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141.
142.
日本NTT公司和台湾国立交通大学合作利用si衬底研制出一种AiGaSb/InAs HEMT结构,其迁移率高达27300cm^2/V.s,该种结构将用于逻辑电路,它把Ⅲ一V族结构的高迁移率和si衬底的低成本、高硬度和大直径结合起来了。[第一段] 相似文献
144.
刘玉成 《重庆工业高等专科学校学报》2004,19(5):23-25
介绍以中规模集成计数器为核心,结合中规模集成组合逻辑器件及少量门电路进行时序逻辑电路设计的方法。 相似文献
145.
James Caffrey Conor Power 《电子设计技术》2005,12(8):15-15
传统的高精密电容检测和阻抗检测应用需要将一套收集的分立器件巧妙的组合起来以提供完整的测量解决方案。这种方法不仅在器件选择方面十分耗时,并且由于各个应用之间即使有很小的差异,也需要做大量设计验证、评估、优化和鉴定。 相似文献
146.
147.
结合美军标准微电子器件试验方法和程序的发展变化以及我国集成电路生产和研制的现状与国情,论述了GJB548的修订原则和协调先进性与可行性的综合处理方法及体会。 相似文献
148.
149.
150.
概括介绍我国表面安装器件十年来的生产发展状况,提供至今生产线的引进分布、品种生产能力、原材料国产化、外形和引线框架标准、市场、国内表面安装技术设备研制动向,说明存在的问题和国外技术上的差距,从而就社会主义市场经济下,如何发展表面安装产业,提出一些建议以供参考。 相似文献