Ti的嵌入原子法函数与温度的关系

通过拟合不同温度下ｈｃｐ结构金属Ｔｉ的晶格常数和弹性模量，并考虑具有普适性的Ｒｏｓｅ关系，得到了Ｔｉ的温度依赖嵌入原子法（ＥＡＭ）函数。这些不同温度下的ＥＡＭ函数均满足稳定结构条件和Ｃａｕｃｈｙ不等式，从而证明了它们的可靠性。本文结果说明了ＥＡＭ函数同温度有关，并为不同温度下Ｔｉ基金属材料的特性研究提供了相应的Ｔｉ的ＥＡＭ函数。     

利用I-Z曲线的STM"接触"模式的电学测量和表面改性研究

利用STM对金属有机络合物电双稳材料Ag—TCNQ薄膜进行电学性质的表征与改性，在针尖强电场的作用下，当电压达到某一阈值后薄膜从高阻态跃迁至低阻态，这两种高低阻态分别定义为一个存储单元的“0”与“1”状态。本文考虑到在STM的常规恒流工作模式下，针尖与样品之间的隧道结对于电学性质的表征与改性具有影响。为此测量隧道电流I对隧道结宽度Z的依赖关系，I-Z曲线，从而确定针尖刚好接触样品的接触点，利用STM进行了针尖与样品“接触式”的电学测量和表面电学改性研究，并与常规工作模式进行了比较。     

利用STM构建金属有机材料的纳米结构和改变电学性质

研究和开发利用扫描隧道显微镜(STM)对材料进行纳米尺度加工的功能，藉助于STM针尖和样品之间的强电场在金属有机络合物Ag-TCNQ薄膜表面构建了纳米点、纳米点阵和纳米线等纳米结构。伏安(I-U)特性曲线和扫描隧道的测试表明，在针尖强场作用后材料表面的局域电子态密度迅速增大，在电学上由高阻态转变为低阻态，这种效应可能归因于金属原子和有机分子之间的电荷转移。这些纳米结构展示了用作高密度存储器和纳米导线的可能性，有机导电材料将是未来纳米电子材料的理想候选者，而STM则将成为纳米电子学微细加工的有力工具。     

遗传算法用于电子枪发射系统的全局最优化设计

常用的优化设计方法，如单纯形法、Powell法等，易陷入局部最优解，而遗传算法是一种新兴的直接搜索最优化算法，它模拟达尔遗传选择与自然进化的理论，根据“适生存”和“优胜劣汰”的原则，借助“复制”、“交换”、“突变”等操作可以得到全局最优解，本将遗传算法运用于电子枪发射系统的最优化设计，得到了使交叠点半径尽可能小的发射系统的最佳结构和相应电参量。     

溶胶—凝胶法制备掺氟二氧化硅低介电常数薄膜

采用溶胶－凝胶法制备了低介电常数SiO2薄膜和SiOF薄膜，F的掺入明显地降低了SiO2薄膜的介电常数。研究了F的掺杂量对薄膜介电常数的影响，测定了10－300kHz范围内电容随频率变化的曲线，并计算了相应介电常数。二次离子质谱对薄膜深度分析的结果表明，F在薄膜中的分布是不均匀的。讨论了溶胶－凝胶法制备掺F的SiO2薄膜过程中各种因素对介电常数的影响，并用原子力显微镜观察了薄膜的表面形貌。     

透明导电IMO薄膜的载流子浓度测量

用反应蒸发法制备的掺钼氧化铟 ( In2 O3:Mo,IMO)薄膜在可见光区域的平均透射率 (含 1 .2 mm厚玻璃基底 )超过 80 % ,电阻率最低达 1 .7× 1 0 - 4Ω·cm。采用等离子振荡波长法、van-der-Pauw法和光谱拟合法等三种方法对IMO薄膜和 ITO薄膜的载流子浓度进行了测量和比较 ,结果表明 IMO薄膜的载流子浓度还不到 ITO薄膜的三分之一。因此 ,IMO薄膜对可见光的吸收小 ,有很大的发展空间可以通过提高载流子浓度而进一步提高电导率 ,对近红外线也有较高的透射率 ,有利于拓展透明导电薄膜的应用领域     

交联壳聚糖膜对醇—水混合液的渗透汽化性能

在壳聚糖液中加入交联剂,制备出不溶性的交联壳聚糖膜。该膜对醇—水混合液具有良好的分离性能,对某些醇—水混合液可以达到一次性分离。交联剂用量对膜的性能有很大的影响,随着交联剂用量的增加,膜的溶胀度和吸水率下降,醇—水混合液的分离系数下降,渗透通量增大。关于温度和料液浓度对交联壳聚糖膜的渗透汽化性能的影响也作了研究。前文报道了醇—水混合液通过壳聚糖膜的渗透汽化分离性能。虽然壳聚糖膜对醇—水混合液具有良好的分离性能,但它在低醇含量的水溶液中,溶胀度较大,膜的尺寸稳定性差。为了提高膜的尺寸稳定性,我们制备了交联壳聚糖膜,对其渗透化性能进行了研究。     

基于全光纤干涉的新型光纤长度测量系统

设计了一种新型的光纤长度测量系统,该系统基于全光纤干涉系统,通过扫频系统和压电陶瓷实现对两束相干光信号的相位差进行调制,并在信号处理端检测出待测光纤的消光频率从而计算出待测光纤长度.与传统的时域反射仪(OTDR)测量方法相比,该系统不存在测量盲区,适用于各种长度光纤的测量.从理论上分析了系统的可行性,并用实验加以验证.实验结果表明该系统的测量结果与OTDR基本一致.     

铜线键合Cu/Al界面金属间化合物微结构研究

由于铜线具有较高的热导率、卓越的电学性能以及较低的成本,被普遍认为将逐渐代替传统的金线而在IC封装的键合工艺中得到广泛的应用。铜线键合工艺中Cu/Al界面金属间化合物(IMC)与金线键合的Au/Al IMC生长情况有很大差别,本文针对球焊键合中键合点的Cu/Al界面,将金属间化合物生长理论与分析手段相结合,研究了Cu/Al界面IMC的生长行为及其微结构。文中采用SEM测试方法,观察了IMC的形貌特点,测量并得到了IMC厚度平方正比于热处理时间的关系,计算得到了生长速率和活化能数值,并采用TEM,EDS等测试手段,进一步研究了IMC界面的微结构、成分分布及其金相结构。     

透明导电氧化物薄膜的新进展

透明导电氧化物（TCO）薄膜In2O3:Sn和SnO2:F都已经发展成熟，分别大规模应用于平板显示器和建筑两大领域。最近几年，TCO薄膜的研究又进入了一次复兴时期，研究和开发出几类具有明显特色的新型TCO薄膜。ZnO基TCO薄膜有替代In2o3:Sn薄膜的趋势；多元TCO薄膜材料可以调整其性能来满足某些特殊应用的需求；具有高载流子迁移率的In2O3：Mo薄膜为进一步提高TCO薄膜的性能打开了一条新路；真正的p型TCO薄膜为制造透明电子元器件迈出了第一步。