一种2．048Mb／s信号异步映射器的设计与实现

文章根据SDH帧结构的特点,提出用固定码速调整和随机码速调整相结合的方法设计2．048Ｍb/s支路信号异步映射电路。同时,数据缓冲存储器电路选用具有自指针功能的ＦＩＦＯ电路,使得映射器电路结构简单、规模小、性能好。这种电路非常适合于大规模集成。     

机载火控雷达指令制导编码调制器的性能优化

描述了机载火控雷达指令制导编码调制器的设计方案和工作原对关键的性能指标进行了分析,给出了优化方案及所达到的性能指标.     

基于CPLD技术的雷达光栅扫描坐标变换器的设计与实现

雷达光栅扫描坐标变换器是雷达光栅扫描显示系统的关键部件.本文以Altera公司的FLEX10K系列CPLD为例,介绍了可编程逻辑器件的内部结构和性能特点.提出了一种基于CPLD技术的雷达光栅扫描坐标变换器,并介绍了其CPLD实现的过程及结果.     

化学沉积Ni—Cu—P合金镀层生长过程的原子力显微镜观察

用原子力显微镜（AFM）,对化学沉积Ni-Cu-P合金薄膜的表面形貌进行了观察,对多元化学沉积的机理进行了初步的研究。     

高性参掺铒光纤放大器的优化研究

根据二能级近似的Giles模型,计算了对于给定泵浦功率的最佳掺铒光纤长度,实验研究了掺铒光纤长度对于放大器增益谱形状的影响,通过进一步优化掺铒光纤长度获得了高增益,低噪声指数和宽带平坦增益谱的高性能放大器,并针对在DWDM和长距离多级联放大器系统中的应用提出了改进方案。     

脉冲ArF准分子激光淀积SiC/Si(100)薄膜的最佳晶化温度及光致发光

用脉冲 Ar F准分子激光熔蚀 Si C陶瓷靶 ,在 80 0℃ Si(10 0 )衬底上淀积 Si C薄膜 ,经不同温度真空 (10 - 3Pa)退火后 ,用 FTIR、XRD、TEM、XPS、PL 谱等分析方法 ,研究了薄膜最佳晶化温度及表面形态、结构、组成 ,并对在最佳退火温度处理后的样品进行了化学态、微结构及光致发光的研究 .结果表明 ,在 Si(10 0 )上 80 0℃淀积的样品为非晶Si C薄膜 .经 85 0— 10 5 0℃不同温度真空退火后 ,Si C薄膜经非晶核化 -长大过程 ,在 980℃完成最佳晶化 .随退火温度的变化 ,薄膜中可能存在 3C- Si C与 6 H- Si C的竞争生长或 /和 3C- Si C相的长、消 (最佳温度     

激光微束细胞操作系统

提出构建一种用于生物细胞操作的激光微束系统.即由Nd:YAG激光经物镜聚焦形成的光刀和He-Ne激光器经物镜聚焦形成的光镊组成的激光微束系统,进行了总体设计、关键部件设计和选择.在构建的激光微束操作实验系统上实现了非接触细胞操作,验证了光镊的力学效应.采用Nd:YAG经显微物镜会聚形成光刀可以对细胞或细胞器进行打孔或切割染色体.     

Investigation on the Gain of Multi—wavelength Pumping Broadband Raman Amplifier

The Stokes spectrum in the stimulated Raman scattering(SRS)is very complicated.In this article,we use both Gaussian and Lorentz approximation to investigate the gain properties of multi-pumping broadband Raman amplifier,and present some schemes for flattening the gain.All the results show that the flatness of the gain spectrum is closely related to the pumping frequency grid.By researching the gain properties of Raman amplifiers of such ITU-T fibers as G.652,G.653,G.655 and large effective area non-zero dispersion flattening fiber,we find that the Raman gain is associated with the fiber type and its transmission characteristics,especially it decreases with the increase of the effective core area.     

聚合物9×9阵列波导光栅复用器的工艺研究

首次采用铝掩模工艺制备出9×9硅基聚合物阵列波导光栅(AWG)复用器.结果表明,在AWG器件制作工艺上,铝掩模技术明显优于厚胶掩模技术.用这种技术制备的器件,其结构指标与理论设计相符合.     

940nm高功率激光二极管及线阵

设计并制作出了940 nm无铝有源区高功率激光二极管和激光条.通过MOCVD法生长出应变量子阱材料,器件显示出极好的性能,100μm条宽的激光二极管最大输出功率达800mW(室温),填充因子为17%的激光二极管条发射功率达32 W.