浅谈天线美化材料

当今移动通信技术迅猛发展,多运营商、多通信制式并存。大量基站天线造成了城市景观“视觉污染”和居民的不安全感。天线美化是现阶段解决以上问题的较好方法。然而美化材料的电气、机械和物理性能良莠不齐,对基站覆盖质量和美化材料本身的强度产生了不同程度的影响。文章对天线美化材料介电性能、力学性能及相关因素进行分析,提出天线美化材料选取时应考虑的性能指标要求。     

传输/反射法测量复介电常数的若干问题

研究了传输／反射法测量线性材料复介电常数εr的厚度谐振、多值性等问题，得到了解决这些问题的有效方法。通过改进NRW传输／反射法，由散射参数直接得到了归一化特性阻抗与传播常数，从而可以把已有的三个确定复介电常数的方程用到NRW传输／反射法中。联合应用这三个方程解决了上述问题，这使得人们可以用传输／反射法对任意厚度的样品在任意频率上进行复介电常数的稳定测量。用波导取样器与同轴线取样器分别得到的实验结果证明了此方法的有效性与可实现性。     

改性PZT95/5材料的介电性能研究

根据同化合价,不同离子半径;相近离子半径,不同化合价的原则选择氧化物对PZT95/5(PbZr0.95Ti0.05O3)进行分别掺杂,研究了碱金属族、碱土金属族氧化物,及Fe、Si、Nb、W等的氧化物掺杂对PZT95/5材料的介电常数、介电损耗的影响。研究发现一价、二价金属离子的掺杂除Mg外都使得材料的介电常数、介质损耗有不同程度的下降,一价掺杂使得介电常数随掺杂物离子半径增大而减小,二价掺杂随离子半径的增大使得介电常数有增大的趋势。高价金属离子如Fe3+、Si4+、Nb5+等的掺杂使得材料具有比一价、二价掺杂更高的介电常数和损耗。     

太赫兹磁诱导双透明窗调制方法

利用时域有限差分法对由金属短线和开口谐振环构成的太赫兹超材料的透射谱进行了理论研究。结果表明,该超材料结构可形成电磁诱导的双透明窗,随金属材料厚度或周围相对介电常数的增大,峰值逐渐增大,双透明峰红移;随损耗角正切的增大,峰值也增大,但双透明峰却蓝移。优化超材料参数,双透明峰值均可达到0.95。这种超材料结构在多波段慢光传输、光存储、折射率传感器和双向开关等方面具有潜在的应用前景。     

PECVD法制备低介电常数含氟碳膜研究

采用PECVD法制备了低介电常数薄膜a-C：F，研究了薄膜沉积速率与温度及射频功率的关系，测量了不同沉积条件下薄膜的介电常数，并用FTIR分析了薄膜的化学结构及成分，发现薄膜沉积速率与沉积条件密切相关，其介电性与其化学结构以及沉积条件密切相关。     

压电晶体-固体-液体结构中IDT的体声波激励

对压电晶体－固体（层）－液体结构中叉指换能器的体声波激励效应进行了深入探讨，通过引入压电晶体－固体层界面的界面有效介电常数，研究了叉指换能器的体声波激励效应与晶体切向、电边界条件及固体层归一化厚度之间的关系。数值分析表明，电边界条件对叉指换能器体声波激励效应的影响可忽略；体声波激励效应与压电晶体切向和固体层归一化厚度密切相关；通过选择恰当的晶体切向、固体层归一化厚度和慢度，叉指换能器仅向液体中激励体声波，且可确定出最强体声波激励时的结构参数。文中所得结果，为有关液体声传感器结构的优化设计奠定了基础。     

反铁磁晶体的红外频率特性

研究了红外频段非线性s偏振表面波在反铁磁晶体和电介质交界面上的频率特性，求出了非线性色散方程，揭示了非线性s偏振表面波存在一个临界频率，低于这个频率，非线性s偏振表面波的频率范围，发现功率不再是决定导波频率范围的唯一因素，两种材料的介电常数比在这里起了至关重要的作用。     

p-Si TFT栅绝缘层用SiN薄膜的研究

以NH3和SiH4为反应源气体,采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法在多晶硅(p-Si)衬底上沉积了一系列SiN薄膜,并利用椭圆偏振测厚仪、超高电阻-微电流计、C-V测试仪对所沉积的薄膜作了相关性能测试.系统分析了沉积温度和射频功率对SiN薄膜的相对介电常数、电学性能及界面特性的影响.分析表明,沉积温度和射频功率主要是通过影响SiN薄膜中的Si/N比影响薄膜的性能,在制备高质量的p-Si TFT栅绝缘层用SiN薄膜方面具有重要的参考价值.     

新型MOS氧化层TiO_2薄膜

采用低压MOCVD法在(111)取向硅基上制备了TiO2薄膜代替通常MOS结构的SiO2,并测量了TiO2薄膜的介电常数、表面固定电荷密度和电阻率,与SiO2作比较,结果表明:TiO2的MOS结构比SiO2具有更优良的性质,更适应于超大规模集成电路制造。     

HfO2高k栅介质等效氧化层厚度的提取

分两步提取了HfO2高k栅介质等效氧化层厚度(EOT).首先,根据MIS测试结构等效电路,采用双频C-V特性测试技术对漏电流和衬底电阻的影响进行修正,得出HfO2高k栅介质的准确C-V特性.其次,给出了一种利用平带电容提取高k介质EOT的方法,该方法能克服量子效应所产生的反型层或积累层电容的影响.采用该两步法提取的HfO2高k栅介质EOT与包含量子修正的Poisson方程数值模拟结果对比,误差小于5%,验证了该方法的正确性.