基于三层脚本构架的自动化测试设计与实现

为了降低测试脚本的维护工作量,提高软件测试自动化的成功率和投资回报率,提出基于重用脚本、对象映射脚本、测试脚本的3层脚本构架自动化测试设计与实现技术,并介绍了三层脚本构架设计和实施步骤。通过实例应用结果表明该方法简单、有效,实现不同软件版本和不同项目间测试脚本的重用,是一种有效提高自动化测试的成功率和投资回报率的方法。     

电子装备技术状态自动监测与可靠性分析系统

介绍了电子装备技术状态自动监测与可靠性分析系统的组成、主要功能、技术指标、特点和实现方法,以及应用情况和前景.     

Cryptanalysis of a dynamic ID‐based remote user authentication with key agreement scheme

A dynamic user authentication scheme allows a user and a remote server to authenticate each other without leaking the user's identity. In 2011, Wen and Li proposed an improved dynamic ID‐based remote user authentication with key agreement scheme for mobile and home networks. They claimed that their scheme was more secure than the scheme of Wang et al. However, we demonstrate that their scheme is vulnerable to the privileged insider, off‐line password guessing, impersonation, and server spoofing attacks. At the same time, it does not provide any user anonymity and forward secrecy property. Thus, it is not feasible for real‐life implementation.Copyright © 2012 John Wiley & Sons, Ltd.     

云计算安全可靠性探讨

根据云计算架构的典型层次,并结合3种云服务模式和云安全体系架构,分析了云计算中存在的安全风险,以及云计算中存在的数据安全、虚拟化安全及平台安全等主要的安全问题;同时详细地分析了云安全策略及关键技术。     

多芯片组件热阻技术研究

在传统单芯片封装热阻定义的基础上,针对多芯片组件(MCM)传统热阻表示方法的不足,基于线性叠加原理,采用有限元模拟技术,提出了MCM的结到壳的热阻表示方法——热阻矩阵,并利用有限元模拟方法对热阻矩阵进行了验证。结果表明,采用热阻矩阵方法预测器件结温的误差小于2%。     

微电子生产工艺可靠性评价与控制

简要介绍了可靠性评估(REM)测试结构设计,并介绍了REM试验中与时问有关的栅氧化层击穿(TDDB)、热载流子注入(HCI)效应和电迁移(EM)效应的评价试验方法及实例。REM技术与工艺过程控制(PCM)、统计工艺控制(SPC)技术结合起来就可以实现对工艺的可靠性评价与控制,某集成电路生产公司将它应用于金属化工艺中．确定了工艺输入变量与电迁移可靠性的相关性,优化了金属化工艺试验条件,提高了金属化系统的抗电迁移能力。     

电子元器件可靠性增长的分析技术

从元器件可靠性物理分析技术角度,系统地阐述了失效信息的收集与分析、失效分析、破坏性物理分析、密封器件内部气氛分析、失效模式及机理与工艺的相关性分析、失效模式与影响分析等元器件的质量与可靠性分析技术。将元器件质量与可靠性分析技术融入元器件产品设计、制造过程是实现元器件可靠性增长的必然趋势。     

电子元器件失效模式影响分析技术

在元器件中进行失效模式影响分析(FMEA)技术研究和应用的基础上,论述了适合元器件的失效模式、机理影响分析(FMMEA)技术,在国内首次将FMMEA技术应用到元器件的基础上,研制了FMMEA技术分析软件,为元器件的研制和使用中控制或消除相关的失效模式及机理,提高产品质量和可靠性提供了一个新的方法和思路。     

汽车电压调节器的性能可靠性计算机仿真

利用系统性能可靠性仿真,对汽车电压调节器的设计及性能进行分析,找出了对其性能可靠性影响最大的元器件,以及对环境温度敏感的元器件;通过提高元器件精度和改善半导体器件的温度特性,对初始设计进行了改进,提高了汽车电压调节器在使用中的性能可靠性.     

偏压条件对光耦合器总剂量辐照效应的影响

通过对不同偏压条件对光耦合器总剂量辐照效应的影响进行研究,结果发现随着总剂量的增加,光耦合器电流转换率CTR会降低60％ ～ 80％,且输入低电流时光耦合器总剂量辐照损伤更严重,其原因可能是输入低电流时光耦合器内部发光二极管辐照过程中更容易产生非发光陷阱所致.