源区浅结SOI MOSFET的辐照效应模拟

研究了源区浅结的不对称SOIMOSFET对浮体效应的改善 ,模拟了总剂量、抗单粒子事件 (SEU)、瞬时辐照效应以及源区深度对抗辐照性能的影响 .这种结构器件的背沟道抗总剂量能力比传统器件有显著提高 ,并且随着源区深度的减小 ,抗总剂量辐照的能力不断加强 .体接触不对称结构的抗SEU和瞬时辐照能力优于无体接触结构和传统结构器件 ,这与体接触对浮体效应的抑制和寄生npn双极晶体管电流增益的下降有关     

一种具有高电源抑制比的低功耗CMOS带隙基准电压源

文章设计了一种适用于CMOS工艺的带隙基准电压源电路，该电路采用工作在亚阈值区的电路结构，并采用高增益反馈回路，使其具有低功耗、低电压、高电源电压抑制比和较低温度系数等特点。     

后向平滑平方根容积卡尔曼滤波算法及其应用

针对单站无源定位精度低、收敛速度慢和滤波性能不稳定甚至不能工作的问题,提出了后向平滑平方根容积卡尔曼滤波算法。该算法采用 Q-R分解的形式,使用误差协方差的平方根进行递推运算,同时其通过后向平滑与量测更新为二次前向滤波提供更为精确的初始值,改善了算法的总体性能。仿真实验表明,该算法在满足实时性要求的基础上,提高了单站无源定位的精度、收敛速度以及稳定性。     

一种应用于双通道卫星导航接收机的高效率低噪声电源解决方案

本文提出了一种应用于双通道卫星导航接收机的高效率低噪声电源解决方案,主要包括降压型DC-DC转换器和低压差稳压器。为了获得更好的噪声抑制和抗干扰性能,应用脉冲宽度调制(PWM)作为DC-DC转换器的控制方式。提出了一种改进的低功耗PWM控制电路,通过周期性的关断跨导放大器,将转换器的平均静态功耗降低了一半,并且具有较高的工作频率。针对双通道接收机的特点,对输出级功率管的尺寸进行了优化,使效率最优。另外,提出了一种基于限流原理的新型软启动电路,无须使用片外大电容或数模转换器,降低了设计复杂度。电路使用180nm CMOS工艺流片,测试结果显示,DC-DC转换器在2MHz的工作频率下拥有最高93.1%的转换效率,整个双通道接收机在3.3V电源供电下仅消耗电流20.2mA。     

反空地导弹的光电对抗技术

为了有效对抗精确制导空地导弹，在防空体系中大力发展光电对抗技术具有十分重要的意义。反空地导弹的光电对抗技术包括光电主动侦察与被告警，光电无源干扰、有源干扰、激光致盲等几大方面。     

温度脉动仪标定装置的初步设计

在大气参数中折射率结构常数C2n是一个重要的参数,C2n有多种测量方法,其中利用温度脉动仪进行测量是一个重要的测量方法.但是可以精确控制的微温度脉动源较难产生,所以至今还没一个标准的温度脉动源对温度脉动仪进行定标.从热力学原理出发,采用绝热压缩和膨胀气体的方法,研制了一个温度可以控制的温度脉动源装置,并且对其不确定度进...     

一种高增益宽频带的增益自举运算放大器

设计了一个应用于高精度流水线结构ADC中的高增益、宽频带全差分运算跨导放大器(OTA).整体运放采用了2级结构,第一级采用套筒共源共栅结构,并结合增益自举技术来提高增益;第二级采用共源放大器结构作为输出级,以增大运放的输出信号摆幅.该设计采用UMC 0.18μm CMOS工艺,版图面积为320μm×260μm.仿真结果显示:在1.8 V电源供电5 pF负载下,在各个工艺角及温度变化下增益高于120 dB,增益带宽积(GBW)大于800 MHz,而整个运放消耗16.36 mA的电流,FOM值为306 MHz·pF/mA.     

激光测距距离欺骗干扰技术

激光测距距离欺骗干扰技术分为两类，一类是产生测距正偏差的干扰技术，其中无源型采用光纤二次延迟技术，有源型采用电子延迟和激光器，都能使敌方测z巨机收到一个远距离的测么巨信号，从而判断失误。另一类是产生测距负偏差的干扰技术，它是在所保卫平台向四周预先发射高重频的激光脉冲，使敌方测距机接收到一个近距离的测距信号，从而有效地实施欺骗式干扰。     

植物源提取物抑制亚硝胺致癌作用的研究进展

亚硝胺是一类对人体危害极大的致癌物,是引发肝癌、肺癌和食管癌等癌症的重要因素.植物源提取物近年来逐渐成为抗癌研究的热点,例如黄酮类、多酚类、维生素类以及生物碱类化合物都具有良好的抗肿瘤效果.一些植物源提取物可以通过清除亚硝酸盐或阻断亚硝化反应来抑制亚硝胺在体内的形成;还可以通过抑制亚硝胺代谢活化、促进肿瘤细胞凋亡、抑制...     

Cd饱和气氛退火对碲锌镉晶体导电类型转变界面的影响

在富Te生长条件下,通过垂直布里奇曼法制备的部分碲锌镉晶体内存在导电类型转变界面.采用富Te液相外延技术在含有导电类型转变界面的碲锌镉衬底上生长碲镉汞薄膜,制成的红外焦平面探测器响应图上存在明显的响应不均匀分界面.碲锌镉晶体的导电类型转变由缺陷类型的不同引起,为消除碲锌镉衬底的导电类型转变界面,提升碲镉汞红外焦平面的成...