,当包覆有CdTe纳米量子点的可聚合性的单体的含量为1.2 %（质量分数,下同）时,材料的荧光量子效率可达到9.6 %。     

镁合金微弧氧化膜的制备工艺研究

为获得所要求厚度的镁合金微弧氧化膜,研究了镁合金制备工艺.采用正交设计法优化实验方案,运用综合平衡法对每个方案下制备的氧化膜的厚度和膜层的硬度进行了分析.确定了各因素对氧化膜的影响程度,并优先被弧氧化工艺配方,确定了最佳工艺条件,并对最佳工艺条件下制备的氧化膜的微观形貌、结构、硬度以及耐腐蚀性进行了研究.结果表明:最佳工艺配方是NaOH100g/L,铝盐40g/L,氧化电压为45 V,电解液温度35℃;氧化膜主要由致密的阻挡层和多孔的疏松层构成,其主要成分是MgAl2O4 和少量的MgO、Al2O3,经微弧氧化后其硬度和耐腐蚀性较镁合金基体有很大提高.     

BaTiO_3晶体光折变效应振荡器和机理研究

在薄片 Ce:Ba Ti O3晶体和体块 Rh:Ba Ti O3晶体实现了光折变效应振荡器。利用前向二波耦合和相向二波耦合理论建立了光折变效应准线性 F- P腔模型 ,并从实验结果上进行了验证和分析 ,同时分析了光振荡现象对 Ba Ti O3晶体的受激光折变散射自泵浦相位共轭的影响     

上游法尾矿库调洪演算

本文针对正在运行的尾矿库进行调洪演算,从调洪演算的解算步骤开始,梳理尾矿库调洪演算的关键步骤,并结合尾矿库的工艺特点,解决了尾矿库汛期每一阶段运行尾矿库的静态调洪计算,通过已建尾矿库的调洪演算实例,验证了已建设尾矿库的排洪设施满足尾矿库洪水调节的要求,对实时了解尾矿库调洪库容确保尾矿库安全具有重要意义。     

弧焊电源电工参数检测的研究

采用传统的电工测量工具对非正弦电压测量会造成一定的误差。为了准确测量弧焊电源的电压、电流等电工参数并分析其频域特性，开发了一套交、直流电源多功能检测仪器。讨论了测量的原理、方法，并介绍了测量过程中出现的一些问题及其解决方案。     

用FPGA实现OLED灰度级显示

根据有机发光二极管 (OL ED)器件的发光特性 ,分析了 OL ED器件实现灰度级显示的机理 ,比较了 OL ED显示屏各种控制电路的问题 ,提出基于子场技术的设计方案。利用现场可编程门阵列 (FPGA)设计控制电路 ,实现单色 OL ED的灰度级显示。分别对 32 0× 2 4 0和 6 4 0× 4 80的 OL ED屏 ,对实现 16级灰度的设计方案进行仿真 ,得到各个控制信号的时序图 ,并对此仿真结果进行了分析。结果表明 ,FP-GA设计实现的控制电路 ,能够实现 OL ED所要求的灰度级显示。该控制电路可用于无源或有源选址的OL ED显示。