阶跃电压法确定产生寿命的计算公式

采用一个最近发展起来的产生区宽度模型，导出了描述阶跃电压作用下ＭＯＳ电容器的电容－时间瞬态特性方程，给出了阶跃电压法确定产生寿命的一个计算公式。     

一种宽带去嵌入方法

本文介绍在没有校准件或无法提供有效校准件情况下，使用对称夹测量微波器件散射参数的方法，并用实验加以验证，给出了测量误差的定量分析。     

分散型控制系统（DCS）双机冗余措施

本文综合了典型ＤＣＳ系统的冗余措施，结合我国实际应用提出了双机双Ｉ／Ｏ并联的双横冗余方案。     

GaN MESFET的微波性能

用ＭＯＣＶＤ法制备了在高电阻率ＧａＮ层上生长沟道厚度为０．２５μｍ的ＧａＮＭＥＳＦＥＴ，这些器件的跨导为２０ｍＳ／ｍｍ，其中一个栅长为０．７μｍ的器件，测得其ｆＴ和ｆｍａｘ分别为８和１７ＧＨｚ。     

CPLD在声波测井信号数字化中的应用

CPLD作为一种新型的可编程逻辑器件,具有集成度高、可靠性强、工作速度快、开发周期短等特点,为我们开发新一代高可靠性仪器提供了一种可能。本文介绍在声波信号数字化中如何应用CPLD完成逻辑控制、FIFO、并串转换的开发过程以及实验室仿真实现。     

利用单片机和CPLD实现直接数字频率合成(DDS)

与传统的频率合成方法相比，DDS合成信号具有频率切换时间短，频率分辨率高，相位变化连续等诸多优点，使用单片机灵活的控制能力以及良好的人机对话功能与CPLD器件的高性能，高集成度相结合，可以克服传统DDS设计中的很多不足，从而设计开发出性能优良的DDS系统。