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21.
对某项目射频仿真天线阵列钢结构支架进行了设计,而后通过有限元专业软件对其进行了精准的数值建模,从结构设计理念、自振周期、应力比、位移等方面对钢结构支架进行了强度和变形分析。由分析结果可知:结构的第一阶自振周期为0.529 s,且模态变形为平动,整体稳定性良好。结构构件的最大应力比为0.75,绝大多数构件应力比控制不超过0.5;结构在竖向荷载作用下最大位移为2.63 mm,在地震作用下的最大水平位移为跨度的1/150,均小于规范要求,满足设计要求,结构设计合理。  相似文献   
22.
为了研究钢框架在地震作用下的结构反应,该文设计制作了一个两层钢框架结构模型,进行3条地震波的振动台试验,研究钢框架结构在不同等级地震波作用下的破坏形式、动力特性等力学性能.通过试验发现,钢框架在地震波作用下,整体性能保持良好;在加载的地震波加速度达到1.0g时,节点焊接处会出现明显裂缝;钢框架层间位移、层间位移角和应变随着地震波加载加速度的增加而增大;底层的层间位移角都大于顶层,表明底层受地震影响更大;钢框架各构件的拉应力和压应力呈近似对称关系.  相似文献   
23.
为了解决电解锰渣对环境的污染,提高锰渣的利用率,研究了以电解锰渣-废玻璃为主要原料制备陶瓷砖。首先利用Ca O-Al2O3-Si O2三相图获得初始配方,然后进行了大量的实验,并对产品的晶相进行分析,确定陶瓷砖的最优配方。结果证明,锰渣的添加量为32%,废玻璃含量为25%,煅烧温度为950℃,煅烧时间为30 min时,陶瓷坯的主晶相为石英、钙长石、莫来石和方石英,收缩率为0.27%,符合GB/T 4100-2006陶瓷砖的标准。  相似文献   
24.
25.
顶空固相微萃取气质联用分析大蒜挥发性风味成分   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用顶空固相微萃取——气相色谱-质谱联用法分别测定生、熟大蒜的挥发性风味物质,检出生大蒜挥发性风味物质共17个化合物,主要成分有二烯丙基二硫醚(61.68%)、二-2-丙烯基四硫醚(13.61%)、甲基2-丙烯基二硫醚(12.46%)、二-2-丙烯基三硫醚(3.20%)、烯丙硫醇(2.10%)、二乙基-1,3-二噻烷(1.74%)、二烯丙基硫醚(1.30%)、甲基1-丙烯基二硫醚(1.10%)共8种物质,占总含量的97.19%。检出熟大蒜挥发性风味物质共30个化合物,主要成分有二烯丙基二硫醚(32.87%)、甲基2-丙烯基二硫醚(16.47%)、二烯丙基硫醚(10.88%)、二-2-丙烯基四硫醚(5.60%)、甲基烯丙基硫醚(4.19%)、甲基2-丙烯基三硫醚(3.45%)、二-2-丙烯基三硫醚(3.06%)、二甲硫醚(3.05%)、甲基环硫乙烷(2.22%)、二乙基-1,3-二噻烷(2.18%)、甲基1-丙烯基二硫醚(1.85%)、1,3,5-三噻烷(1.83%)、苯甲醛(1.35%)、二甲基二硫醚(1.31%)、二甲基三硫醚(1.17%)共15种物质,占总含量的91.79%。  相似文献   
26.
镇远古城四官殿及钟楼为全国重点文物保护单位,近年来由于气候环境及人为原因导致其存在不同程度的腐朽和损坏。基于修旧如旧的原则,采用传统技术工艺结合现代施工方法,对四官殿及钟楼的台基地面、墙体墙面、木构架、装饰装修、屋顶瓦面等进行全面修缮和保护,最大程度地恢复了文物建筑真实的历史信息和价值。  相似文献   
27.
为提升低照度图像的饱和度,增强图像的视觉效果,对基于卷积神经网络的低照度图像增强方法设计与分析。进行低照度图像预处理,设定Reyinex卷积分辨目标,通过FRED-Net结构识别图像特征,进行BP神经元图像增强节点的布设,以此为基础,设计HSI双向卷积神经网络图像增强模型,建立注意力机制,采用合成处理实现低照度图像增强。最终的测试结果表明:与传统单质成像图像增强测试组、传统层级描述图像增强测试组相对比,文章所设计的卷积神经图像增强测试组最终得出的饱和度可以达到92%,表明该方法对于图像的增强效果更佳,具有实际的应用价值。  相似文献   
28.
随着数字通信在大数据以及物联网等领域的应用,推动了下一代存储设备的发展.阻变式存储器因其功耗低、尺寸可调、操作速度快等优点被认为是最有前景的信息存储器件之一.近年来,兼具成本低、带隙可调、载流子扩散长度长、离子迁移速率快、载流子迁移率高等优点的铅基卤素钙钛矿,在阻变式存储器领域引起了广泛关注.主要对铅基卤素钙钛矿阻变式...  相似文献   
29.
30.
为了解以热原子层沉积技术制备的TiAlC薄膜的特性,在不同基底温度下,以硅和二氧化硅为基底材料制备了TiAlC薄膜;采用椭偏仪、分光光度计、X射线光电子能谱、原子力显微镜、X射线衍射仪对薄膜的性能进行了测试。结果表明:随着基底温度的升高,TiAlC薄膜平均透射率逐渐降低,吸收边产生红移,光学带隙由2.56eV降低到0.61 eV;薄膜的沉积速率由0.09 nm/cycle升高到0.20 nm/cycle,表面粗糙度由1.82 nm降低到0.49 nm;不同基底温度下生长的薄膜均为无定型结构;膜层中的氧源于空气的自然氧化,且膜层的氧化程度与膜层中TiC的含量及膜层的致密性有关;TiAlC薄膜的形成主要源于高温条件下TiC的形成及三甲基铝的分解。  相似文献   
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