COF结构中键合力损伤芯片Al层的研究

运用实验和有限元模拟相结合的方法，研究了非导电膜和金金共金工艺中键合力对芯片Al压焊块内应力分布的影响，并分析了样品的失效部位和失效原因．挠性基板上印制线宽度不同时键合力对芯片损伤情况的研究表明，小印制线宽度在相同单位面积键合力情况下对Al压焊块损伤较轻．讨论了印制线宽度对键合偏移容差的要求．     

大功率LED封装的温度场和热应力分布的分析

针对典型的大功率发光二极管(LED)塑封器件,建立了3D模型,对器件内部从初始到正常工作状态过程中的温度分布和热应力分布进行了有限元分析模拟,并测试了实际器件表面特征点的温度变化.瞬态热分析的结果与实际的器件表面温度实测数据吻合较好.考虑到不同散热条件的影响,给出了该大功率LED塑封器件中热应力集中区域和该类器件适当的工作范围.     

用二次离子质谱和扩展电阻探针技术测量硅中注入硼的深度分布及扩展电阻探针技术分辨率的估算

利用二次离子质谱和扩展电阻探针技术测量了硅中注入硼的深度分布 .在适当的测量深度 ,用扩展电阻探针技术测得的结果对二次离子质谱技术测量的结果进行了标定 ,从而得到硅片中硼原子的深度分布 .用近似模型估算了扩展电阻探针针尖半径对测试分辨率的影响 .若探针针尖半径为r0 ,测量斜面的角度为 ξ ,在用扩展电阻探针技术测量载流子浓度的深度分布时 ,可以近似认为深度分辨率为 7 86r0 sinξ.还定性讨论了样品表面耗尽层对扩展电阻探针技术的影响.     

纳米氧化铝对聚甲醛力学性能及摩擦磨损性能的影响

用双螺杆挤出机制备了纳米氧化铝改性聚甲醛材料,研究了纳米粒子在基体中的分散状态、复合材料的力学性能及摩擦磨损性能.结果表明:纳米粒子在基体中基本达到了纳米级的分散;纳米氧化铝的加入使材料变脆,但刚性增强,聚甲醛纳米复合材料的干摩擦性能降低,磨损的主要机理为磨粒磨损,聚甲醛纳米复合材料的油摩擦性能得到了显著提高.     

用于多点测试的全光纤速度干涉仪研究

基于时分复用（TDM）原理，提出了一种新型的用于多点速度测试的全光纤干涉系统，通过同一个冲击靶面的测速实验验证方案的可行性。该系统通过在原有全光纤速度干涉仪（AFVI）的探测端口引入光纤耦合器和延迟线，由于延时的存在，被测点干涉信号之间在时间上存在相同的延时，利用时分复用原理，能够实现以往需要多套速度干涉仪才能实现的对测试靶面的多点测试功能。通过对同一个测试自由面上的两点进行测试，得到了具有一定时延的相似干涉条纹，而且延迟的时间与光纤延迟线对应。实验验证了系统设计的正确性。     

STM脉冲电压极性对材料微细加工影响的研究

利用扫描隧道显微镜（SIM）可对不同材料表面进行纳米级微细加工。在选取高定向裂解石墨（HOPG）和有机电双稳材料Ag-TCNQ分别进行直接刻蚀和电学改性的研究中，发现SIM脉冲电压极性对实验结果有影响。本文为此构建了物理模型，分析表明在不同极性的脉冲电压下，分别主要呈现电场效应或电子轰击效应。需要针对具体材料的具体加工要求，选择卿相应的脉冲电压极性。     

M_(1—β)(TCNQ):用于可擦式高密度存贮器的信息薄膜材料

利用我们自己开发的新型分子电子材料的光致变色性能可制成可擦写的光盘,它的特点是可用任意波长的激光写入,用热、电或光擦除。已经做到Ag_(1-β)(TCNQ)的写擦循环次数N>1000,反差系数K>50%。利用它的电开关性能则预计可在cm~2的基片上用“5μm平面工艺”制成两种1兆位(MB)存贮器。第一种称为“金属有机存贮器(OMM)”,是全固态的电擦除可编程只读存贮器(E~2 PROM),可做在硅片上并与硅器件兼容;另一种称为“可擦式存取存贮管(EAST)”,是一个特殊的电子管,可用作随机存取存贮器(RAM),用电子束进行信息的写入、读出、擦除。这两种存贮器的存贮密度都可接近于光盘存贮器而存取时间相当于半导体存贮器。它们都不用半导体单晶,没有p-n结;器件面积小、工艺简单。可以认为是分子电子学方面真正有实用价值的一些工作的开端。     

利用STM制作有机LB膜超高密度存储器

利用有机材料制作高密度存储器是当前纳米电子学研究的一个热点.有机LB膜的有序分子排列和能精确控制厚度的膜层被认为是高密度存储器理想的基体.具有原子分辨率及纳米量级局域作用微区的扫描隧道显微镜(STM)的出现则提供了制作超高密度存储器一种有力的高技术手段.本文介绍利用STM在有机LB膜上制作超高密度存储器.以硬脂酸制备多层LB膜,其形貌由STM成像.施加于STM针尖上的脉冲偏压,在LB膜表面的局域区域产生足够的强电场,使该微区转换为低阻导电状态,以高、低阻态分别表示两种逻辑状态,就完成了一次"写入"操作.LB膜材料的高、低阻态由STM的伏安特性(I-V)和扫描隧道谱(dI/dV-V)加以表征.用幅值较小的脉冲实现"读出"操作.该材料LB膜上存储的信息能保持很长时间,显示了潜在的应用前景.     

制备工艺对PAR电双稳薄膜电特性的影响

采用真空蒸发的方法将有机电双稳材料PAR制成Al/PAR/Al夹层结构.详细研究了薄膜厚度、电极面积、退火处理和自然放置等因素对薄膜电性能的影响.结果表明,采用适当的工艺,能够获得性质均匀、电特性良好的电双稳薄膜(转变电压的分散性小于10%,延迟时间基本小于5μs,转变时间在20ns左右).Al/PAR/Al结构可以简单等效为电阻与电容的并联,而退火与自然放置将使薄膜结构趋于稳定.     

新型稀土功能助剂应用及发展趋势

介绍了近年来稀土化合物在塑料应用研究中的新进展。重点介绍利用稀土化合物在PP中开发成功一种高效的新型β成核剂、合成了稀土表面处理剂。结果表明稀土助剂无毒、高效、多功能,具有传统助剂难以比拟的优越性能。