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11.
1关于IEC/TC110 IEC/TC110平板显示技术委员会是由IEC/TC47/SC47C平板显示器件(FPD)分技术委员会于2002年IEC年会上提出,并于2003年7月由IEC中央办公室确定从IEC/TC47中分离出来新成立的技术委员会。  相似文献   
12.
通用IC     
《电子设计应用》2004,(9):148-148
  相似文献   
13.
光电器件     
《今日电子》2006,(7):99-99
高速率低脉宽失真的光耦合器;超小封装的传输光学编码器模块;高功率RGB LED。  相似文献   
14.
15.
模拟器件     
  相似文献   
16.
可编程模拟器件与技术新进展   总被引:5,自引:0,他引:5  
简述可编程模拟器件的基本原理、典型应用和开发方法,介绍并比较主要的模拟可编程实现技术与主流器件系列,指出现存的主要问题并展望其未来发展方向.  相似文献   
17.
现场可编程门阵列(FPGA)和编程工具介绍 0.6μCMOS工艺FPGA的推出是微电子工艺进步引起系统设计变革的一个非常成功的例子。它也是半定制门阵列的设计方法和现场用户可编程的设计要求结合的产物。由于FPGA的推动,系统集成单一的ASIC途径已经被越来越多的FPGA原型设计和嵌入式CPU Core和DSP Core的设计所补充。FPGA的设计方法至少在三个方面为系统用户提供了设计手段:一是把FPGA作为设计的原型验证;二是把FPGA作为储备设计的手段;三是把FPGA作为产品上市阶段的暂时采用的电路。一旦市场形势走俏,立即用MPGA的正式电路替代。  相似文献   
18.
NMOS器件两次沟道注入杂质分布和阈电压计算   总被引:1,自引:1,他引:0  
王纪民  蒋志 《微电子学》1997,27(2):121-124
分别考虑了深浅两次沟道区注入杂质在氧化扩散过程中对表面浓度的贡献。对两次注入杂质的扩散分别提取了扩散系数的氧化增强系数、氧化衰减系数和有效杂地系数,给出了表面浓度与工艺参数之间的模拟关系式,以峰值浓度为强反型条件计算了开启电压,文章还给出了开启电压、氧化条件、不同注入组合之间的关系式。  相似文献   
19.
荧光显示管直丝氧化物阴极有效逸出功的计算   总被引:1,自引:1,他引:0  
阴极的逸出功是表征阴极发射能力的物理量,求定荧光显示管直丝氧化物阴极有效逸出功时,因其零场发射电流密度难于准确取值,温度无法直接测量,显得困难,须予解决,为此提出了一种计算阴极有产逸出功的办法,对某显示管的发射欠佳和“低温高效”的两种氧化物阴极的有效逸出功进行计算,有效逸出功率是靠测量相关物理量再同计算得出,精度不很高,文中所用办法也不例外,但所得结果能反映阴极发射能力,所需仪器少,是实用方法。  相似文献   
20.
本文侧重讨论了院校新型CATV550MHz邻频传输系统的干线设计以及选用MOTOROLA MHW6342T器件来改善了干线放大器性能。  相似文献   
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