HCMOS器件γ辐射损伤电路分析

本文对最基本的HCMOS器件(反相器和与非门)作了γ辐射损伤实验。通过器件性能变化,分析了γ辐射对电路的作用。     

CCD多路开关组件的研制

采用三层多晶硅交迭栅三相埋沟结构，设计并研制成功了６０路ＣＣＤ多路开关动态范围≥５０ｄＢ，转移效率≥９９．９９％；非均匀性±５％；最小输入５ｍＶ；最大输入信号２Ｖ；输入积累时间１３４μｓ；串行移出时间２μｓ；输出幅度≥２Ｖ。文章阐述该器件的结构、工作原理、特点、用途、器件参数分析及影响器件因素和专项工艺研究。     

鱼雷控制与制导一体化技术综述

本文在阐述捷联式惯导的基本原理以及在鱼雷中应用的必要性的基础上,讨论了鱼雷控制与制导一体化技术及用捷联式惯导的特殊要求和亟待解决的问题。     

逆向逻辑综合与功能测试建模

本文在分析时序电路故障检测试法存在难题的基础上,提出一种功能测试建模的新方法。具体内容包括:时序电路功能测试建模的要求;利用逆向逻辑综合方法完成同步时序电路测试的建模;以及异步时序电路功能测试建模的特点。这对时序电路功能测试序列的自动生成有重要意义,因为有了这样的模型,时序电路的自动测试生成可归结为图论算法问题。     

阶跃电压法确定产生寿命的计算公式

采用一个最近发展起来的产生区宽度模型，导出了描述阶跃电压作用下ＭＯＳ电容器的电容－时间瞬态特性方程，给出了阶跃电压法确定产生寿命的一个计算公式。     

S波段脉冲功率放大器的CAD

介绍了ＨＰ－ＥＥＳＯＦ软件设计微波脉冲功率放大器的全过程，从建模，优化设计，仿真到分析均作了较详细的论述。     

高扭曲向列液晶显示器件的特性研究

本文研究了高扭曲向列液晶显示器件（ＨＴＮＬＣＤ）（扭曲角９０～１８０°），此器件与扭曲向列液晶显示器件（ＴＮＬＣＤ）相比较，能够增加液晶显示器件扫描行数并改善视角特性，其制造技术与ＴＮ器件相似，具有很大的应用价值。     

一种宽带去嵌入方法

本文介绍在没有校准件或无法提供有效校准件情况下，使用对称夹测量微波器件散射参数的方法，并用实验加以验证，给出了测量误差的定量分析。     

GaN MESFET的微波性能

用ＭＯＣＶＤ法制备了在高电阻率ＧａＮ层上生长沟道厚度为０．２５μｍ的ＧａＮＭＥＳＦＥＴ，这些器件的跨导为２０ｍＳ／ｍｍ，其中一个栅长为０．７μｍ的器件，测得其ｆＴ和ｆｍａｘ分别为８和１７ＧＨｚ。