锗纳米镶嵌薄膜的电致发光及其机制

采和射频磁控溅射技术,在Ge纳米镍嵌薄膜的基础上制备出电致发光器件。器件的结构为半透明Au膜／Ge纳米镍嵌薄膜／p-Si基片。当正向邻居坟大于6V时,用肉眼可以观察到可见的电致发光,但在反向偏压下探测不到光发射。所测电致发光谱中只有一个发光峰,峰位在510nm（2．4eV,绿光）,并且随着正向偏坟的升高,峰位不发生移动;对于不同温度退火的样品,峰位也保持不变。根据分析结果讨论了可能的电致发光机制。     

准连续半导体激光器的传导冷却封装优化

为了提高准连续输出功率为×102W量级的半导体激光器的输出功率和可靠性,采用双面散热方式提高传导冷却封装的散热能力。结果表明,采用改进的封装方式后,激光器的最高输出功率由91.6 W提高到98.4W,阈值电流由15.6 A减小到15.1 A,斜率效率由1.09 W/A提高到1.16 W/A,插头效率略有增加。激光器在100 A工作电流时,有源区的温度和激光器的热阻都有所减小,说明改进的封装方式具有更好的散热性能。     

α''''''''-Fe_(16)N_2的制备及性能研究

通过球磨 α-Fe和脲的混合粉末 ,制得 α -Fe( N)超细粉末 ,其 N原子摩尔分数 x为8.8% ,饱和磁化强度 σs为 2 4 2 .7A· m2 /kg。再经 1 60℃真空退火 1 0 h,部分 α -Fe( N)相转变为 α"-Fe16N2相 ,样品中 α"-Fe16N2 相的质量分数为 2 3.5% ,σs约为 2 87A·m2 /kg。在 350℃退火 1 h,α"-Fe16N2 转变为σ-Fe相和 γ-Fe4 N相