高功率二极管激光器的技术现状、工业应用及未来展望

二极管激光器现已广泛应用于通信、计算机及消费电子技术等领域，在这些领域中应用的二极管激光器均属毫瓦级功率的系统。然而，通过特殊的冷却与组装技术及光束组合与光束成形技术。高功率二极管激光器现已达千瓦级功率。这些高功率二极管激光器不仅可作为固体激光器高效率及高可靠性的泵浦源，还可作为材料加工的直接光源。目前，高功率二极管激光器已进入工业制造领域。本文介绍二极管激光器技术及其应用，并对德国未来5年的国家研究项目MDS(Modular Diode Laser Beam Tools)中的高功率二极管激光器的未来应用及其创新应用进行了重点论述。     

IR推出最新型200V DirectFET MOSFET效率高达95％并可大幅节省占位空间

全球功率半导体和管理方案供应商-国际整流器公司（International Rectifier．简称IR）日前推出了一款IRF6641TRPbF功率MOSFET，这种采用IR标准的DirectFET封装技术结合IR最新的200 VHEXFET MOSFET硅技术的新器件可实现95％的效率，并可大幅节省占位空间。     

混合动力电动汽车用电机及驱动控制器的电磁兼容设计

电机及驱动控制器作为电动汽车的关键部件,其电磁兼容设计对于保证电动汽车的可靠运行非常重要.介绍了国家十五项目中某混合动力轿车用电机及控制器系统的电磁兼容措施,分别从控制电路、信号电缆、功率电路及屏蔽机箱等工程角度进行了分析和设计.该系统的电磁兼容性符合GB/T17619-1998的要求,且已应用于实际混合动力电动汽车,运行情况良好.     

CDMA2000 EV-DO系统与1X系统反向功率控制机制比较

文章对比了CDMA2000EVDO系统及1X系统反向功率控制机制的异同，并结合功率控制过程对EV—DO系统的反向外环功率控制参数进行了描述。     

MULTICARRIER DS—CDMA WITH ADAPTIVE MODULATION AND POWER ALLOCATION

Adaptive modulation and power allocation is introduced into the multicarrier DSCDMA system to improve the system performance and bandwidth efficiency.First,the system design appropriate for adaptive modulation and power allocation is given,then the algorithm of adaptive modulation and power allocation is applied.Simulation results demonstrate great performance improvement compared with the fixed modulated one.     

美国国家半导体产品概览

发光二极管灯光管理系统；低功率的发光二极管灯光系统；高功率灯光系统。     

利用补充分组编码降低MIMO-OFDM系统峰均比

多输入多输出正交频分复用（MIMO—OH）M）系统已成为第四代移动通信系统研究中的热点，而OFDM系统产生的高峰均功率比（PAPR）是限制MIMO—OFDM技术实用化的主要障碍之一。详细介绍了补充分组编码技术的基本原理，并通过仿真与测试的结论与其他编码技术进行了比较，验证了此编码技术对降低峰均功率比确实具有很好的效果。     

Nd：GdVO4晶体生长及其LD端面泵浦调Q激光性能

通过液相合成方法提纯Nd：GdVO4多晶料，降低生长过程中存在的原料非一致性挥发，以及使用特殊晶体生长温控技术和消除晶体“后天性光散射”，Czochralski方法成功生长系列不同钕掺杂浓度的Nd：GdVO4单晶。采用不同透过率的Cr”：YAG晶体对Nd：CdVO4晶体进行激光调Q实验。实验结果显示，Cr^4 ：YAG Nd：GdVO4激光器可以得到稳定高平均功率调制激光输出。实验得到的最小脉冲宽度只有6ns，对应峰值能量为26．4kW。对不同浓度掺杂对晶体调制激光性能也进行了比较，发现掺钕浓度越高，激光脉冲能量和峰值功率越大。对该晶体的GaAs调Q激光输出性能也进行了介绍，4．8W泵浦光下，最大GaAs调制激光输出为0．63W。