聚苯硫醚及纳米二氧化硅复合材料的等温结晶动力学

应用差示扫描量热法(DSC)研究了聚苯硫醚(PPS)以及聚苯硫醚/纳米二氧化硅(nano-S iO2)复合材料的等温结晶行为,并考察了结晶动力学参数,揭示了PPS的等温结晶特性和nano-S iO2对PPS结晶行为的作用。结果表明,少量nano-S iO2的加入降低了PPS的结晶活化能和端表面自由能,明显提高了PPS的结晶速率。偏光显微镜观察到PPS和复合材料均表现出球晶生长方式,与A vram i指数约等于3.0的计算结果基本吻合。     

新型可返工环氧底部填充料的合成和性能

合成了两种分别含有叔酯键和叔醚键的环氧化合物EP-1和EP-2,其结构通过红外光谱、氢核磁共振谱及环氧当量测定等方法得到证实.EP-1与已有商品ERL-4221以环氧物质的量比1:1混合组成EP-3.EP-2和EP-3用酸酐类固化剂HMPA固化.TGA测试表明它们具有理想的起始热分解温度(IDT=210～220℃),显著低于现在普遍应用的环氧底部填充料ERL-4221(IDT=310℃).它们的粘结强度和玻璃化转变温度Tg在返工温度(225℃)老化数分钟后迅速降低,可以满足当前微电子倒装芯片封装对可返修工艺的要求.     

PMMA/SiO2复合微球在常规乳液体系中的制备及其形态研究

以4-乙烯基吡啶(4-VP)为辅助单体,分别使用十二烷基硫酸钠(SDS)和OP-40(CA897)作乳化剂,在SiO2存在下用常规乳液聚合合成了PMMA/SiO2复合微球.在阴离子乳化剂体系中,通过改变聚合物乳胶粒大小可以得到不同形态的复合微球,在非离子乳化剂体系中,可以得到草莓型或核-壳形态的SiO2/PMMA复合微球,取决于单体滴加速度、乳化剂的浓度和单体/SiO2比.复合微球的形态通过透射电镜及扫描电镜进行表征.     

铝在纳米纯铁中的低温扩散行为

通过表面机械研磨处理（SMAT）技术在纯Fe上制备纳米结构表层。利用X射线衍射（XRD）表征其平均晶粒尺度,使用氢脆技术表征样品表面机械研磨层的微观组织结构,用二次离子质谱仪（SIMS）测量Al在SMAT纯铁纳米结构表层中的扩散性能。结果表明,经过SMAT处理纯Fe表层形成平均尺寸约为31nm的组织。在300-380℃范围内Al在SMAT制备纳米晶Fe中的扩散系数比Al在粗晶纯Fe中扩散系数高6-7个量级。扩散激活能为134kJ/mol,低于传统扩散激活能。扩散性能的提高源于其中具有大量高位错密度的非平衡晶界。     

分子筛基纳米复合防晒剂的制备和表征及应用研究

利用离子交换法制备了一种新型的分子筛基主客体纳米复合FeO3-Y防晒剂。通过XRD、ICP、TEM和UV-vis等分析表征手段证实：由于客体团簇在分子筛的孔道中有序排列,即使在较低的含量下,这种主客体复合体系依然表现出很高的紫外吸收作用。与商品级纳米二氧化钛相比,这种防晒剂由于不具有光催化氧化性和透皮的安全隐患,所以具有更高的安全性。在粉底化妆品中的初步应用研究结果表明：这种复合防晒剂在配方中表现出了明显的抗紫外性质,与纳米二氧化钛复配后其抗紫外性质有很大提高。     

高分子量水溶性疏水缔合聚合物的合成条件研究

对合成AM/AHAC二元共聚物的引发体系进行了筛选,研究发现,用K2S2O8-DMAAM引发体系合成的聚合物相对分子量高于其它引发体系,并在此基础上进一步考察了DMAAM浓度、单体浓度、反应温度及反应时间对聚合物分子量的影响。结果表明,单体浓度为20%、K2S2O8浓度为80 mg/L,DMAAM浓度为60 mg/L,反应温度为30℃,反应时间为6 h条件下,合成的聚合物分子量较高。     

发电机定冷水系统不明异物的表征和分析

为解决发电机定子线圈槽的异常升温现象,利用扫描电子显微镜、能谱仪等现代分析手段对300MW发电机定冷水系统不明异物进行了表征和分析。结果表明,定冷水箱中的不明异物是离子交换有机树脂、腐蚀产物氧化铜、氧化铁以及外部引入的硅胶和泥沙;过滤网中的不明异物是腐蚀产物氧化铁及碳酸钙等所组成的颗粒混合物。由于异物的堵塞导致发电机定子线圈槽的异常升温。提出了解决方法,为大型发电机组长期安全稳定运行提供了实用数据和科学依据。     

Forouhi-Bloomer离散方程在低k材料光学表征上的应用

半导体工艺中对低k介质材料的精确表征是工艺监控的重要环节,传统方法如扫描电子显微镜和透射电子显微镜存在耗时长和破坏性等缺点。使用一种结合了Forouhi-Bloomer离散方程组和宽光谱分光光度法的新方法,对低k薄膜进行光学表征,得到薄膜的折射率n、消光系数k和膜厚d,并将结果与椭偏仪的测量进行比较,证明了使用F-B方程在半导体工艺中精确表征低k材料的能力和这种方法快速无损的优点。     

一种面向PCB的全印制电子技术

文章介绍了一种新兴的印制电子技术及其技术进展现状;概述了喷墨印制PCB加成法的技术特点,并就我国在印制电子技术的研发方面应采取的对策提出了一些建议。     

倒装芯片中铝腐蚀的红外显微镜观测研究

倒装芯片（ｆｌｉｐｃｈｉｐ）是当前电子封装领域中的研究热点之一．本文利用新型的红外显微镜,在不破坏焊点的情况下,首次观测到一种倒装芯片封装器件经过稳态湿热试验后的铝腐蚀模式,并用一种有损失效分析的方法验证了红外显微镜的观测结果．实验发现,该倒装芯片在含有与不含有下部填充料的情况下具有完全不同的铝腐蚀模式和腐蚀机理