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本文研究不同金属薄膜结构形成的超薄CoSi2膜的高温稳定性.采用离子束溅射和反应磁控溅射技术制备Co/Si、TiN/Co/Si、Co/Ti/Si、TiN/Co/Ti/Si不同结构,在高纯氮气下进行快速热退火(RTA),形成CoSi2薄膜.应用四探针薄层电阻测试、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)进行测试.实验结果表明:TiN覆盖层和Co/Ti/Si三元固相反应都是有利于形成具有良好高温稳定特性的CoSi2薄膜的有效方法,有望应用于深亚微米接触和互连技术中. 相似文献
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用STM的纳米导电图形加工技术的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
用STM针尖对有机络合物电双稳薄膜材料施加强电场作用 ,可在材料表面产生纳米线度的导电几何图形。实验证明 :对针尖本身的几何构形、施加在针尖上的脉冲幅度、周期和占空比都必须进行细致的选择。用Ag TCNQ络合物进行实验 ,在适合的针尖 样品距离下 ,发现所加脉冲偏压的极性为负时 ,容易进行加工 相似文献
67.
透明导电IMO薄膜的载流子迁移率研究 总被引:2,自引:0,他引:2
采用van-der-Pauw法、等离子振荡波长法和光谱拟合法等三种方法对IMO(In2O3:Mo)薄膜和ITO(In2O3:Sn)薄膜的载流子迁移率进行了测量和比较。结果表明,IMO薄膜的载流子迁移率高达100cm^2V^-1s^-1以上,远超过已报导的其他掺杂透明导电氧化物(TCO)薄膜的载流子迁移率;IMO薄膜的载流子有效质量约为电子静止质量的0.35倍;IMO薄膜的高载流子迁移率主要是由载流子受到的散射作用较弱所引起。这无法用通常的掺杂TCO薄膜的载流子散射理论来解释,为此引入复合效应进行分析。在ITO薄膜中,每形成一个电中性复合粒子,就会使两个掺杂的Sn^4 失去贡献载流子的电活性;而在IMO薄膜中,即使一个掺杂Mo^6 与晶格间隙中的一个O^2-结合成复合离子后,该复合离子仍然会贡献出一个载流子,故薄膜中形成的电中性复合粒子数目较少,从而导致价态差为3的IMO薄膜中的电中性复合粒子对载流子的散射远低于价态差为1的ITO薄膜,因此,IMO薄膜有可能获得较高的载流子迁移率。 相似文献
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借助紫外-可见-近红外光谱,红外光谱,喇曼光谱等实验技术研究了电化学合成导电高分子聚噻吩(Polythiophene)材料在掺杂和非掺杂情况下的结构特征,说明了双极化子是这一类基态非简并的高分子的主要元激发。喇曼光谱和俄歇电子能谱还表征了掺杂离子在样品中的分布,掺杂离子处于高分子链的间隙中,且在深度分布上是均匀的。 相似文献
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