甲烷无氧芳构化研究进展及其工业应用前景

综述了最近20多年来甲烷无氧芳构化催化剂的制备、积炭失活和再生方面的研究进展，特别分析了催化剂再生过程的工程化问题及反应器型式；还根据甲烷芳构化技术产业化的需要，分析了甲烷芳构化技术的发展趋势。     

一种新的网络对象存储设备研究

Internet的飞速发展对于存储系统的可扩展性提出了很高的要求,也带来了由数据模型与存储模型的不一致问题引起的服务器性能瓶颈现象.针对这些情况,本文提出了网络对象附属存储设备(NAOSD)的概念,其利用设备处理器的能力直接支持结构化数据存储.这一设计减少了存储系统中数据服务器的负载,增加了系统吞吐量.同时,研究了该设备原型在集群环境中的应用,提出了数据/元数据统一存储与查询式数据定位机制.分析表明,这些机制能够较显著地提高系统扩展性——数据访问时间随系统规模的扩大呈对数增长,优于传统的映射定位机制.我们已经模拟实现了NAOSD,并在性能比较测试中取得了较好的效果.     

海杂波中基于混沌预测的目标检测方法改进

基于记忆库非线性预测的NP-CFAR方法是目前混沌海杂波背景中目标检测的一种典型而先进的方法.考虑到海杂波功率与特征的时变不稳定性,本文提出运用旋转超盒分类取代这一方法中的NP-CFAR进行目标检测,并探讨了运用盒维数特征提取进行预处理以节省运算开销的问题.仿真实验验证了本文所提改进方法的有效性.     

一种速度优化的流水线模数转换电容误差平均技术

无源电容误差平均技术是一种本质线性(Inherently Linear)的流水线模数转换电容失配校准技术,但其转换速度是传统技术的一半.为了提高速度,本文提出了一种改进的电容误差平均技术.该技术从减少一个转换周期所需的时钟相数目和减少每个时钟相的时间两个方面来优化速度.电路分析和MATLAB仿真表明,在两种典型的情况下,改进的技术能将速度提高52%(跨导放大器为开关电容共模反馈)和64%(跨导放大器为非开关电容共模反馈)以上.改进的技术更适用于高速高精度及连续工作的应用场合.     

弹性波衍射CT

本文直接从等价于弹性动力学Ｎａｖｉｅｒ方程的耦合齐次与非齐次矢量波动方程组出发，围绕弹性波衍射ＣＴ展开了理论研究，尤其是其非齐次方程含有震源项，同时适合Ｐ波和Ｓ波，考虑爆炸震源，引进塑性半径，运用张量运算，推导了Ｂｏｒｎ近似下散射波谱与目标函关系，得到二种数据采集方式下的层析成像ＦＢＰ公式，可同时适用于Ｐ波和Ｓ波，尽管与以往不涉及震源项的结果相似，但本结果更符合地震勘探情况。     

Discussion on "the fractal effect of irregularity of crack branching on the fracture toughness of brittle materials" by Xie Heping

International Journal of Fracture 41 (1989) 267–274     

LDD方法在提高电路工作电压中的应用研究

研究了利用轻掺杂漏结构来制作高电源电压器件的工艺方法。分析了ＬＤＤ结构参数对器件击穿特性的影响，并结合实验结果对Ｎ＾－区的注入剂量，长度及引入的串联电阻进行了优化设计。     

NMOS器件两次沟道注入杂质分布和阈电压计算

分别考虑了深浅两次沟道区注入杂质在氧化扩散过程中对表面浓度的贡献。对两次注入杂质的扩散分别提取了扩散系数的氧化增强系数、氧化衰减系数和有效杂地系数，给出了表面浓度与工艺参数之间的模拟关系式，以峰值浓度为强反型条件计算了开启电压，文章还给出了开启电压、氧化条件、不同注入组合之间的关系式。     

深亚微米MOSFET衬底电流的模拟与分析

利用器件模拟手段对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的衬底电流进行了研究和分析，给出了有效的道长度，栅氧厚度，源漏结深，衬底掺杂浓度以及电源电压对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ衬底电流的影响，发现电源电压对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的衬底电流有着强烈的影响，热载流子效应随电源电压的降低而迅速减小，当电源电压降低到一定程度时，热载流子效应不再成为影响深亚微米ＭＯＳ电路可靠性的主要问题。     

以网格曲线为连续条件的光滑曲面

本文提出一种以网格边界曲线定义曲面的方法。曲面的计算式唯一地由网格的四条边界线的参数而定，各网格间连接的光滑度完全由网格间的边界线的光滑度来决定。当网格间的边界线具有Ｃ~１连续以上的光滑度时，网络曲面间将自动保证是Ｃ~１连续的，否则将是Ｃ~０连续。利用这个方法，可以方便地从线框模型（ｗｉｒｅ－ｆｒａｍｅｍｏｄｅｌ）建立面模型（ｓｕｒｆａｃｅｍｏｄｅｌ）。