基于FPGA的ARM SoC原型验证平台设计

基于FPGA的验证平台是SoC有效的验证途径,在流片前建立一个基于FPGA的高性价比的原型验证系统已成为SoC验证的重要方法。ARM嵌入式CPU是目前广泛应用的高性价比的RISC类型CPU核,文中主要描述了以FPGA为核心的ARM SoC验证系统的设计实现过程,并对SoC设计中的FPGA验证问题进行了分析和讨论。     

基于0.5 μm CMOS集成电路高低压兼容技术研究

将高压MOSFETs器件集成到低压CMOS数字和模拟电路中的应用越来越频繁。文章参考了Parpia提出结构,将高压NMOS、PMOS器件制作在商用3.3V/5V 0.5μmN-阱CMOS工艺中,没有增加任何工艺步骤,也没有较复杂BiCMOS工艺中用到的P-阱、P+、N+埋层,使用了PT注入。通过对设计结构的PCM测试,可以得到高压大电流的NMOS管BVdssn>23V～25V,P管击穿BVdssp>19V。同时,文章也提供了高压器件的设计思路和结果描述。     

基于FPGA的4k点基-16FFT模块的实现

针对高速实时处理的要求,提出了4096点快速傅立叶变换(FFT)模块在现场可编程门阵列(FPGA)中的设计和实现。在运算模块中,基于按频率抽取基-4算法提出了一种新型的基-16蝶型算法,并采用八级流水结构和四路转换器来实现。本文采用块浮点和循环存储结构,避免了溢出和节省了大量的硬件资源。实验结果表明,该方法在保证了运算精度和实现复杂度的同时,使运算速度相对于基-4算法提高了1倍。     

TMS320F240 DSP控制器的串行通信设计

TMS320F240是TI公司的TMS320C2x型16位定点数字信号处理器的DSP控制器,其外设异步串行通信接口因其结构简洁、使用方便,因而在DSP通讯中获得广泛的应用。文章简要介绍了TMS320F240的SCI电路的结构与工作原理,论述了一种通过DSP软件编程实现PC机与DSP间通讯的方法,并设计了通讯结果显示电路,实时监控数据的收发。此设计已通过实践检验,证明其方案可靠,具有很好的参考价值。     

基于8051核的数字电路系统验证技术

SoC设计的重要特征是IP集成,但是不同IP模块的集成给SoC验证工作带来大量的问题.文中基于8051核的总线构建一个8位SoC设计验证平台,该平台可重用IP模块的激励文件,并利用现有的EDA工具对不同设计阶段进行软硬件协同仿真,大大减轻系统验证的工作量.     

一种STN-LCD驱动电路的可靠性分析与设计

文章主要对一种常规的小规模STN-LCD驱动电路在使用过程中出现的可靠性失效问题进行分析和讨论,对在干扰环境中工作的集成电路的芯片级的抗干扰和可靠性设计提出了一些建议及总结。在实际分析过程中,采用模拟再现实际使用环境进行实验等方式,对电路出现的失效现象进行再现和定位。通过对失效结构的设计线路和失效机理的分析,对具体引起失效的上电复位结构和通信端口结构进行了设计改进。目前,经过实际流片和测试,改进方案通过了验证。     

基于CS2502液晶控制器的接口电路设计及编程

文章基于CS2502液晶控制器构建显示模块,分析并阐述了几种可行的与MCU的硬件接口方式及其要点,并从实际应用出发对其指令系统、编程思路进行了探讨。文中着重引出了一种基于间接访问模式下的应用方式,此种方式接口简单,软件可移植性强,具有较好的应用价值。     

用于SRAM的低功耗位线结构

提出了一种用于SRAM的低功耗位线结构,通过两种途径来实现低位线电压.在写操作时,利用单边驱动结构来抑制位线上充电电压的过大摆动;在读写操作时,改进预充结构来使位线电压保持较低.仿真表明,该结构使功耗大大节省.     

用于LDD和SST的SiO2边墙干法腐蚀工艺研究

本文从干法腐蚀角度出发,首先从数学上分析了多晶硅角度,SiO_2边墙的宽度和高度,衬底损失与各工艺参数间的关系,指出边墙的宽度和高度分别取决于多晶硅的角度和过腐蚀量。在Tegal1512e设备上,采用Cl_2、SF_6、N_2混合气体,开发了多晶硅干法腐蚀工艺,讨论了LDD的正胶掩膜及SST的SiO_2掩膜对工艺的不同影响。SEM分析发现了SF_6气体腐蚀的各向同性。在Tegal903e设备上,采用CHF_3、SF_6、He混合气体,开发了SiO_2边墙干法腐蚀工艺,研究了腐蚀的各向异性,辐射损伤,选择比,均匀性及重复性的控制方法。取得的工艺结果为,腐蚀速率(?)_(sio_2)≈400nm/min,均匀性U≤±5％,选择比S_(f8)>10,工序能力指数C_p>1。     

Si／Si1—xGex异质结器件

本文综述了国外Si/Si_(1-x)Ge_xHBT的发展状况,把出Si_(1-x)Ge_xHBT的特点和优越性,分析了Si_(1-x)Ge_xHBT的制造技术和设备要求,指出了Si/Si_(1-x)Gex器件的应用前景。