PbSe量子点的制备与近红外波段光学性质研究

通过化学溶液体系中反应温度与原料配比的控制获得了尺寸分布均匀的窄带隙半导体PbSe量子点。利用吸收光谱、X射线衍射（XRD）、透射电子显微镜（TEM）和高分辨透射电子显微镜（HRTEM）等手段研究了化学溶液法制备的PbSe量子点形貌、尺寸分布及红外吸收等特性。结果表明,所获得的量子点尺寸分布均匀,结晶性良好,并实现了第一吸收峰在885 nm～2 200 nm范围内可调的PbSe量子点。     

砷注入碲镉汞光电二极管及其电学特性的等效分析

通过对碲镉汞材料进行Ａｓ＾＋注入以及退火，成功地制备Ｐ－ｏｎ－Ｎ型光伏器件。器件的截止波长为５．５μｍ，黑体探测率Ｄ＾＊（５００Ｋ，１Ｋ，１００）可达２．１×１０＾１０ｃｍＨｚ＾１／２Ｗ＾－１。通过对器件的变温电流－电压关系的测量，利用等效电路进行拟合后，我们发现，限制器件优质因子ＲｏＡ的主要因素是并联电阻。估计此并联电阻可能由表面漏电和体缺陷引起。     

BC7281A串行通讯的解决方案

本文重点阐述数码管显示及键盘接口专用控制芯片BC7281A与MCU串行通讯中应注意的几个问题,给出了有效的解决方法,并提出了改进建议。     

CuInSe2薄膜的化学溶液制备方法

采用了一种低成本化学溶液法制备铜铟硒(CuInSe_2,CIS)薄膜.研究了预退火温度、硒化温度及基片衬底等实验参数对材料性能的影响.采用硝酸铜和氯化铟配置前驱体溶液,旋涂法制膜,后经480℃硒化退火得到CIS薄膜.XRD测试结果表明薄膜结晶性良好,具黄铜矿结构;SEM测试结果显示薄膜由较大晶粒组成,表面相对平整致密;EDX测试显示薄膜组分相对合理,略贫Cu而富Se.采用此薄膜为吸收层制备CIS原型薄膜太阳能电池,其光电测试显示单层CIS光伏响应达到1.6%.     

基于三角模融合准则的滤波算法

本文针对线性和非线性混合滤波技术的不足,提出了一种基于三角模融合算子的混合滤波算法.此算法根据信息融合的竞争性、互补性、冗余性的特点,运用三角模算子对边界点进行融合判断,从而根据融合结果,进行混合滤波.本算法很好地克服了单源判别边界点误报风险大、可靠性和容错性差的弊端,改进了滤波性能.后续实验证明了本算法的有效性,为图像滤波的技术发展提供了一个新的探索途径.     

SiC对烧结堇青石材料性能的影响

以高岭土、滑石和工业氧化铝为矿物原料烧结制备了堇青石陶瓷,通过X射线衍射仪、扫描电镜、万能材料试验机和热膨胀仪等测试手段,研究了添加不同含量SiC对烧结堇青石陶瓷相组成和性能的影响,并比较了添加不同颗粒尺寸的SiC对烧结陶瓷强度的影响。试验表明,随着SiC添加量的增加,堇青石陶瓷的弯曲强度、致密度和热膨胀系数逐渐增大。当添加SiC的质量分数为5%、粒径为5.0μm时,烧结堇青石陶瓷的强度较未添加时增大了41.9%,而热膨胀系数的增幅不大。     

炭/炭复合材料表面改性及其杂散光抑制性能

采用化学气相沉积法(CVD)制备低密度炭/炭(C/C)复合材料,然后在其表面喷涂无光漆并对部分喷漆样件进行800℃炭化处理,制得表面改性C/C复合材料。对表面改性C/C复合材料的微观结构及杂散光抑制性能进行研究。结果表明:C/C复合材料经喷漆处理后,比表面积由0.324增大至0.554,部分喷漆样件经800℃炭化处理后,比表面积增大至1.114;在可见光波段内,C/C复合材料经喷漆及炭化处理后其光谱反射率显著降低,光谱反射率值小于2%,具有良好的杂散光抑制性能。     

一种热红外分裂窗辐射量线性组合的陆地温度遥感反演方法

分裂窗技术已成功应用于海温反演.但当其用于陆地温度反演时,通常产生较大误差.选用7类共51种标准地物,分析研究了各种分裂窗算法用于陆面温度反演所产生的误差及误差来源.提出了新的分裂窗算法,用分裂窗辐射量线性组合代替亮温线性组合.新的分裂窗反演算法受大气影响很小,使陆地温度反演精度优于3K,水体反演精度优于0.15K.     

碲镉汞富碲垂直液相外延技术

研究了碲镉汞富碲垂直液相外延技术.在研究该关键技术的过程中,提出了一种方法以检查外延前(Hg1-xCdx)1-yTey母液的均匀性.并且,通过减小生长腔体中的自由空间,对气体的对流和汞回流进行了抑制,及通过改进工艺过程中的温度控制方式来应对因对流和汞回流而造成的生长温度不确定性.在解决上述关键技术后,实现了碲镉汞垂直液相外延工艺的稳定性,所外延的中波碲镉汞材料的组分可重复性做到了±0.005,厚度控制能力达到了±5μm ,40×30mm2外延材料的横向组分均匀性(相对均方差)小于1.3×10-3,同生长批次材料片与片之间的组分和厚度差异分别小于0.001和1μm.在10mm线度上,表面起伏小于1μm.经热处理后,中波汞空位p型材料在77K下具有较高的空穴迁移率.另外,和水平推舟技术相比,垂直碲镉汞液相外延在提供大批量和大面积相同性能材料方面具有明显的优势,这对于二代碲镉汞红外焦平面批生产技术和拼接型超大规模红外焦平面技术的发展都具有重要的意义.     

一维Metamaterial禁带性质的定性分析

用变容二极管制作了可调Metamaterial,基于微波网络理论,推导了这种新型复合材料的色散方程.在实验测量的基础上,分析了禁带宽度和深度与电容之间的关系.实验发现:禁带的宽度既不是随着电容的增大而增大,也不是随着电容的增大而减小,而是与二极管电容对匹配点的偏离有关,当其电容大小等于匹配电容时,偏离为零,禁带消失,电容偏离匹配点的数值越大,禁带越宽,同时也越深.理论分析表明,当二极管电容与匹配电容相等时,微波反射为零,因此禁带消失.