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介绍了间接跃迁的半导体AlP与GaP形成的超晶格,由于零折叠效应,实现了能带由间接带隙向直接带隙的转变,从而增加了带间的光跃迁几率,并推导了该几率的表达式。 相似文献
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采用复合靶及离子微波控制共溅射方法制备了银(Ag)硅(Si)复合物薄膜。透射电观察表明,银晶体小颗粒(1-3nm)镶嵌于非晶基体中。近紫外、可见光及近红外吸收光谱分析表明,当银含量低于50at%时,薄膜显示典型非晶半导体光谱特征;当银含量高于50at%时,在近紫外及可见波段显示两个吸收峰,讨论了其可能的吸收机制 相似文献