首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   3798篇
  免费   374篇
  国内免费   337篇
电工技术   259篇
综合类   526篇
化学工业   420篇
金属工艺   285篇
机械仪表   242篇
建筑科学   266篇
矿业工程   184篇
能源动力   279篇
轻工业   178篇
水利工程   97篇
石油天然气   110篇
武器工业   16篇
无线电   433篇
一般工业技术   322篇
冶金工业   236篇
原子能技术   41篇
自动化技术   615篇
  2024年   10篇
  2023年   14篇
  2022年   36篇
  2021年   29篇
  2020年   62篇
  2019年   91篇
  2018年   82篇
  2017年   75篇
  2016年   115篇
  2015年   121篇
  2014年   113篇
  2013年   95篇
  2012年   91篇
  2011年   67篇
  2010年   93篇
  2009年   99篇
  2008年   154篇
  2007年   130篇
  2006年   118篇
  2005年   74篇
  2004年   243篇
  2003年   500篇
  2002年   922篇
  2001年   701篇
  2000年   262篇
  1999年   106篇
  1998年   17篇
  1997年   14篇
  1996年   17篇
  1995年   19篇
  1994年   13篇
  1993年   4篇
  1992年   5篇
  1991年   2篇
  1990年   3篇
  1989年   1篇
  1988年   3篇
  1987年   1篇
  1986年   1篇
  1984年   1篇
  1983年   1篇
  1979年   3篇
  1971年   1篇
排序方式: 共有4509条查询结果,搜索用时 46 毫秒
51.
刘阳 《中国新通信》2013,(24):73-75
三网融合是下一代电信运营商网络发展趋势,本文分析研究了如何采用合波技术和GPON技术,实现在一张光纤到户网络上将语音、数据、广播电视网络的融合,使网络资源更加高效、合理的利用,降低运营成本,提高服务质量。  相似文献   
52.
移动IP中的反向隧道技术   总被引:2,自引:0,他引:2  
反向隧道是由移动节点(MH)到其家乡代理(HA)的隧道,始于移动节点的转交地址,终止于家乡代理。反向隧道的建立使得位于外地网络上的移动节点可以建立拓扑正确的数据包,以保证其能在设置了入口过滤路由器的外地网络上建立通信连接。  相似文献   
53.
陈明阳  于荣金 《光电子.激光》2001,12(2):204-206,211
PML吸收边界以其优异的吸收能力与效果而倍受人们的关注。本文针对运用PML吸收边界的时域有限差分法的数值色散问题进行了研究,并得到了较为满意的结果,PML吸收边界在有效减少电磁 波在边界上的反射的情况下,并没有带来对数值色 散的不良影响。  相似文献   
54.
介绍的微电脑时控系统主要是按学校、工厂、机关等单位的供电要求而设计的,以实现对电能及设备的合理应用,避免繁杂的工人操作,它以8031单片机为核心,通过键盘实现人机对话,可完成日在、电子表功能及实时控制功能。  相似文献   
55.
介绍了用偏分孤子法对偏振模色散测量的实验原理和实验系统,对实验结果进行了分析,表明,偏分孤子法是一种新的可选偏振模色散测量方案。  相似文献   
56.
本文提出了在脉冲氙灯预燃电路中将着火电压与预燃电流由不同电路来提供的设计思想 ,并采用了零电压开关技术。对逆变器的工作过程进行了数学分析 ,对功率开关管实现零电压开通的条件进行了讨论。实验证明该预燃电源在负载断路和短路情况下都能正常工作 ,功率开关管的开关损耗非常小 ,开关频率可达 10 0 k Hz,减小了电源体积 ,提高了电源效率 ,适用于各种尺寸的脉冲氙灯。  相似文献   
57.
光电成像系统与人眼视觉的匹配问题   总被引:5,自引:0,他引:5  
以电视、激光成像和热成像系统为代表的光电成像系统在军事和民用上有着广泛的用途,但光电成像系统与人眼视觉的匹配问题仍是按现有理论和方法难以准确解释或定量描述的普遍问题。从理论上阐述了此问题的本质,说明了在这种匹配系统中存在系统的最佳匹配,且匹配状态直接影响光电成像系统的总体设计,并对如何描述这种关系进行一些说明和分析。  相似文献   
58.
利用 LP- MOCVD技术在 Ga As( 0 0 1 )衬底上生长了高质量的立方相 In Ga N外延层 .研究了生长速率对 In Ga N质量的影响 ,提出一个简单模型解释了在改变 TEGa流量条件下出现的In组分的变化规律 ,实验结果与模型的一次项拟合结果较为吻合 ,由此推断 ,在现在的生长条件下 ,表面单个 Ga原子作为临界晶核吸附 Ga或 In原子实现生长的模型与实际情况较为接近 .对于晶体质量的变化也给予了说明 .得到的高质量立方相 In Ga N室温下有很强的发光峰 ,光致发光峰半高宽为 1 2 8me V左右 .  相似文献   
59.
多孔硅表面冷电子发射的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文研究了多孔硅二极管表面发射电子的特性。PS二极管由薄金膜、PS层、n型Si衬底和欧姆接触铝背电极组成。在真空中,当在金属电极和铝背电极间加适当高的正电压且在收集极板和金电极间存在高外电场时,伴随着可见光,电子均匀地穿过金膜出来。电子发射的机理基于PS层外表面附近的强场效应。  相似文献   
60.
铁电存储场效应晶体管I-V特性的物理机制模拟   总被引:1,自引:0,他引:1  
文章讨论的模型主要描述了铁电存储场效应晶体管(FEMFET)的I-V特性。从理论结果可反映出几何尺寸效应和材料参数对晶体管电特性的影响。传统的阈值电压的概念巳不再适用,由于铁电层反偏偶极子的开关作用,自发极化的增加对存储器的工作状态产生很小的影响。该模型可用于设计和工艺参数的优化,并由直观原型的方法得到了验证。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号