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961.
Shi Zhiguo Ran Lixin Chen Kangsheng 《电子科学学刊(英文版)》2006,23(3):433-436
Chaotic Colpitts circuits with fundamental frequency f^* beyond 1GHz are studied by both circuit simulation and experiment using Philips' broadband transistor with threshold frequency of 25GHz. For the basic configuration of Colpitts circuit with f^* of about 1,6GHz, broadband continuous power spectra could be obtained from both circuit simulations and experiments. The harmonics of the observed signal from Agilent PSA/ESA spectrum analyzer are as noticeable as far as 12GHz. A modified Colpitts circuit structure employing the parasitic inductance of BJT (Bipolar Junction Transistor) is also proposed and investigated. By circuit simulation, chaotic attractor and broadband continuous power spectra could be obtained from the modified Colpitts circuit with f^* of about 3.5GHz. Because the parasitic effects of the prototype board, the experiment result of the modified Colpitts circuit does not agree well with the simulation result. The gap between the simulation and experimental result could be bridged by replacing the lumped circuit elements with distributed ones. 相似文献
962.
Yu Guanding Zhang Zhaoyang Qiu Peiliang 《电子科学学刊(英文版)》2006,23(4):485-489
This paper presents an efficient Radio Resource Management (RRM) strategy for adaptive Orthogonal Frequency Division Multiplexing (OFDM) cellular systems. In the proposed strategy, only those users who have the same distance from their base stations can reuse a same subcarrier. This can guarantee the received Carrier-to-Interference ratio (C/I) of each subcarrier to be acceptable as required by system planning. Then by employing different modulation scheme on each subcarrier according to its received C/I, system spectral efficiency can be gracefully increased. Analytical and simulation results show that the spectral efficiency is improved by 40% without sacrificing the Bit Error Rate (BER) performance and call blocking probability and system capacity of the proposed strategy is better than conventional systems. 相似文献
963.
964.
介绍了使用5NP4GS3网络处理器设计的准交换结构8Gb/8线速路由器。HIFN公司的5NP4G3是OC-48级别网络处理器中综合性能最佳的一个芯片产品,准交换结构设计充分挖掘了这颗处理器能力,使设计具有很高的性价比。文章给出了路由器各个部分的设计,经过实际测试,证明了系统设计的正确性和可靠性。 相似文献
965.
随着芯片集成度的逐渐提高,芯片单位面积所消耗的功耗也越来越大,因此,可靠的电源网络设计和验证已成为芯片设计成败的关键因素之一。在以往。集成电路(IC)设计工程师往往根据经验来设计电源网络,但工艺到0.18um,这往往会引起芯片功能失效。根据这个问题。本文首先介绍电压降(IR-Drop)和电子迁移率(Electro-migration)现象和对芯片性能的影响;其次,提出一种有效的电源网络设计和验证方法,并在芯片的物理设计初期对电源网络作可靠性估计;最后,经过椭圆曲线加密芯片(ECC&RSA)的流片,表明采用该方法设计的芯片,工作情况良好。 相似文献
966.
制备了以碳纳米管(CNTs) 和镀银碳纳米管(SCCNTs) 为导电填料的各向同性导电胶, 研究了它们的电学性能、力学性能及抗老化性能, 并与传统的以微米量级的银粒子作为导电填料的导电胶的性能进行比较。研究发现: CNTs 作为导电填料时, 在填料体积分数为31 %时出现体积电阻率的最低值2. 4 ×10-3Ω·cm; 在填料体积分数为23 %时导电胶表现出最好的抗剪切性能。在填料体积分数同为28 %时, 填充SCCNTs 导电胶具有最低的体积电阻率2. 2 ×10-4Ω·cm; 填充CNTs 和SCCNTs 显示出比填充微米量级银粒子导电胶高的抗剪切强度(19. 6 MPa) 。在85 ℃、RH 85 %环境下经过1000h 老化测试结果表明: 填充SCCNTs 或CNTs 导电胶体积电阻率的变化和剪切强度的变化均不超过10 %; 而填充微米量级银粒子导电胶在老化后体积电阻率的变化和抗剪切强度的变化分别达到350 %和120 %。 相似文献
967.
弱层成分对SiC/BN层状陶瓷阻力行为的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
利用压痕2强度法测定了不同弱层成分的SiC/ BN 层状陶瓷的阻力曲线行为, 研究了BN 弱层成分对SiC/ BN 层状陶瓷的阻力曲线行为的影响, 并与SiC 块体陶瓷作对比。结果表明: 与SiC 块体陶瓷相比, SiC/ BN层状陶瓷具有更为明显的升值阻力曲线行为, 且其阻力曲线行为受弱层成分的影响。其中, BN 弱层中加入30 %Al2O3 的SiC/ BN 层状陶瓷显示出更为优越的抗裂纹扩展能力, 其阻力曲线上升最陡, 上升幅度最大。分析认为,这与它们不同的增韧机制和界面的结合状态有关。原位增韧是SiC 块体陶瓷韧性提高的主要原因。裂纹遇到弱界面时发生偏转、分叉以及脱层等是层状陶瓷材料抗裂纹扩展能力提高的主要原因。而弱层成分又影响着裂纹的偏转, 适当结合强度的界面有利于裂纹的偏转, 结合强度太弱太强的界面都不利于裂纹的偏转。 相似文献
968.
969.
以Ti (OC4H9)4 水解形成的溶胶体系为模板, 以AgNO3 为银纳米线的前驱体, 低温下合成长径比为50~60 的银纳米线, 采用TEM 和XRD 对所制得的银纳米线进行表征。以银纳米线作为导电胶的导电填料, 成功制备了一种高电导率的各向同性导电胶。导电胶的电学性能和力学性能测试表明: 这种导电胶在导电填料含量为56 wt %时的电导率比填充75 wt %微米银粒子的导电胶高约6 倍(体积电阻率为1. 2 ×10-4Ω·cm) 。由于填料含量的降低, 该导电胶的抗剪切强度(以Al 为基板时的抗剪切强度为17. 6 MPa) 相比于填充75 wt %微米银粒子和75 wt %纳米银粒子导电胶均有不同程度的提高。 相似文献
970.
基于唤醒模式的GPRS仪表数据采集系统低成本通讯控制策略 总被引:1,自引:0,他引:1
针对基于永远在线方式的GPRS的流量计仪表数据采集系统维持网络通讯质量数据包频繁、通讯费用高的情况,提出降低系统运行的通讯成本,提高系统运作效率的语音唤醒,多表数据打包的改进方案.经过对比试验和现场应用,证明了该方案的经济性和可靠性. 相似文献