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181.
CSAMT在厦门杏林湾寻找深部地热中的应用   总被引:1,自引:1,他引:0  
杏林湾地区地热资源丰富、构造复杂,采用CSAMT法对该区进行工作,采用一维反演结果,通过对不同深度卡尼亚电阻率平面图的分析,基本查明测区内各构造的空间分布及特征,经钻孔验证,证实了CSAMT法在寻找深部构造中的可靠性和可行性。  相似文献   
182.
选取同地区同时相的多光谱和高光谱影像,在实验样本和验证样本相同的情况下,采用SVM分类算法中4种不同的核函数,对2种影像进行分类实验.结果表明,对于多光谱影像,RBF核函数分类精度最高,Sigmoid最低;对于高光谱影像,Linear核函数分类精度最高,Sigmoid最低;对于同地区相同分辨率的遥感图像,在分类条件相同的情况下,多光谱影像的分类精度和高光谱的分类精度相近.  相似文献   
183.
随着大冶铁矿地下开采工作的进展,在铁矿采区及周边出现多处塌陷,对生产生活造成威胁.为此,利用多源信息(包括多时相遥感影像、地形图、地下采矿分布图等)对大冶铁矿塌陷进行监测,采用动态监测方法和模糊积分的多分类器组合技术提取塌陷范围,为下一步治理提供依据.  相似文献   
184.
为了对复杂多源注水系统变频调速控制进行更全面的优化,以水量、投资回收期等限制作为约束条件,建立了优化控制数学模型.采用实数编码改进遗传算法对模型进行求解,同时优化出变频调速数量、位置和所有泵的运行参数,给出了处理泵排量以及根据投资回收期确定变频调速数量和位置的方法,大大减少了不可行解的产生,通过调整适应函数,使改进遗传算法具有一定的自适应性,提高了算法的优化性能.通过算例证明了该优化方法的有效性与可行性.  相似文献   
185.
通过对松辽盆地北部安达地区源岩条件、排烃动力条件、油源断裂、储层、圈闭等成藏要素的综合研究,明确了安达凹陷中浅层油气成藏的主控因素及成藏规律.研究表明:(1)成熟烃源岩的发育程度是安达凹陷中浅层油气成藏的首要控制因素,控制了油气藏的范围及规模;(2)对于泉四段而言,在成熟烃源岩内青一段的超压发育程度是其成藏的主要控制因素;(3)对于青山口组而言,油源断裂是基础,青二+三段储层的发育程度是其成藏的主要控制因素;(4)安达凹陷整体相对较低的成熟度(大部分地区R0<0.9%)及相对较薄的烃源岩(大部分地区烃源岩的厚度小于80 m)造成的生烃潜力不足可能制约了姚家组的成藏.  相似文献   
186.
针对电子战中各种信号混叠严重难以分离的现象,在盲源分离开关算法基础上提出一种新的盲信源分离拟开关算法.该算法引入单位对称加权滑动向量来加权每次迭代所得的分离信号作为源信号,用峭度取代原算法的峭度符号位作为判断函数来自适应选择加权相应激活函数,以此优化学习算法,结合信号分选的具体应用,给出了迭代结束的评判方法.计算机仿真实验表明,在强噪声背景影响下,该算法能够更加有效地分离空间未知多源线性混叠信号,且在分离效果、稳定性、处理速度和抗噪性能上都比原算法有较大改进.  相似文献   
187.
为了解决目前大功率充电系统所存在的电池电压匹配、充电效率等方面的问题,采用三相电流源型整流器(CSR)作为充电系统拓扑结构。采用间接电流控制策略对网侧电压信号进行延迟修正,从而实现网侧单位功率因数控制。在传统恒压-恒流(CC-CV)充电策略基础上,依据电池电化学特性,提出一种基于模糊推理控制策略的CC、CV充电模式切换算法。采用频域法对CV充电模式下的控制环路传递函数进行分析,并考虑数字时间延迟对系统的影响;利用MATLAB/SISO设计工具,分别对电流内环和电压外环控制器的零点位置与环路增益进行优化,以提高系统的整体性能。仿真与实验结果验证了所提策略的正确性与可行性。  相似文献   
188.
第10届全国机器翻译研会(CWMT 2014)于2014年11月在澳门大学举行。全国机器翻译研讨会自2005年召开第一届以来,已连续成功组织召开了9届,共组织过5次机器翻译评测(2007、2008、2009、2011、2013),1次开源系统模块开发(2006)和2次战略研讨(2010、2012),这些活动对于推动我国机器翻译技术的研究和开发产生了积极而深远的影响。因此,CWMT已经成为我国自然语言  相似文献   
189.
李德勇 《煤化工》2003,31(5):42-44
从理论到实践阐述了以具有价格优势的 Na OH替代 Na2 CO3做碱源 ,解决 A / O法运行成本高的问题。  相似文献   
190.
对液态源金属有机物化学气相沉积(Liquid Source-Metal Organic Chemical Vapor Deposition,LS-MOCVD)设备.文中主要研究了LS-MOCVD的反应室真空获取和控制的方法.整个设备的操作控制由PLC和触摸屏协作完成,用冷阴极电离全量程规测量粗真空,用高精度薄膜规测量工艺过程中的真空,采用内置PID算法的智能蝶阀控制器构成高真空恒压测量控制回路,实现了LS-MOCVD反应室真空的自动测量控制,确保了工艺的稳定性.反应室真空测量范围为常压~8×10-3Pa,测量精度0.2%,分辨率为满量程的0.001 5%.解决了传统气态源MOCVD不同材料之间蒸汽压差大、难以控制及气态金属有机物难以获得的问题.  相似文献   
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