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51.
2006年10月,国家广播电视总局正式颁布了中国移动多媒体广播标准CMMB,该标准采用广电系研发的信道解调标准STiMi,主要面向手机、PMP等便携式设备的移动数字电视和音频信号接收,如图1所示。CMMB的特点是采用具有自主知识产权的移动多媒体广播电视技术,系统可运营、可维护、可管理。目前,国家广电总局颁布了11项移动多媒体广播电视行业标准, 相似文献
52.
平台式FPGA中可重构存储器模块的设计 总被引:1,自引:1,他引:0
可重构静态存储器(SRAM)模块是场可编程门阵列(FPGA)的重要组成部分,它必须尽量满足用户不同的需要,所以要有良好的可重构性能.本文设计了一款深亚微米工艺下的16-kb的高速,低功耗双端口可重构SRAM.它可以重构成16Kx1,8Kx2,4Kx4,2Kx8,1Kx16和512x32六种不同的工作模式.基于不同的配置选择,此SRAM可以配置为双端口SRAM,单端口SRAM,ROM,FIFO,大的查找表或移位寄存器,本文完整介绍了该SRAM的设计方法,重点介绍了一种新颖的存储单元电路结构:三端口存储单元,以及用于实现可重构功能的电路的设计方法. 相似文献
53.
由于体积、表面积等常规形态学指标对于皮层下核团而言过于笼统,因此传统的形态特征获取手段难以检测到其表面形态的细微变化。为解决这一问题,本文提出了一种针对皮层下核团的精细特征提取算法,并将其应用到老年人认知状态预测任务上。通过表面共形参数化、表面共形表示和基于互信息的表面流配准,提取了46名被试双侧海马和杏仁核各15 000×2个顶点上的形态学特征;通过斑块选择、稀疏编码与字典学习,和最大池化的降维流程,避免了维度诅咒的同时充分保留了核团的纹理信息;最后,以树为弱学习器,采用GentleBoost算法集成了最终的强分类器做认知预测。结果显示,仅纳入海马和杏仁核两个皮层下结构的新颖特征,即可达到85%的预测准确率,为皮层下结构的精细特征发掘提供了新思路。 相似文献
54.
近年来,基于薄膜铌酸锂(TFLN)平台的高性能电光调制器以其小体积、低能量损耗等特点受到广泛关注。本文提出了一种新的具有垂直电极结构的Y波导铌酸锂薄膜电光调制器。研究了调制器的半波电压与缓冲层厚度之间的关系,优化了Y波导的设计参数,最后设计得到插入损耗<5 dB, 半波电压<1.5 V的高性能调制器。本文不仅为基于TFLN平台的小型化波导的设计和实现提供了思路,而且为制造高性能和多功能的电光调制器提供了实验依据。 相似文献
55.
<正>随着光子技术在光纤通信、微波光子学、激光雷达、量子信息处理等领域的广泛应用,光子和光电子集成的重要性日益突显,成为解决相关应用面临的体积、功耗和成本瓶颈的关键。实际上,早在20世纪60年代就提出了集成光学的概念。受到集成电路(IC)技术的启发,提出了光子集成回路(PIC)和光电集成电路(OEIC)的概念,期望通过集成技术来增强光电子器件的性能,减小体积和功耗,并提高可靠性。然而,相比于集成电路芯片的迅猛发展,光子和光电子集成由于面临材料和工艺等一系列挑战,直到近十余年才实现突破。目前,大规模光子集成技术正在逐渐走向实用化。 相似文献
56.
为了考察深刻蚀结构的回音壁模式半导体微腔激光器的寿命,采用恒电流模式对InGaAsP/InP多量子阱耦合双圆微腔激光器进行了电老化试验,电流应力为100mA,老化总时长为1400h。对比了电老化试验前期、中期和后期器件的输出光谱和功率-电压-电流(P-V-I)特性,以器件稳定工作的电老化中期为例分析了器件的性能。分析了输出功率和阈值电流随时间的变化情况,判断出在电老化试验期间器件退化模式始终为渐进模式。以器件输出功率降到初始值的50%作为失效判据标准,在100mA电流下,器件的寿命约为1200h。 相似文献
57.
硅材料在1.1~8.5 μm有非常低的吸收损耗,因此硅基光电子学有望扩展到中红外波段。并且随着通信窗口扩展、气体分子检测、红外成像等应用需求的出现,硅基中红外波段器件研发工作的开展势在必行。在中红外波段硅基光电子器件中,硅基调制器有着举足轻重的地位:它是长波光通信链路中不可或缺的一环,还可以应用在片上传感系统中提高信噪比、实现光开关等功能。研究发现,相比于近红外波段,硅和锗材料在中红外波段有更强的自由载流子效应和热光效应,因此,基于硅基材料的中红外调制器具有独天得厚的优势。系统总结了中红外硅基调制器的发展趋势和研究现状,介绍了基于硅和锗材料的电光调制器以及热光调制器的工作原理和最新研究进展,最后对中红外硅基调制器进行了总结与展望。 相似文献
58.
Protel 99SE电路仿真 总被引:5,自引:0,他引:5
梁恩主 《计算机测量与控制》2000,8(5):59-60
电路仿真可提高电路设计效率和降低成本。文章从实际应用的角度出发 ,全面介绍了Protel 99SE电路仿真功能 ,旨在让更多的电子设计工程师了解和掌握此电路分析设计工具 ,并令其在电子设计过程中发挥作用。 相似文献
59.
60.
采用离子束溅射方法在Si衬底上制备Si/Ge多层膜,通过改变生长温度、溅射速率等因素得到一系列Si/Ge多层膜样品;通过X射线衍射、Raman散射等表征方法研究薄膜结构与生长条件的关系。在小束流(10mA)、室温条件下制备出界面清晰、周期完整的Si/Ge多层膜。 相似文献