PDM1kW中波广播发射机原理分析与故障判断

PDM1kW中波广播发射机由主回路（激励器、激励前级、激励驱动、调制器、RF功率放大单元、槽路匹配箱）、继电器控制板、功率控制、功率调幅告警、微机接口板、微机控制器、电源整流器等组成。根据我们多年的维护经验知道，主回路各单元自身由于工作电压都很低（RF功率放大单元除外）一般不会出现故障，该设备的大部分故障主要出在RF功率放大单元及控制保护系统，另外即使由于激励器、激励前级、激励驱动、调制器内部或发射机外部原因造成的故障也可通过PA盒、继电器控制板、功率控制板、功率调幅告警板所反映出的现象加以分析后得到一个准确地结论。下面结合该机原理对一些常见故障现象进行分析，与大家共同探讨。     

降低正交频分复用信号峰均功率比的方法

正交频分复用（OFDM）的一个主要缺点是有很高的峰均功率比，现在已有许多解决方案用来降低OFDM信号的峰均功率比。着重对一些降低OFDM信号峰均功率比的方法进行描述，并分析每一种方法的优缺点及其应用前景。     

硅格应CIS封装市况不佳，第二季营收下降

日前，作为全球功率半导体主要生产厂家的Psi在成都出口加工区为其首家在中国设立的新厂举行了开工典礼。     

高功率二极管激光器的技术现状、工业应用及未来展望

二极管激光器现已广泛应用于通信、计算机及消费电子技术等领域，在这些领域中应用的二极管激光器均属毫瓦级功率的系统。然而，通过特殊的冷却与组装技术及光束组合与光束成形技术。高功率二极管激光器现已达千瓦级功率。这些高功率二极管激光器不仅可作为固体激光器高效率及高可靠性的泵浦源，还可作为材料加工的直接光源。目前，高功率二极管激光器已进入工业制造领域。本文介绍二极管激光器技术及其应用，并对德国未来5年的国家研究项目MDS(Modular Diode Laser Beam Tools)中的高功率二极管激光器的未来应用及其创新应用进行了重点论述。     

光缆接续损耗的工程控制

本从影响光纤损耗的主要因素分析着手，提出了光缆接续损耗工程控制的简洁有效的方法。     

IR推出最新型200V DirectFET MOSFET效率高达95％并可大幅节省占位空间

全球功率半导体和管理方案供应商-国际整流器公司（International Rectifier．简称IR）日前推出了一款IRF6641TRPbF功率MOSFET，这种采用IR标准的DirectFET封装技术结合IR最新的200 VHEXFET MOSFET硅技术的新器件可实现95％的效率，并可大幅节省占位空间。     

两种基于弯曲损耗的光纤测试仪器原理及应用

光纤通信技术的飞速发展带动了光纤测试仪器的发展。主要对两种利用弯曲损耗对光纤进行检测的仪器——光纤识别仪、光纤对线器的原理、结构及其在光纤通信工程中的应用进行了阐述，两种仪器可以在不中断光纤通信的情况下对光纤进行检测，极大地降低了对光纤通信系统的影响，对光纤通信系统具有重要意义。     

不断增强RF功率测量

精确的RF功率管理是现代无线发射器的热点话题，从基站的功率放大器保护到移动应用中的延长电池使用时间，它都有很多的优点。RF功率监测器，比如对数放大器，允许RF功率测量系统在一个较宽的范围监控和动态调整发射功率。尽管近几年来功率监测的精度已经有了很大改进，但是对于像那些需要高功率发射的应用甚至受到0dB功率监测误差微小变化引起的显著影响。因此这也促使检测器性能不断提高。