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41.
李艳红 《电视技术》2014,38(3):133-136
针对单载波频域均衡超宽带无线通信系统信道估计中存在的窄带干扰问题,提出了一种基于小波模极大值动态阈值的信道估计方法。该方法在信道最小二乘估计的基础之上进行小波模极大值动态阈值(WMMDT)计算,检测到窄带干扰的位置,然后通过插值法恢复干扰处信道频响。仿真结果表明,在极度频选室内CM4信道模型下,所提出方法较传统方法信道估计性能得到明显改善且复杂度增加不多。  相似文献   
42.
稳定的简单结构被动调Q单脉冲单纵模激光器   总被引:3,自引:1,他引:3  
以激光二极管(LD)环形阵列侧面抽运Nd:YLF棒高增益放大器模块为基础,在经典的平凹驻波腔中加人一片Cr^4 :YAG晶体作为被动Q开关,利用被动Q开关本身所具有的振荡选模功能以及两端不镀膜的Nd:YLF棒所具有的标准具效应,简便地实现了稳定的单脉冲、单纵模调Q输出。振荡器输出脉冲平均宽度为9.3ns,脉冲宽度稳定性达到8%(RMS);输出脉冲平均能量为1.218mJ;单脉冲能量稳定度优于3%(RMS),对应峰值功率达到O.13MW。同时该振荡器长时间工作过程中单纵模输出几率始终优于99%,这种单纵模振荡器结构简单,性能稳定可靠,适合于实际应用以及产品化。  相似文献   
43.
奇偶交错空分滤波器   总被引:6,自引:1,他引:6  
本文扼要介绍了空分奇偶交错滤波器(Interleaver)的产生背景和基本原理,并着重综述了晶体型、迈克尔逊干涉仪+G-T干涉仪型(MGTI)和全光纤非平衡Mach-Zehnder(M-Z)干涉仪型interleaver的原理、特点及应用。  相似文献   
44.
铁电存储场效应晶体管I-V特性的物理机制模拟   总被引:1,自引:0,他引:1  
文章讨论的模型主要描述了铁电存储场效应晶体管(FEMFET)的I-V特性。从理论结果可反映出几何尺寸效应和材料参数对晶体管电特性的影响。传统的阈值电压的概念巳不再适用,由于铁电层反偏偶极子的开关作用,自发极化的增加对存储器的工作状态产生很小的影响。该模型可用于设计和工艺参数的优化,并由直观原型的方法得到了验证。  相似文献   
45.
刘烽  初昀辉  许家栋 《微电子学》2002,32(3):165-167,171
在目标回波仿真原理的基础上,给出了一种新颖的脉冲多普勒雷达目标回波视频频脉冲仿真电路。通过计数分频和计数延时技术,该电路获得了大范围可变的脉冲重复频率和高精度的脉冲时延,能对距离不断变化的动目标进行实时模拟。给出了电路的结构框图,并对设计原理作了必要说明。  相似文献   
46.
热探测器温度对非制冷红外热像仪测温的影响   总被引:1,自引:2,他引:1  
范春利  杨立  华顺芳 《红外技术》2002,24(5):22-24,45
根据红外辐射理论和热像仪测温原理,给出了热探测器非制冷红外热像仪的温度计算公式;针对热探测器热像仪,分析了探头温度对热像仪测量结果的影响.  相似文献   
47.
二维信号Wigner分布的数值计算   总被引:1,自引:0,他引:1  
Wigner分布函数作为一个同时表达空间 频率变量的函数 ,在光学领域中有着广泛的应用。提出了二维信号Wigner分布函数的数值计算方法 ,并模拟了一些二维实信号 (圆孔 ,圆环和方孔 )的Wigner分布函数  相似文献   
48.
基于VB的主从机串行通信系统设计   总被引:2,自引:0,他引:2  
串行通信是数据采集系统中最常用的通信手段之一。设计并研制了基于VB的LED大屏幕显示串行数据通信系统,具有编程灵活、控制通信对象容易的优点。通过8250的奇偶校验位与单片机的SM2位的配合,实现了PC机与多个单片机的串行数据通信。介绍了基于VB6.0进行串行通信的流程和编程,较好地解决了同时使用通信方式0与方式1时引起的RXD端口的冲突问题。实验证明,该设计简单、实用,提高了系统设计的效率。  相似文献   
49.
本文结合离散余弦变换(DCT)以及均值滤波算法,提出了一种有效的图像去噪方法。第一步,首先将含噪图像进行分块,并对每一个图像块做DCT变换,将其转换至离散频域;然后通过判断变换块的交流系数,将当前块归类为平坦块或非平坦块。第二步,针对上一步不同类型的块分类,采用不同的均值滤波器进行滤波。在本文算法中,假设图像中包含的噪声为独立同分布的高斯白噪声,其均值为0,且标准差为σ。  相似文献   
50.
利用物理热蒸发法在1016~1066℃的温度范围内成功制备出定向排列生长的硅微米晶须。借助扫描电子显微镜(SEM),X射线能谱分析仪(EDX)和透射电子显微镜(TEM)研究了硅微米晶须的形貌、化学成分及晶体结构,讨论了环境压力对硅微米晶须生长有序性的影响。研究结果表明,在环境压力为13.3kPa时,硅微米晶须均垂直于衬底表面生长,定向排列生长的硅微米晶须面积可达13mm×6mm;硅微米晶须的生长遵循气—液—固(VLS)机制;透射电子显微镜观察及选取电子衍射花样表明,硅微米晶须的球形头部为晶体,杆的中部为晶体外包覆非晶体的结合体,杆的尾部为非晶体;环境压力越低,硅微米晶须的定向排列的方向性越好。  相似文献   
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