硅微机械平面电感的衬底效应

提出了一种品质因数(Q)的计算方法,分析了对于平面螺旋电感Q值产生决定性影响的各种因素.在微机械电感传统模型的基础上对涡流效应产生的寄生电阻和有损衬底电容进行了细致的研究,并且得到了理论结果.研究结果表明,Q值的大小与几何参数和工作频率均有关.通过理论分析和计算,可以得到结构优化的方法.     

一种高并行度的H.264帧内预测器的VLSI设计

分析了帧内预测的17种模式,对于每个4×4大小块的16个像素点的不同模式的预测公式之间的相同运算,采用数字强度缩减的方法去除计算的冗余,提出了一种高并行度的帧内预测器,可以每个时钟周期处理16个像素点的预测值。基于SMIC0.18μm工艺,用verilog对该设计进行了VLSI实现,综合后的电路的关键路径最大时延为10ns,电路规模不超过1.4万门,数据吞吐率可以达到1600Msamples/s。从实现结果来看,与采用可重构方法的设计相比,该设计在相同的并行度下减小了电路面积,简化了控制逻辑。     

薄膜应力的研究

本文首先简述了薄膜应力研究的发展过程,并指出了薄膜应力在薄膜研究与生产中的普遍性和重要性。薄膜应力研究的基本问题包括应力的测量、应力产生的机制、应力的控制和应力的作用。应力与薄膜结构、性能之间存在着相互影响的复杂关系。在综述前人研究工作的基础上,本文还简要介绍了Co—Cr合金膜和Gd-Fe合金膜的应力研究结果。     

非接触型光外差轮廓仪

本文介绍一种纳米级非接触型高精度光外差轮廓仪,它是基于普通光路的光外差干涉仪。工件表面被两束有微小频差的激光束所照射,其中一束经聚焦后用作测量光探针来扫描工件表面,另一束则用作参考光束。两束光经表面反射后产生干涉。测量信号和参考信号的相位差与表面的微不平值成正比。仪器的横向分辨率为2μm,高度分辨率为1 nm,它不需要对试样作大范围的调整,且可用试样自身作参考面。信号经光电转换后由微型计算机进行处理,它能快速完成测量、计算、显示及打印出各种参数和曲线。     

Pb/Sn凸剪切性能研究

在实际使用条件下,Pb/Sn凸点会由于承受温度循环而产生剪切应力,剪切应力导致的主要失效方式是开裂.通过对倒装焊后Pb/Sn凸点剪切强度的测量及对剪切后断口的分析,发现破坏主要发生在凸点下金属(UBM)层内部或UBM与Al焊盘之间,平均剪切强度受凸点尺寸影响很小,范围在21～24MPa。     

不锈钢上激光熔敷涂层结构特征与质量研究

采用5kW连续CO2激光器对经等离子喷涂的NiCoCrAlY结合层和ZrO2陶瓷层进行二次重熔处理，并利用金相显微镜、扫描电镜、电子探针和显微硬度计对激光熔敷涂层进行了显微结构、元素分布以及显微硬度观察与测试，结果表明：多道搭接工艺能降低熔敷涂层气孔率，ZrO2陶瓷层稀释度低，与基体结合完好，并观察到NiCoCrAlY合金层中存在明显的对流图案，加入了TiO2-Al-Ti添加剂的ZrO2陶瓷层激光重熔后得到了无裂纹的定向生长柱状晶，并且呈现一次枝晶平均间距为2．3μm的表层和平均间距为3．8μm的次表层结构。     

多相DC-DC主板电源控制器的设计

采用1.2μm BiCMOS工艺设制了多相控制器电路.测试结果表明,该控制器符合Intel公司为P4处理器电源制定的VRM9.0标准.     

High-k材料MOS器件的PISCES-II模拟

High-k材料是指介电常数k高于SiO2的材料。使用high-k材料做栅绝缘层,是减小MOS器件栅绝缘层直接隧道击穿(DirectTunneling,DT)电流的有效方法。文章在二维器件模拟软件PISCES-II中添加了模拟以high-k材料为栅绝缘层的MOS器件模型,并对SiO2和high-k材料的MOS晶体管器件特性进行了模拟比较,成功地验证了所加high-k材料MOS器件模型的正确性。改进后的PISCES-II程序,可以方便地对以各种high-k材料为栅绝缘层的器件性能进行模拟。     

谐振式力传感器对其晶振频率稳定度的要求

为了寻找石英晶振频率稳定度对传感器影响的判据,根据石英谐振式力传感器的灵敏度阈值和量程与晶体的相关常数及结构参数间的关系,导出了反映谐振式力传感器研究水平的指标参数与晶体结构参数及晶振频率稳定度之间的关系式,为传感器的研究提供了依据。例如,欲制作量程阈值比达到105量级的传感器,所用晶振的频率稳定度必须优于108。     

项目全程管理--建筑师业务的新领域

本文系统地论述了作为建筑师业务新领域的项目全程管理(PM)的内容、方法、历史以及国外建筑设计领域中的应用.在与我国现行设计体制的比较中,特别是在建筑生产全过程的对比中,提出了我国开展项目全程管理的业务方向与前景.