单片机控制的多量程位移数显仪

在机械产品微小位移高精度检测显示中,针对所选位移传感器量程的不同而给检测结果的显示带来不便的问题,设计了单片机控制的多量程位移数显仪。采用4.5位A/D转换器将电感位移传感器信号变送电路输出的直流信号转换成数字信号,由软件实现多量程转换并显示对应的位移量。通过对不同量程的螺管式电感位移传感器的测试,结果表明:多量程位移数字显示精度优于1μm,与目前常用的单量程数显仪相比,具有精度高、使用方便等优点。     

C18TAB为模板剂合成有序多孔掺锡氧化锆

以C18TAB为模板剂,氧氯化锆和四氯化锡为原料,采用共沉淀法成功合成了不同掺锡量的有序多孔氧化锆.通过XRD、N2吸-脱附、FT-IR等技术表征材料的孔结构.结果表明,掺锡氧化锆孔排布为六方有序,材料的热稳定性、比表面积均高,与C16TAB为模板剂合成的结果相比,d100值、孔容明显增大,S(5)Zd100增大了0.22 nm.     

一类具有人口流动的SIR传染病模型

建立了一类带有人口流动的SIR传染病模型,运用特征方程及辅助系统证明了无病平衡点的全局稳定性,得到了疾病在斑块间持续的条件.     

樱桃番茄叶体细胞胚发生的组织细胞学观察

以樱桃番茄无菌苗叶片为外植体,在附加2.0 mg/L 6-BA+0.1 mg/L IAA的MS培养基上诱导培养,利用石蜡切片和透射电镜技术观察外植体体细胞胚发生过程中显微结构和超微结构的变化.显微观察结果表明,培养5天后,部分叶肉细胞通过脱分化而进入分裂,开始形成胚性细胞;13天后切口处可诱导出淡黄色胚性愈伤组织,继续...     

精细化工实验教学改革探索

文章主要简述了精细化工实验在教学中的地位和作用,通过精细化工实验课教学内容改革、实验教学方法改革、考核形式和成绩评定方法改革,培养学生实际动手能力和创造能力,加强实践教学环节教学,培养创造型和应用型化学化工人才。     

兼容性Cu2+溶液改性EP基材催化铜导电线路沉积

印制电路板(PCB)基材预设位置活化是选择性化学镀铜法制作导电线路的关键工艺。以乙酸铜为催化剂前驱体、硫脲为络合剂、双酚A二缩水甘油醚为环氧树脂(EP)预聚物、试剂593为固化剂和丙二醇甲醚为溶剂,设计出一种基于EP兼容的Cu2+溶液,借助喷墨打印机把兼容性Cu2+溶液印刷在EP基材表面,采用选择性化学镀铜法加成制备了铜导电线路。基于量子化学密度泛函理论,模拟兼容性Cu2+溶液中硫脲分子与Cu2+之间的络合反应,利用红外光谱和拉曼光谱对兼容性Cu2+溶液中特殊官能团进行表征。结果表明:铜线路中晶粒结晶度良好且堆积致密,其电阻率低至2.62×10?6 Ω·cm;在改性层的帮助下,铜线路与EP基材之间的结合力达到5B级别。因此,EP基材兼容性改性催化铜导电线路沉积具有工艺简单、经济环保的优点,这对其他常用树脂基材兼容性改性加成制备PCB具有一定的参考价值。     

低损耗( Mg0.95Zn0.05)2(Ti0.8Sn0.2)O4陶瓷的微波介电性能研究

采用标准电子陶瓷工艺制备了(Mg0.95Zn0.05)2(Ti0.8Sn0.2)O4陶瓷.研究了(Mg0.95Zn0.05)2(Ti0.8Sn0.2)O4陶瓷的烧结特性、相结构和微波介电性能.采用X射线衍射分析其物相组成,利用SEM观察其显微结构.XRD图谱表明烧结样品为立方尖晶石( Mg0.95Zn0.05)2(Ti...     

关于运城盐池的著述考略

运城盐池产盐历史悠久。从古至今,文人墨客对运城盐池的歌颂以及国内外学者对运城盐池生产、销售及独特的盐文化进行的研究、著述颇多。这些著述,成为运城盐业史研究者不可多得的宝贵资料。     

盐胁迫下甜瓜种子萌发及幼苗生长特性研究

以新世纪、美浓1号、新密11号、青边皇后、莎白3号、新玉露6个甜瓜品种为考察对象,研究了0 mmol/L,50 mmol/L,100 mmol/L,150 mmol/L,200 mmol/L,250 mmol/L,300 mmol/L共7种不同浓度盐胁迫下甜瓜种子萌发及幼苗生长特性,结果显示:低浓度盐胁迫(≤50 mmol/L)可促进甜瓜种子萌发和幼苗生长发育;100~200 mmol/L盐浓度胁迫最能反映不同甜瓜品种萌发期和苗期耐盐性差异;盐胁迫抑制的只是种子发芽的过程,对最终发芽率影响不大;随着盐胁迫浓度增加,甜瓜种子的发芽速度、发芽指数、活力指数、幼芽伸长生长速度均显著下降,幼苗生长也明显受到抑制,株高显著降低,地上部干重积累和侧根数目显著减少;耐盐指数分析结果显示,6种甜瓜的耐盐能力从大到小依次为美浓1号、新蜜11号、莎白3号、青边皇后、新世纪和新玉露.     

化学镀铜溶液中稳定剂与铜沉积速率的关系

研究了化学镀铜溶液中稳定剂对铜沉积速率的影响,着重考虑主配位剂、副反应的抑制剂、甲醛捕获剂对化学镀铜的影响。结果表明,在基本配方8 g/L CuSO4.5H2O,3 g/L HCHO2,8 g/L EDTA7,.5 g/L NaOH,工艺参数pH=12.5,温度50℃,时间40 min的基础上,各种稳定剂的适宜用量为6 mL/L CH3OH、8 mg/L K4Fe(CN)6、6 mg/L 22,’-bipy。在最佳工艺下得到的镀层外观红亮,表面平整,晶粒细致,化学镀铜液稳定。