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叶片电解加工机床的研制 总被引:2,自引:1,他引:1
为了能够实现按最优进给角度加工叶片,研制出三轴进给的叶片电解加工专用机床。介绍了机床的加工原理、机床结构、性能规格以及相应的控制系统。实践证明在该机床上电解加工方料毛坯,加工出的叶片经专用量具检测,叶片型面精度符合要求。 相似文献
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《Journal of the European Ceramic Society》2020,40(4):1522-1531
Predicting the in-line transmittance of transparent ceramics via model calculations is a useful guide for materials design and optimization of preparation process. However, the absence of reliable input information (volume fractions and size) usually precludes the direct verification of these calculations. On the other hand, suspensions, which can be prepared with well controlled volume fractions of the solids selected, may serve as model systems that are amenable to verification. This paper describes the procedure to perform these calculations, and compares calculated data for suspensions of monodisperse spheres of amorphous silica with spectrophotometric measurements of silica monosphere suspensions with four different concentrations. Moreover, completely analogous model calculations are performed for bubbles in silica glass and pores in spinel ceramics. The results are discussed on the basis on 3D graphs, the use of which is highly recommended. The results may be considered as a benchmark for future model calculations for polydisperse systems. 相似文献
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采用有限元法对GTEM传输室的特性阻抗进行了三维分析.沿球面波的方向截取GTEM传输室的一段作为计算模型,通过分段多角度计算,求出芯板的最佳张角.考虑芯板厚度对阻抗的影响给出了芯板优化方案.在有限元分析软件ANSYS下开发了计算特性阻抗的用户模块,提高了设计效率.由于本文提出的计算方法能更好地逼近场分布的真实情况,因而具有较高的计算精度. 相似文献
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利用纳米压痕仪通过连续刚度测量法对单晶硅片在压入过程中的接触刚度、硬度、弹性模量进行了连续测量.结果表明:当接触深度在20~32 nm左右时,单晶硅片的接触刚度与接触深度成直线关系,硬度和弹性模量基本保持不变,此时所测得的是单晶硅片表面氧化层的硬度和弹性模量,分别约为10.2 GPa和140.3 GPa.当接触深度在32~60 nm左右时,单晶硅片的接触刚度与接触深度成非直线关系,硬度和弹性模量随接触深度急剧增加,表明单晶硅片表面氧化层的硬度和弹性模量受到了基体材料的影响.当接触深度在60 nm以上时,单晶硅片的接触刚度与接触深度成直线关系,硬度和弹性模量基本保持不变,测得值为单晶硅的硬度和弹性模量,分别约为12.5 GPa和165.6 GPa. 相似文献
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AGV是自动物流仓储系统中的重要组成部分.针对多台AGV集结问题,在对路径时间窗进行分解的基础上,使用改进遗传算法进行求解,详细描述了算法求解的步骤.该遗传算法加入了基于时间窗的调整策略,能够有效减少冲突以及死锁发生的概率,加快求解的收敛速度,能在规定时间内求解出使集结总时间最短的方案.仿真分析表明:与传统遗传算法以及... 相似文献
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《Ceramics International》2020,46(8):12269-12274
Dielectric capacitors with high recoverable energy density are in high demand for their application in electrical and electronic systems. Among lead-free dielectric materials, silver niobate (AgNbO3) has attracted growing interest due to its superior energy storage density at room temperature. The field-induced phase transition from antiferroelectric (AFE) phase to ferroelectric (FE) phase contributes to its large energy density. In this work, pure perovskite silver niobate ceramics were fabricated in an oxygen atmosphere by the solid-state reaction technique. The Pbcm orthorhombic phase of AgNbO3 was closely observed using the Rietveld refinement method to provide explanation for the origin of high spontaneous polarization within a unit cell. Local structural analysis via piezoelectric force microscopy revealed the existence of ferroelectric nano domains, which may contribute to the high energy storage efficiency (η = 99.9926%) in AgNbO3 at low electric fields. The phase transitions of AgNbO3 were also investigated via the dependence of the dielectric permittivity (ε′ and ε″) and loss angle tangent (tanδ) on temperatures, providing insights into the further modification of AgNbO3. 相似文献