HCMOS器件γ辐射损伤电路分析

本文对最基本的HCMOS器件(反相器和与非门)作了γ辐射损伤实验。通过器件性能变化,分析了γ辐射对电路的作用。     

断路器直流操作二次接线的若干问题

阐述断路器直流操作二次接线中信号继电器、保护出口中间继电器、防跳继电器等元件的参数选择条件及计算方法;指出索取与断路器有关参数的重要性。     

继电器的脉冲冲击电压试验

本文以我公司技术人员在某飞机现场排故中发现的脉冲冲击电压对机载设备的破坏现象为线索，分析了飞机电源系统脉冲冲击电压产生的根源及分类，用行波传导理论建立了固体元器件及集成电路等遭受冲击电压破坏的失效机理。推荐了几种脉冲抑制电路及降额设计措施。本文对脉冲冲击电压试验的分析与介绍，具有广泛的参考价值。     

Ge／Pd／n—GaAs低阻欧姆接触的SIMS分析

采用Ｇｅ／Ｐｄ／ＧａＡｓ结构和快速热退火在ｎ－ＧａＡｓ上形成了低阻欧姆接触，利用二次离子质谱技术揭示和讨论了低欧姆接触形成的机理。比较了采用Ｘ＾＋和ＧｓＸ＾＋信号检测的Ｇｅ，Ｐｄ，Ｇａ和Ａｓ的深度分布。结果表明采用ＣｓＸ＾＋可以提供更准确的结果和成分信息。     

N管开启电压调整主入对P—结击穿电压的影响

为了讨论了问题方便，定义了两种Ｐ－Ｎ：“漏Ｐ－Ｎ结”和“单纯Ｐ－Ｎ结”。分析了二者击穿电压相关因素的差别，认为“漏Ｒ－Ｎ结”击穿电压与沟道区杂质浓度密切相关。ＥＥＰＲＯＭ的研制中，要求“漏Ｐ－Ｎ结”击穿电压≥２０Ｖ，即沟道区杂质浓度要低到一定的程度，而同时又必须保证一定的开启电压，即沟道区杂质浓度要高到一定的程度，通过分析与实验，提出了解决这一矛盾的通用原则。     

采用CJW—Ⅱ型双虹吸定量消毒装置处理医院含菌污水

本文介绍了采用CJW—Ⅰ型双虹吸定量消毒装置处理医院污水的技术措施和具体方法,并将该法与采用次氯酸钠发生器法进行了对比,有一定的借鉴或参考价值。     

AD8656：双运算放大器

美国模拟器件公司推出一款适合＋2．7～＋5．5V电源电压供电，具有低噪声性能的精密双运算放大器AD8656。它是ADI公司最近推出的AD8655的双放大器版本，其噪声指标比同类解决方案低2／3。     

LT3470：微功率降压型DC／DC转换器

凌特公司推出一款在ThinSOT封装中集成了升压与箝位二极管的40V微功率降压型DC／DC转换器LT3470。该器件输入电压范围4V～40V，可提供200mA的输出电流，适用于2节锂电池、交流适配器或汽车电源应用。突发模式(Burst Mode)运行可使静态电流降至26μA，外形尺寸仅为50mm^2，可以用于空间受限的应用。