VHF-PECVD法制备微晶SiGe薄膜及太阳电池

以Si2H6和GeF4为源气体,用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术在不同衬底温度和功率条件下制备了SiGe薄膜材料.用喇曼光谱和扫描电子显微镜(SEM)对材料的结构进行了研究.结果表明:薄膜结构随温度的升高、功率的增大逐渐由非晶SiGe(a-SiGe)转变为微晶SiGe(μc-SiGe)材料.将这种材料应用于μc-SiGe薄膜太阳能电池中,电池结构为玻璃/SnO2/p-μc-Si/i-μc-SiGe/n-μc-Si/Al,首次获得效率η＝4.2%的μc-SiGe薄膜太阳能电池,开路电压Voc＝0.335 V,短路电流密度Jsc＝20.16 mA/cm2,填充因子FF＝41.938%.     

雷达目标识别中幂变换的正态性研究

在雷达目标识别中的原始数据分布一般是非正态的，使用幂变换可以将原始数据分布转换成正态分布或类正态分布，从而提高目标识别的效率。文中利用标准二阶距从理论上讨论了这种幂转换对γ分布、瑞利分布等分布的影响。通过MatLab进行仿真和假设检验，使用偏度、峰值检验法和皮尔逊卡方检验法检验样本数据幂变换的正态性，对实验结果作出了合理的解释。     

有机电致发光器件中有机薄膜的制备方法

有机电致发光器件中有机薄膜的制备方法非常重要,不同方法制备的薄膜质量不同,这直接影响着器件的效率;制备方法直接影响到产业化中的器件制备成本。根据材料的不同,有机小分子常用真空蒸镀的方法,而高分子材料常用旋涂的方法制备薄膜。随着有机电致发光器件制备工艺的发展,相继出现了其他的制备工艺,如:有机蒸汽喷印(organic vapor jet printing)、有机气相沉积(organic vapor phase deposition)、丝网印刷(screen printing)和喷墨打印(ink jet printing)技术等,这对有机电致发光显示器产业化发展具有巨大的推动作用。文章综述了这些制备方法,比较了它们的优缺点,以及这些工艺对产业化的影响。     

一种具有平衡互补结构的新型OCDMA解码器

提出了一种新的具有平衡互补结构的解码器,与相应的编码器配合可以在一个光学信道上实现双极性编码的容量和多址干扰指标,给出了解码器的结构,分析了其工作原理,并与其它方案进行了比较。     

LD纵向泵浦的946nm Nd:YAG准三能级激光系统的研究

对准三能级系统进行了研究,分析了激光上、下能级不同的能级寿命以及上能级自发辐射对下能级粒子数所造成的影响,修正了Fan等提出的纵向泵浦准三能级系统的理论模型.进行了数值模拟,得出了系统参数对LD纵向泵浦的946nm NdYAG激光器性能的影响规律.认为在一定掺杂浓度和输出损耗情况下,存在最佳晶体长度使阈值最低,及最佳模式匹配使斜效率最高.理论得到了实验验证.     

矩形的三角形划分问题研究

给出了矩形的三角形划分问题的定义,该问题是三角形Packing问题的一个特例,证明了该问题是NP完全的,并给出了该问题有解的一个必要条件。     

X射线衍射、X射线光电子能谱对PtSi薄膜形成机理的研究

促使物相尽可能地向Pt2Si和PtSi 转化,是PtSi薄膜工艺研究中的重要工作。文中通过用X射线衍射（ XRD）、X射线光电子能谱（XPS）微观分析手段对PtSi薄膜形成物相分步观察,研究了长时间变温退火、真空退火以及真空和保护气体（N2和H2）退火等工艺条件对溅射PtSi薄膜物相形成的影响。结果表明,氢气气氛退火能提高薄膜质量;真空退火可以减少氧元素对成膜的影响。     

离子注入降低PtSi肖特基二极管的势垒高度

Pt Si肖特基二极管的势垒高度制约 Pt Si红外探测器的截止波长和量子效率 .在 Pt Si/Si界面注入 In+ 、B+ ,采用高浓度、浅层注入避免隧穿效应 ,用 Ar气保护热处理消除注入损伤 ,附加掩膜层控制离子注入深度 ,成功地将 Pt Si肖特基二极管的势垒高度降低到 0 .1 5e V.     

基于相机阵列获取元素图像的集成成像抗串扰参数设计

为了得到理想的抗串扰三维图像,研究了用相机阵列记录三维场景时,如何排列所获取的元素图像并使其与重构的微透镜阵列匹配的问题.通过分析集成成像原理,讨论了元素图像间距、微透镜阵列间距、焦距等几个重要参数之间的关系,证明了对于固定的微透镜阵列,元素图像间距是场景重构时的重要因素,并结合分析给出了最佳设计参数.系统分析了元素图...     

谐振环左手材料设计参数对太赫兹传输的影响

左手材料（LHM）的出现,为新型材料的探究和应用开辟了一个全新的领域。电磁波在左手材料中的传播特性已经被许多研究工作者广泛探索并得到了许多新结果,与此同时,太赫兹由于其独特性质也成为近年来研究的热点。归类总结了太赫兹波在典型LHM材料中的传输,并通过比较太赫兹波在不同设计的LHM中的传输,得出在LHM设计中,周期、分形、基板材料等参数对太赫兹传输的影响,这些传输特性在太赫兹波器件的制备方面有很大的应用前景。