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491.
张晓丹  熊绍珍  赵颖 《太阳能》2011,(13):13-17
二减薄电池的发展1厚度减薄问题的提出减薄材料厚度除成本优势外,还会带来什么好处以及相应难点?事实上减薄厚度有利于增强PN结电池内光生载流子的收集。美国RCA的DavidRedfield等[3,4]于1974年首先对晶硅太阳电池的厚度提出"疑议",明确提出减少晶硅太阳电池  相似文献   
492.
用QJ201铝钎焊剂作为还原剂,将N型硅颗粒与铝片在585℃以下进行烧结,在硅和铝之间形成合金型P-N结。铝片起支撑体的作用,同时也是太阳电池的背电极。经过选择性腐蚀,去除硅颗粒周围的杂质层,用PET聚酯膜在真空条件下加热至PET的熔点以上,在压力作用下,使PET渗入到硅颗粒的缝隙中,形成绝缘层。将硅颗粒上表面的绝缘层打磨掉,溅射沉积透明导电层,作为电池的上电极。制备成的太阳电池光电转换效率为4.3%。  相似文献   
493.
介绍应用小波变换方法求解飞秒脉冲的光谱相位。用小波变换对飞秒脉冲光谱干涉条纹作二维时间-频率分析,不需要传统傅里叶变换方法的滤波过程,也消除了滤波引入的噪声,并且具有明显的直观性,脉冲的光谱相位情况可以从小波变换图中直接判断。  相似文献   
494.
概括阐述了薄膜太阳电池用绒面结构ZnO透明导电薄膜(ZnO-TCO)方面的最新研究进展.绒面结构ZnO-TCO薄膜可以提高薄膜太阳电池效率和稳定性并降低生产成本.磁控溅射技术和MOCVD(Lp-MOCVD/LPCVD)技术是制备绒面结构ZnO-TCO薄膜(例如"弹坑"状和"类金字塔"状表面)的主流生长技术,而喷雾热分解技术则是正在开发的非真空法低成本工艺路线.论述了2种主流技术生长ZnO-TCO薄膜的发展历程,并重点讨论了近期关于绒面ZnO-TCO薄膜微观结构、电学以及光学等特性与工艺关系的研究结果.进一步降低成本和实现大面积产业化是绒面ZnO-TCD薄膜拓展应用的发展趋势.  相似文献   
495.
紧凑型超辐射光泵重水气体THz激光器的研制   总被引:1,自引:0,他引:1  
研制了一种紧凑型超辐射光泵重水气体THz激光器系统,并通过改变THz激光激活室的长度,对THz信号出射光强度与信号增益长度之间的关系进行了实验研究;利用半经典理论,对两者之间的关系进行了理论计算和求解.实验和理论计算结果表明,THz信号出射光强度跟信号增益长度之间存在非线性的关系.在工作气压、温度和泵浦光强度一定的条件下,激光工作室长度存在最佳值,此时介质对信号光的增益和吸收达到平衡,出射的THz信号光强最大,继续延长介质工作长度将会导致THz输出信号的逐步减弱.根据以上结果可以设计确定相关THz激光工作室的最佳长度.  相似文献   
496.
用于VBR视频通信量预测的梯度径向基函数网络模型   总被引:1,自引:0,他引:1  
提出采用梯度径向基函数(GRBF,gradientradialbasisfunction)神经网络实现VBR(variablebitrate)视频通信量的预测,由于GRBF神经网络采用差分输入,能够消除由于局部平均值随时间变化而造成的不稳定性,特别适合于非平稳时间序列预测。仿真结果显示,GRBF神经网络模型的预测误差(相对均方误差)为2.9×10-3,而其它几种常见预测模型的预测误差在(1.6~8.5)×10-2之间。  相似文献   
497.
采用后向泵浦的方案,对新型双程放大分立式光纤拉曼放大器(D-DFRA)的增益特性进行了理论计算,并在双程泵浦放大条件下对增益和噪声特性及受激布里渊散射(SBS)效应进行了实验测量,计算与测量结果较好符合.本文的研究表明:对分立式拉曼放大器通过反射机制实现泵浦光的双程泵浦,可在泵浦功率不变和保持较好噪声特性的同时,大大提升放大器的增益和功率转换效率.增益的提升上限取决于系统受激布里渊散射的阈值,在双程泵浦下增益的上限可得到提高.  相似文献   
498.
导出描述Q开关激光器脉冲形状和宽度的特征方程。这些方程可用来计算任何工作条件下Q开关激光器的脉冲对称特性和脉冲宽度,并且在不求解速率方程情况下构造激光脉冲的波形。  相似文献   
499.
为了增强单电子晶体管中栅极和沟道量子点之间的耦合度,提高增益调节系数,发展了结合预制控制栅、电子束直写、各向异性腐蚀和热氧化的制备工艺.在室温下对器件的电学特性进行测量,观察到了典型的库仑振荡效应和负微分电导效应.基于量子点能级分立模型,分析了器件的输运原理,重点研究了强耦合作用对器件输运性质的影响.研究表明,通过控制量子点的热氧化时间,将器件量子点尺寸减小到7.6nm,增益调节系数提高到0.84.  相似文献   
500.
闫晓梅  张记龙  徐振峰 《微计算机信息》2007,23(32):311-312,300
本文介绍了一种LD温度控制系统。该系统采用温控芯片HY5650作为温度控制的核心元件,温度传感器芯片DS18820作为测量温度的主要元件。设计简单、实用、性价比高。实验表明,该系统实现了LD的稳定、可靠、准确输出。并且系统输出温度的稳定性可达±1℃。  相似文献   
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