用于硅衬底隔离的选择性多孔硅厚膜的制备

在硅衬底上形成高阻隔离层对于提高硅基射频电路的性能具有重要意义。采用多孔硅厚膜作为隔离层 ,能够极大地降低衬底高频损耗。本文对n+型硅衬底上选择性多孔硅厚膜的制备进行了研究。通过在阳极氧化反应中采用不同的HF溶液的浓度、电流密度和反应时间来控制多孔硅的膜厚、孔隙度等特性。有效地减少了多孔硅的龟裂失效 ,得到的多孔硅最大膜厚为 72 μm。并测量了多孔硅的生长速率与表面形貌     

二氧化锡溅射工艺研究

SnO2 是最早使用也是目前使用最广泛的一种气敏材料 ,使用该材料设计制作的气敏传感器具有许多优点。在简要介绍溅射镀膜的成膜过程和特点的基础上 ,着重介绍了SnO2 膜的制备流程 ,分析了功率和温度变化对成膜质量的影响     

塑料生物芯片的激光焊接封装系统研究

介绍了采用半导体激光器在塑料生物芯片焊接封装系统的应用 ,论述了塑料生物芯片焊接封装原理和工艺 ,提出了基于 80 8nm半导体激光器的塑料焊接封装系统的设计方法 ,分析了焊接封装的参数选择 ,实现了部分塑料之间的成功焊接     

EPON媒体接入控制的关键技术研究

文章简要介绍了基于以及太网的无源光网络（EPON）这种新型的接入网技术，将其与基于ATM技术的无源光网络（APON）的优缺点进行了比较，并对其媒体接入控制（MAC）的关键技术测距及上行接入进行了讨论，初步提出了光网络单元（ONU）的软、硬件实现方案。     

基于有效态密度的MOS结构电荷控制模型

从载流子在 MOS结构反型层内的分布出发 ,利用表面有效态密度 ( SLEDOS:SurfaceLayer Effective Density- of- States)的概念 ,在经典理论框架内建立了包含载流子分布对表面势影响的电荷控制模型 .该模型包含了强反型区表面电势的变化对载流子浓度的影响 ,采用了一种新的高效的迭代方法 ,具有较高的计算效率和足够的精度要求     

超薄圆片划片工艺探讨

集成电路小型化正在推动圆片向更薄的方向发展,超薄圆片的划片技术作为集成电路封装小型化的关键基础工艺技术,显得越来越重要,它直接影响产品质量和寿命。本文从超薄片划片时常见的崩裂问题出发,分析了崩裂原因,简单介绍了目前超薄圆片切割普遍采用的STEP切割工艺。另外,针对崩裂原因,还从组成划片刀的3个要素入手分析了减少崩裂的选刀方法。     

面向应用型本科的“计算机控制系统”课程教学改革与探索

应用型本科院校以培养高素质应用型人才作为培养目标。为达到预期的培养目标,需要在专业培养方案设置、课程知识体系、课程教学模式与方法等各个环节进行有针对性的优化设计。《计算机控制系统》课程兼有深入的理论基础和面向实际应用的特点,因此在教学改革时需要把握好理论与实践的关系。针对理论教学,在优化调整讲授内容的基础上,通过引入工程案例法将核心知识点串联起来,并制作“慕课”形式的教学视频作为线下教学的补充;针对实验教学,设置更多的设计性和综合性实验并引入三级训练项目作为补充。改革后的教学内容与工程实践的结合更加紧密,教学素材与方法也更加丰富,极大地提升了学生的学习自主性,更有利于学生分析和解决实际问题能力的培养。     

基于频谱位移模块的环境声音识别方法

针对卷积操作只能提取局部频谱信息,不能有效地挖掘频谱之间相关信息的问题,提出了一种基于频谱位移模块的神经网络。该网络采用密集卷积神经网络的架构,并在支路上使用频谱位移模块实现频谱信息之间的交互。利用这种频谱移位取代了频谱间的下采样操作,实现了频谱的全局化特征提取,同时避免了下采样过程中信息的丢失,进一步地提高了频谱特征图质量。并在公开的数据集ESC10和ESC50上验证频谱位移密集模块,在两种数据集的分类准确度分别达到了96.00%和88.75%,与原有的网络相比准确度分别提升了2.1%和2.25%。实验结果表明,和现有的其他卷积神经网络方法相比,所提出的网络能够更好有效地挖掘全局时频信息,具有更高的识别准确率。     

华中科技大学国家工科电工电子基础课程教学基地建设工作汇报

本文介绍了华中科技大学国家工科电工电子基础课程教学基地概况,阐述了基地建设的目标与改革思路,以及基地建设的实施方案;重点介绍了在电工电子基地建设中依托学科,学研产相结合,构建三开放、四层次、课内外相结合的实验教学新体系和将学生工程实践能力和创新能力培养落实到实处的特色及具体做法;对基地教学改革中课程体系、教学内容和教学手段的改革和基地的科研工作和师资队伍建设作了较详细论述,给出了专家组对基地的评价意见。     

1.3μm高增益偏振无关应变量子阱半导体光放大器

采用低压金属有机化学气相外延法 (LP MOVPE)生长并制作了 1 3μm脊型波导结构偏振无关半导体光放大器 (SOA) ,有源区为基于四个压应变量子阱和三个张应变量子阱交替生长的混合应变量子阱 (4C3T)结构 ,压应变阱宽为 6nm ,应变量 1 0 % ,张应变阱宽为 11nm ,应变量 - 0 95 % ;器件制作成 7°斜腔结构以有效抑制腔面反射。半导体光放大器腔面蒸镀Ti3 O5/Al2 O3 减反 (AR)膜以进一步降低腔面剩余反射率至 3× 10 -4以下 ;在 2 0 0mA驱动电流下 ,光放大器放大的自发辐射 (ASE)谱的 3dB带宽大于 5 0nm ,光谱波动小于 0 4dB ,半导体光放大器管芯的小信号增益近 30dB ,在 12 80～ 1340nm波长范围内偏振灵敏度小于 0 6dB ,饱和输出功率大于 10dBm ,噪声指数 (NF)为 7 5dB。