Dy2O3掺杂对钛酸锶钡陶瓷结构性能的影响

采用草酸盐沉淀法,以硝酸锶、硝酸钡、钛酸丁酯和草酸为原料,Dy2O3为掺杂剂,制得了Ba0.6Sr0.4TiO3粉体,并于1 250 ℃将其烧结成Ba0.6Sr0.4TiO3系电介质陶瓷.利用扫描电镜、X射线衍射及TH2818自动元件分析仪对Dy2O3 掺杂量为0.2%～2%的Ba0.6Sr0.4TiO3陶瓷的微观结构和介电性能进行研究.结果表明,Dy2O3的掺杂没有影响到BST陶瓷的主晶相钙钛矿结构,且一定量的Dy3+进入到BST晶格中.BST陶瓷的介电损耗随着掺杂量的增加而逐渐减小,介电常数随着掺杂量的增加呈现先增大后减小的趋势,当掺杂量为0.5%时,介电常数最大,为4 474.48.     

Relaxation and Dielectric Characteristics of Zn Substituted Copper-gallate Ferrite

The dielectric permittivities(ε'&ε")and dielectric loss tangent(tan)are studied for the prepared samples CuFe2O4 and Cu1-xZnxGa0.1 Fe1.9 O4 spinel ferrites with (0.0≤x≤0.5)from room temperature up to 700K in the frequency range(102～105Hz).Dielectric anomaly at the transition temperature Tc is pronounced in the relations of dielectric permittivitties with temperature where,the obtained Tc is found to decrease linearly with increasing Zn concentration.The relation of tan with frequency at different temperatures shows relaxation spectra where the relaxation time and the maximum frequency of the hopping conduction mechanism are determined.The variation of(ε',ε"and tanδ)with frequency and temperature displays a strong dependence on both gallium and zinc concentrations.The results are explained in light of the cation-anion-cation and cation-cation interactions over the octahedral sites in the spinel structure.     

Dy_2O_3掺杂对钛酸锶钡陶瓷结构性能的影响

采用草酸盐沉淀法,以硝酸锶、硝酸钡、钛酸丁酯和草酸为原料,Dy2O3为掺杂剂,制得了Ba0.6Sr0.4TiO3粉体,并于1250℃将其烧结成Ba0.6Sr0.4TiO3系电介质陶瓷。利用扫描电镜、X射线衍射及TH2818自动元件分析仪对Dy2O3掺杂量为0.2%~2%的Ba0.6Sr0.4TiO3陶瓷的微观结构和介电性能进行研究。结果表明,Dy2O3的掺杂没有影响到BST陶瓷的主晶相钙钛矿结构,且一定量的Dy3+进入到BST晶格中。BST陶瓷的介电损耗随着掺杂量的增加而逐渐减小,介电常数随着掺杂量的增加呈现先增大后减小的趋势,当掺杂量为0.5%时,介电常数最大,为4 474.48。     

表面等离子体共振传感器组成部件光学特性的研究

在研制表面等离子体共振传感器的过程中,有效掌握组成部件随外部环境的性能变化具有非常重要的意义.根据经典的Kretschmann耦合模型,针对表面等离子体共振传感器的组成部件进行了研究,分析传感器各个组成部件的折射率在不同入射光波长和环境温度下变化的规律,根据获得的数据给出了相应的拟合公式,获得了组成部件参数变化对传感器探测性能的影响程度,以期用以试验结果的正确修正.     

无机纳米-聚酰亚胺复合薄膜介电性研究

测试了纳米Al2O3-聚酰亚胺(PI)复合薄膜和纳米SiO2-聚酰亚胺复合薄膜的介电常数、介质损耗角正切和电导电流特性.结果表明,随着无机物含量的增加,两种复合薄膜的相对介电常数和介质损耗角正切增大,电老化阈值减小;无机物含量相同时,Al2O3-聚酰亚胺复合薄膜的相对介电常数和介质损耗角正切比SiO2-聚酰亚胺复合薄膜大,电导电流大,电老化阈值小.     

电子元器件涂料

在制集成电路时制备交联涂层的方法：US2005—215713[美国专利申请公开], 电子元件用低介电常数二氧化硅型涂料组合物：JP2006—45352[日本专利公开], 防湿电绝缘涂料、电绝缘电子元件及其制备：JP2006-16437[日本专利公开]， 电子器件放电涂料及其制备方法：CN1632008A[中国发明专利申请公开]， 复合纳米绝缘涂料加工方法及其在氧化锌阀片上施涂方法：CN1629227A[中国发明专利申请公开]。[编者按]     

元素分布和裂纹对PMN-32PT单晶电学性能的影响

为寻求PMN-32PT单晶电学性能不稳定的成因,利用准静态压电常数测试仪、数字电桥和EDS对[001]切型PMN-32PT 单晶的电学性能和成分分布进行了对比分析,并考察了裂纹对晶体电学性能的影响.结果表明,元素分布的不均匀是造成[001]切型PMN-32PT单晶电学性能不均匀的重要原因,其中Ti对晶体的压电性能有正的贡献而Nb与之相反,Mg对介电常数有正的贡献;裂纹对晶体的电学性能影响显著,在裂纹处,PMN-32PT单晶的电学性能急剧下降.     

碳纤维厚度和规格对介电性能影响

研究了厚度对T700碳纤维长丝织物介电常数的影响,探讨了不同规格(T700,T300,T800)碳纤维长丝织物对介电常数的影响。结果表明:厚度对各种碳纤维织物组织的极化能力有较大影响。三种厚度织物的介电常数实部、虚部、损耗角正切波动效果均十分明显,T700碳纤维织物极化性能优于T300和T800碳纤维织物,但是波动大;三种规格碳纤维长丝织物的损耗能力由强到弱为T700长丝织物,T300长丝织物,T800长丝织物;T700碳纤维织物的损耗角正切值图像波动比T300和T800碳纤维织物平稳。     

织物介电常数的影响因素分析

介绍了影响织物介电常数的多种因素,为了研究织物组织与测试频率对织物介电常数的影响,分别以介电常数的实部ε'、虚部ε″、损耗角正切Tan(δ)作为定量指标,首先采用二元方差分析的方法进行显著性检验。结果显示:织物组织对介电常数实部有显著影响,而测试频率对织物介电常数损耗角正切有显著影响。再根据不同组织的织物介电常数随频率变化的规律分析得出在低频段(f100Hz),织物组织对介电常数有显著影响,在较高频段(f100Hz),织物组织对介电常数没有显著影响。     

低介低温烧结玻璃／钙长石复合绝缘材料的研究

通过对低介电常数 CaO-Li2O-B2O3-SiO2-Al2O3玻璃设计及与钙长石晶体的复合优化，制备了具有低温、低介、与硅相匹配的低热膨胀系数的新型绝缘复合材料。样品在970℃烧结0．5h后，介电常数5．125，介质损耗2．48×10^-3，抗折强度105．8MPa，热膨胀系数（25～500℃）3．38×10^-6℃^-1。并研究了玻璃与钙长石加入量、显微结构等因素对材料性能的影响。