兆赫兹飞秒激光脉冲制备“珍珠串”光波导

对纳焦量级的高重频飞秒激光在玻璃内部制备"珍珠串"光波导进行了研究。在制备过程中向外辐射出白光连续光谱,实验结果表明飞秒激光脉冲能量和运行速度对"珍珠串"光波导的形成有较大影响,在激光脉冲能量10.5 nJ,玻璃运行速度为0.2 mm/s情况下制备的"珍珠串"光波导结构较好,"珍珠串"的横向宽度为19μm,"珍珠串"的间隔周期为20μm。制备的"珍珠串"光波导能对玻璃内传输的He-Ne激光进行有效约束。最后对玻璃内部制备"珍珠串"光波导的机制进行了分析。     

Transversal wideband bandpass filter with a wide stopband and multiple transmission zeros

Herein, we present a compact transversal bandpass filter (BPF) with an extremely wide upper stopband and multiple transmission zeros (TZ). Three signal transmission paths with shorted stubs and open-coupled lines allow signal transmission from input port to output port. Two resonant modes can be excited simultaneously and managed easily for bandpass response. Eleven TZs are achieved via transmission path cancelation; an extremely wide upper stopband with an attenuation level better than –12 dB is achieved up to 11.7 f₀, where f₀ is the center frequency (CF). In addition, bandwidth and CF can be controlled by adjusting electrical lengths. For proof of concept, a wideband BPF centered at 1.04 GHz with 3 dB fractional bandwidths of 49.2% was designed, fabricated, and evaluated. The overall circuit measures 0.045λ_g × 0.117λ_g; good agreement was observed between the measured and simulated results.     

具有可控双陷波特性的超宽带滤波器设计

在多模谐振器的基础上,设计了一种新型的具有双陷波特性的超宽带滤波器。该滤波器在十字形谐振器的基础上加载了一对阶跃阻抗谐振器及两组短路反耦合线结构。设计得到的滤波器尺寸紧凑,且可实现滤波器谐振频率及陷波点的独立可控。测试可得滤波器的通频带为1.8~12.1 GHz,3 dB相对带宽为148%,通带内插入损耗小于1 dB,两个陷波点频率分别位于5.15 GHz和6.98 GHz。结果表明,该超宽带滤波器能有效地抑制WLAN频段和C波段卫星信号的干扰,与仿真结果吻合良好。     

Si基薄膜太阳电池绒面ZGO透明导电膜的研究

采用孪生对靶直流磁控溅射的方法在室温下制备高质量的Ga掺杂ZnO(ZGO)透明导电薄膜,用HCl腐蚀的方法获得满足光散射特性的绒面ZGO薄膜。制备的ZGO样品为具有六角纤锌矿结构的多晶膜,具有(002)方向的择优取向。腐蚀后,绒面ZGO薄膜的晶粒度减小,电阻率基本不变。在可见光范围内,绒面ZGO的反射率比平面ZGO的反射率下降了10%左右。将绒面ZGO薄膜应用于p-i-n型非晶Si薄膜太阳电池中,有效提高了太阳电池性能,使得电池的短路电流提高到17.79 mA/cm2,电池的转换效率增加到7.23%。     

磁控反应溅射直接生长绒面H化Ga掺杂ZnO-TCO薄膜及其特性研究

采用直流磁控溅射技术,在玻璃衬底上直接生长出了具有绒面结构的H化Ga掺杂ZnO(HGZO)薄膜。研究了H2流量对薄膜结构、表面形貌及光电特性的影响。实验表明,在溅射过程中引入H2明显改善HGZO薄膜电学性能,并且能够直接获得具有绒面结构的薄膜。在H2流量为2.0sccm时,所制备的HGZO薄膜具有特征尺寸约200nm的类金字塔状表面形貌,同时薄膜方阻为4.8Ω,电阻率达到8.77×10-4Ω.cm。H2的引入可以明显改善薄膜短波区域的光学透过,生长获得的HGZO薄膜可见光区域平均透过率优于85%,近红外区域波长到1 100nm时仍可达80%。为了进一步提高薄膜光散射能力和光学透过率,根据不同H2流量下HGZO薄膜性能的优点,提出了梯度H2技术生长HGZO薄膜;采用梯度H2工艺生长获得的HGZO薄膜长波区域透过率有了一定的提高,薄膜具有弹坑状表面形貌,并且其光散射能力有了明显提高。     

衬底温度对超声喷雾法制备大面积绒面SnO_2:F薄膜特性影响的研究

详细研究了衬底温度对超声喷雾热分解工艺制备的大面积绒面SnO2:F薄膜的影响和薄膜微结构与薄膜电学、光学性能之间的关系。试验曲线和SEM图的研究结果表明,将衬底温度从370℃提高到470℃以上薄膜结晶程度大大提高,晶粒尺寸明显增大;温度在470℃左右绒度达到13%。文章同时对超声喷雾热分解工艺制备大面积绒面SnO2:F薄膜做了工艺探索,并将实验制得的薄膜用于制备非晶硅薄膜电池,其效率达到了6.46%。     

RFID动态标签估计防碰撞算法

针对无线射频识别(RFID)过程中标签之间的碰撞问题,提出一种新的RFID防碰撞算法。利用二进制碰撞算法动态地估计一部分将要被识别的标签数,通过标签生成的随机数对其进行分组,并识别该部分标签。实验结果表明,该算法能有效减少冲突发生的概率,识别标签的效率为42.5%~42.8%。     

Oligothiophene-based small molecules with 3,3′-difluoro-2,2′-bithiophene central unit for solution-processed organic solar cells

Two new oligothiophene-based small molecules, namely DRCN6T-F and DRCN8T-F, with 3,3′-difluoro-2,2′-bithiophene as the central building block and 2-(1,1-dicyanomethylene)-rhodanine as end groups, were designed and synthesized. Compared to their non-fluorinated counterparts DRCN6T and DRCN8T, DRCN6T-F and DRCN8T-F exhibit enhanced intermolecular interactions and lower HOMO energy levels. However, PCEs of 2.26% and 5.07% were obtained for DRCN6T-F and DRCN8T-F based optimized devices, respectively, lower than those of non-fluorinated molecules DRCN6T and DRCN8T. The relatively poor performance for the DRCN6T-F and DRCN8T-F were mainly caused by their low short-circuit current densities, due to their unfavorable morphologies and low charge carrier mobilities.     

基于OFDM无线通信系统的线性回归频偏估计算法

为了适应 60 GHz新型 WiFi 对频偏同步的要求, 提出了一种基于 IEEE802.11ad - 2012 修正案系统 的 线性回归频偏估计 (LROE)算法 。 算法将接收到的前导序列与本地序列进行互相关运 算,然后提取 互相关 值的 相位角进行线性回归计算 , 估计出频偏值。 从理论 推导了算法在高斯信道和多径信道下 的 抗噪声 和 抗多径 性能。 在 多径 信道仿真中, 本算法 的频偏 估计精度优于传统自相关算法 3个 数量级, 满足了系统 对高精度频偏估计的要求。 在全系统仿真中,对比研究了本算法和自相关算法对系统 误比特率(BER)性能 的影响, 并与无频偏对照组仿真进行对比。 LROE 算法的 BER 明显优于自相关算法。 仿真研究表明, LROE 算法基 本消除了频偏对系统BER的影响, 其性能 达到了无频偏 系统 的效果 ,达到了 60GHz 系统对频偏同步的 要求。     

新型光伏材料Ag2ZnGeS(Se)4的第一性原理研究

通过基于密度泛函理论的第一性原理对新型光伏 材料Ag₂ZnGeS(Se)₄(AZGS(Se))的结 构稳定性、电子结构、和光学性质进行了研究。计算结果表明该类型化合物与Cu₂ZnSnS(S e)₄(CZTS(Se))一样具有锌黄锡矿的晶格结构;通过计算弹性常数和声子谱发现AZGS(Se) 的结 构稳定性也与CZTS(Se)相近。杂化泛函计算表明AZGS(Se)为直接带隙半导体;通过改变S和S e原子的比例,其禁带宽度可在1.27 eV 的较宽范围内调节。进一步计算光学性质,得 到AZGS(Se)的光吸收系数具有10⁴量级。计算结果表明AZGS(Se)符合太阳电池光吸收层的 需求。