基于现代谱估计理论的工况模态分析

大型结构如涡轮发动机，桥梁和淑海建筑等通常都处于变化非常大的一种工作环境之下，承受某种随机的环境激励，这时就需要直接利用工况条件下的响应数据提取模态参数。根据环境激励技术（NExT)的相关理论，线性结构中白噪声响应之间的相关函数与系统的脉冲响应函数具有类似的数学表达形式。本文首先将上述结论推广到复模态中，然后采用现代谱理论，运用谐波恢复的扩充的Prony方法，从相关函数中提取环境激励下的结构的模态参数，该方法由于对实模态和复模态进行了统一的处理，因而对于实模态和复模态都适用，通过仿真数值算例表明，该辨识方法对于环境激励下的系统辨识是合理有效的。     

用分子束外延在多孔硅衬底上外延单晶硅来实现SOI结构

用 HF溶液对单晶Si片进行阳极化处理,形成多孔 Si.将多孔Si衬底放入超高真空室在小剂量的Si原子束辐照下进行加热处理,在较低温度下(725—750℃)获得了清洁有序的表面.用分子束外延在多孔Si上生长了1-2μm的单晶Si膜,其卢瑟福背散射沟道产额极小X_(min)<3％,表明外延膜的单晶性能良好.SOI结构已通过随后的侧向氧化多孔Si层获得.     

氧化铁系统气敏陶瓷的电阻温度特性 以及硫酸盐的影响

氧化铁系统陶瓷作为不掺贵金属催化剂的气敏材料需要提高其电阻温度稳定性才能适合定性和定量分析的要求，本文以ＣｕＯ－Ｆｅ２Ｏ３陶瓷烧结体为例，通过引入不同种类不同含量的硫酸盐，探讨了提高此系统对材料电阻温度稳定性的途径。     

SU-8的紫外深度光刻模拟

在微电子机械系统 (MEMS)中 ,大高宽比微结构被广泛应用。由于紫外光衍射效应比较大 ,通过紫外光刻获得高精度的大高度微结构并不容易。本文主要研究了衍射效应对深紫外光刻精度的影响 ,并与实验结果进行了比较 ,理论模拟结果和实验比较吻合。因此 ,通过模拟结果得到不同厚度光刻胶的最佳曝光剂量 ,以便得到更好的微结构图形     

基于混合图的总体布线调整

本文提出了一种基于混合图的总体布线调整方法。混合图是对表示布局的有向图进行一系列精确的顶点分解而产生的。用得到的图模型来表示总体布线信息,从而可以在总体布局优化的同时估计布线对芯片面积的影响,并对总体布线进行调整。由于总体布线是自动更新的,所以布局同时随着布线的调整和模块的移动而改进。本文还提出了多种瓶颈的概念和瓶颈间走线随模块旋转而变化的规律。最后给出的实验结果表明,这种算法在减小芯片面积上获得比较好的结果。     

FeAg颗粒膜近红外光学性质的实验研究

研究了FeAg颗粒膜的光学性质.发现当Fe含量较低时,其介函数谱可以近似的用Drude模型描述,同时电子散射弛豫能量是Fe含量的线性函数,利用该性质经定标后可以确定贵金属中的杂质含量.这种方法具有简单易行、测量速度快,无损检测等优点.实验结果还表明,在近红外区,FeAg颗粒膜的介电函数谱并不能用有效介质模型很好的描述.     

高速Huffman解码器设计与实现

本文设计了一种新的Ｈｕｆｆｍａｎ解码器的算法，它不仅能够减少常规算法对存储空间的要求，更为重要的是它能够在一个进钟节拍中和多个数据，具有明显的优点，最后以ＪＰＥＧ为例描述了它的ＶＬＳＩ实现方案。     

印刷电路板显影废水处理研究

印刷电路板生产中产生的显影废水是一种高有机物含量、成分复杂、难以生化降解的废水.作者采用酸化破乳-铁炭微电解-中和沉淀-SBR组合工艺处理该废水,并通过实验确定最佳工艺参数：酸化破乳pH为3～4,破乳后出水进入铁炭微电解柱,V（铁）：V（炭）=1：1,反应时间为45min,出水加石灰乳调节pH为7～8,中和沉淀;SBR每12 h为一个周期,最佳反应时间为8 h.经组合工艺处理后,原废水CODCr由原来的11000 mg/L降至400 mg/L左右,去除率达到96%左右.     

一种基于图像DC系数的多比特水印

提出了一种新的多比特水印算法。该算法把基于图像自身的水印信息嵌入到图像的DC系数中,通过视觉模型控制DC系数的改变程度,在保证水印不可见性的同时,提高了水印的鲁棒性。为实现水印的盲检测,采用Gold码序列对水印信息进行了扩频。在检测阶段,充分利用Gold序列良好的相关性恢复出水印。应用所提出算法,把水印信息嵌入到一幅512×512的灰度图像中。实验表明,该算法对常规信号处理攻击和几何攻击具有很强的鲁棒性。     

Ti中间层对超薄Ni膜硅化反应特性的影响

在多种Si衬底上利用离子束溅射淀积超薄Ni膜以及Ni/Ti双层膜,经过快速热退火处理完成薄膜的固相硅化反应,通过四探针法、微区喇曼散射法和俄歇深度分布测试法研究了Ti中间层对Ni硅化反应的影响.实验结果证明Ti中间层抑制了集成电路生产最需要的NiSi相的形成.