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13.
随机减量技术中周期激励的影响及消除方法 总被引:3,自引:2,他引:1
本文针对机械系统中通常存在确定性周期激励的事实 ,论证了周期干扰成分的存在对提取的随机减量特征信号的影响 ,基于数字滤波技术提出了一种从周期干扰环境中提取随机减量特征信号的简便方法。在回转机械稳定性监测中的应用实例表明本文提出的方法是有效的。 相似文献
14.
以半导体器件二维数值模拟程序Medici为工具,模拟和对比了SiGe pMOS同Si pMOS的漏结击穿电压随栅极偏压、栅氧化层厚度和衬底浓度的变化关系;研究了SiGe pMOS垂直层结构参数硅帽层厚度、SiGe层厚度及Ge剂量和p+ δ掺杂对于击穿特性的影响.发现SiGe pMOS击穿主要由窄带隙的应变SiGe层决定,击穿电压明显低于Si pMOS并随Ge组分增加而降低;SiGe/Si异质结对电场分布产生显著影响,同Si pMOS相比电场和碰撞电离具有多峰值分布的特点;Si帽层及SiGe层参数对击穿特性有明显影响,增加p型δ掺杂后SiGe pMOS呈现穿通击穿机制. 相似文献
15.
网格资源管理系统模型研究 总被引:10,自引:3,他引:7
网格资源管理系统是网格计算系统的重要组成部分。文章分析了网格资源管理系统的功能需求,具体论述了该模型的原型系统,最后介绍了相关研究工作。 相似文献
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17.
一类捕食者-食饵模型正周期解的存在性 总被引:1,自引:1,他引:0
利用MAWHIN重合度理论中的延拓定理研究了具有HollingⅢ型功能性反应的捕食者-食饵系统非平凡周期解的存在性,得到了周期解存在的一个充分条件,并对一些参数和初始值进行了数值模拟。 相似文献
18.
本电源是基于高频高压交流母线具有多组输出的直流电源,它具有高达200kHz的开关频率,后级的整流电路由于高频交流母线的存在,使得变压器和电感的设计变得简单,滤波电容的选择也更容易。本电源由PFC电路提供400V的高压直流输入,再由MOSFET组成全桥逆变电路,在固定额率的PWM发生电路和IR2110 MOSFET驱动电路作用下,只加—个谐振电感就可实现开关管的零电压开通,可在大大降低开关损耗和噪声的同时实现直流交流的变换。整流部分采用倍流整流电路以提高原边电压的利用率,可输出低压大电流。由于采用肖特基管,—方面可使得二板管的损耗可以接受,另外—方面还避免了采用同步整流电路所面临的电路结构复杂和驱动困难。 相似文献
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Au/NiCr/Ta多层金属膜通过磁控溅射沉积在Si(111)基片上。XRD分析其晶体取向,SEM观察薄膜断面形貌,AFM研究薄膜表面粗糙度。结果表明薄膜表面粗糙度与沉积温度有关,随着沉积温度100℃→250℃的改变,薄膜表面发生从粗糙→光滑→粗糙的变化过程。根据不同的沉积温度探讨了薄膜表面粗糙化机理。 相似文献
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